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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1667页 > AT29LV512
特点
单电源电压范围为3V至3.6V
3伏,只有读写操作
软件保护程序
低功耗
- 15毫安工作电流
- 50 μA CMOS待机电流
快速读取访问时间 - 120纳秒
部门工作计划
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 512个扇区( 128字节/扇区)
- 内部地址和数据锁存为128字节
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
绿色(无铅/无卤化物)的包装选项
512K ( 64K ×8 )
3伏只
FL灰内存
AT29LV512
1.描述
该AT29LV512是3伏,只在系统的Flash可编程可擦除只读
存储器( PEROM ) 。它的内存512K是由8位, 65,536字。 MAN-
制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS工艺,设备报价
访问时间为120 ns的只有54毫瓦的功耗在工业温
温度范围内。当设备被选中,则CMOS待机电流小于
50 μA 。该器件的耐用性是这样的,任何扇区通常可以被写入到在
超过10,000次。
为了让简单的系统内可再编程,该AT29LV512不需要
高输入电压进行编程。三伏特,只有命令,确定操作
化设备。读数据从装置的类似于读数从一个
EPROM 。重新编程的AT29LV512的是,扇区的基础上执行; 128个字节
的数据被装载到该设备,然后同时被编程。
期间重新编程周期中,地址位置和128字节的数据被捕获在
微处理器的速度和内部锁存,从而释放地址和数据总线,用于
其他操作。下面的程序循环的开始,该设备将automati-
美云擦除扇区,然后使用内部控制编程锁存的数据
定时器。一个程序循环结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一旦
已经检测到一个程序循环的末尾,用于读出或程序可以新的接入
开始。
0177O–FLASH–9/08
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
2.1
32引脚PLCC顶视图
A12
A15
NC
NC
VCC
WE
NC
2.2
32引脚TSOP (类型1 )顶视图
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
2
AT29LV512
0177O–FLASH–9/08
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
AT29LV512
3.框图
4,设备操作
4.1
该AT29LV512访问像EPROM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时,
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。
输出处于在每当CE或OE为高的高阻抗状态。这双
行控制给出了防止总线争用设计师的灵活性。
4.2
软件数据保护程序
该AT29LV512有512个人扇区,每个128字节。使用该软件的数据保护
特征,字节负荷来输入128字节的扇区进行编程。该
AT29LV512只能通过编程或使用该软件的数据保护为特色的重新编程
真实存在。对器件进行编程以扇区为基础。如果数据的扇区内的一个字节是要
改变,对于整个128字节的扇区数据必须被加载到设备中。该AT29LV512
将自动进行分区擦除之前,将数据加载到该部门。擦除命令
不是必需的。
软件数据保护可以防止意外的编程设备。三个系列
程序的命令来与特定数据的特定地址必须被提供给该装置
之前,可能会出现编程。写入三个字节的命令序列后(和叔后
WC
),
整个装置受到保护。同样的三个程序的命令必须开始每个项目
操作。所有的软件程序的命令必须服从部门计划时序规范。
电源转换不会复位软件数据保护功能;但是,该软件为特色的
TURE将在电源转换防范意外的程序循环。
写入设备,而不3字节的命令序列中的任何尝试都将启动内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,在t的持续时间
WC
中,读操作
化将有效地成为一个轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码发出后,一个字节负载由执行
适用于WE或CE输入, CE低脉冲或WE低(分别)和OE高。该
地址被锁存, CE或WE的下降沿,最后为准。该数据通过锁存
CE或WE的第一个上升沿。
3
0177O–FLASH–9/08
在128个字节的数据必须被加载到每一个扇区。未在装载任何字节
该领域的节目将被删除阅读FFH 。一旦一个扇区的字节被装入到
该装置中,它们同时在内部编程期间进行编程。后
第一个数据字节已被加载到设备中,连续的字节以相同的输入
方式。每一个新的字节进行编程,必须对我们(或CE )以其高向低转换
在150微秒WE (或CE )前一个字节的低到高的过渡。如果一个高至低
在150微秒的最后低到高的转变是没有检测过渡,负载周期将结束
而内部编程周期将开始。 A7至A15指定的扇区地址。部门
地址必须在每个高到低WE (或CE )的转换是有效的。 A0到A6指定
扇区内的字节地址。该字节可以以任何顺序被加载;顺序装载不
所需。一旦编程操作已启动,以及在t的持续时间
WC
,读
操作将有效地成为一个轮询操作。
4.3
硬件数据保护
硬件特性能够防止在无意中以下程序的AT29LV512
方法:(1 )V
CC
感 - 如果V
CC
低于1.8V (典型值) ,该程序的功能是抑制; (二)V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
已达到在V
CC
层次感,设备会自动时间
从编程前10毫秒(典型值) ; (三)禁止编程 - 控股OE低,CE中的任何一个
高或WE高抑制方案周期;及(d )噪声滤波器 - 小于15纳秒脉冲(典型值)
在WE或CE输入将不会启动编程周期。
4.4
输入电平
同时采用3.3V工作
±10%
电源,地址输入和控制输入( OE , CE
和WE )可被驱动为0 5.5V ,但不在设备的运行产生不利影响。
该I / O线,只能被驱动从0到3.6伏。
4.5
产品标识
该产品识别方式识别设备和制造商爱特梅尔。它可以是
由硬件或软件的操作访问。对硬件的操作模式可以由一个
外部编程,以确定正确的编程算法爱特梅尔的产品。
此外,用户可能希望使用该软件产品标识模式来识别一部分
(即,使用该设备的代码) ,并有系统软件使用适当的扇区大小
编程操作。在这种方式中,用户可以有一个共同的电路板设计为256K ,以
4兆密度和,其中每个密度的扇区大小在一个存储器映射,对系统软
器应用适当的扇区大小。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品标识。
的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
4.6
数据轮询
该AT29LV512设有数据轮询,以指示一个程序循环的结束。在节目
周期的最后一个字节的企图读取加载会导致加载的数据的补
在I / O7 。一旦程序周期已经完成,真正的数据是在所有输出和有效
下一个周期可能开始。数据轮询可能在程序周期内随时开始。
4
AT29LV512
0177O–FLASH–9/08
AT29LV512
4.7
切换位
除了数据轮询, AT29LV512提供了另一种方法,用于确定的端
编程或擦除周期。在编程或擦除操作,连续尝试读取
从设备数据将导致I / O6 1和0之间切换。一旦程序循环
完成后, I / O6将停止切换,有效的数据将被读取。检查触发位可能
在一个编程周期开始,在任何时间。
4.8
可选芯片擦除模式
整个装置可以通过使用一个6字节的软件代码被删除。请参阅软件芯片
删除应用笔记的详细信息。
5.绝对最大额定值*
高温下偏置............................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在A9电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
5
0177O–FLASH–9/08
AT29LV512
特点
单电源电压范围为3V至3.6V
3伏,只有读写操作
软件保护程序
低功耗
15毫安工作电流
20
A
CMOS待机电流
快速读取访问时间 - 200纳秒
部门工作计划
单周期重新编程(擦除和编程)
512个扇区( 128字节/扇区)
内部地址和数据锁存为128字节
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大。
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
典型的耐力> 10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
512K ( 64K ×8 )
3伏只
CMOS闪存
内存
描述
该AT29LV512是3伏,只在系统的Flash可编程可擦除只读
存储器( PEROM ) 。它的内存512K是由8位, 65,536字。制造
factured与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件具有AC-
塞斯倍至200 ns的只有54毫瓦的功耗在商业温
温度范围内。当设备被选中,则CMOS待机电流小于
超过20个
A.
该器件的耐用性是这样的,任何部门通常可以被写入
超过10,000次。
(续)
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
CE
OE
WE
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
AT29LV512
PLCC顶视图
I / O0 - I / O7数据输入/输出
NC
无连接
TSOP顶视图
类型1
0177I
4-43
描述
(续)
为了让简单的系统内可重编程中,
AT29LV512不要求高输入电压为亲
编程。三伏特,只有命令决定了选购
关合作设备。读出数据的设备是
类似于从一个EPROM读取。重新编程的
AT29LV512的是,扇区的基础上执行; 128字节
数据被同时装载到该设备,然后
编程。
期间重新编程周期中,地址位置和128-
数据的字节被捕获的微处理器速度和
内部锁存,从而释放地址和数据总线,用于
其他操作。以下程序的启动赛扬
CLE ,设备会自动擦除扇区,然后
程序中使用的内部控制定时器锁存数据。
一个程序周期结束可以通过数据poll-进行检测
ING I / O7的。一旦一个程序周期结束时一直
检测到的,用于读出或编程一个新的访问可以开始。
框图
设备操作
阅读:
该AT29LV512访问像EPROM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态,每当CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性,防止公交车
争。
软件数据保护编程:
该AT29LV512有512个人扇区,每个128
字节。使用该软件的数据保护功能,字节
负荷来输入128个字节的扇区是
编程。该AT29LV512只能被编程
或使用该软件的数据保护为特色的重新编程
真实存在。对器件进行编程以扇区为基础。如果一个字节
扇区内的数据被改变时,数据的烯
轮胎128字节的扇区必须被加载到设备中。该
AT29LV512自动执行一个扇区擦除之前
加载到该扇区中的数据。擦除命令不可
所需。
软件数据保护是保护inadver-设备
10吨编程。一系列的三个计划的命令
用具体的数据具体的地址,必须提交
到设备之前,可能会发生编程。书写后
三个字节的命令序列(和之后吨
WC
) ,所述烯
轮胎设备进行保护。同样的三个程序的COM
mands必须从每个程序操作。所有软件
4-44
程序的命令必须服从部门的程序定时
规格。电源转换不会复位软件
数据保护功能,但软件功能将
警惕权力过程中无意的程序循环
转场。
任何试图写入设备没有3个字节的COM
命令序列将启动内部写定时器。没有数据
将被写入到该设备;然而,对于持续时间
t
WC
,一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码后
给出,一个字节的负载是由施加低脉冲进行
在WE或CE输入与CE或WE低(分别)
和OE高。的地址被锁存的下降沿
CE或WE,去年为准。该数据通过锁存
CE或WE的第一个上升沿。
128个字节的数据必须被加载到每一个扇区。
未编程过程中加载任何字节的
行业将被删除阅读FFH 。一旦一个仲的字节
器被加载到该设备,它们是同时
在内部编程周期编程。自动对焦
之三的第一个数据字节已被加载到该设备, suc-
cessive字节被输入以相同的方式。每一个新的
字节编程必须具有高的电平转换
在不到150 WE (或CE )
s
低到高的转变
WE (或CE )前面的字节。如果一个由高到低的转变
内150未检测到
s
最后从低到高的跃迁
化,负载周期将结束,内部编程
(续)
AT29LV512
AT29LV512
设备操作
(续)
期间将启动。 A7至A15指定的扇区地址。该
扇区地址必须在每一个前高后低转录有效
习得WE (或CE )的。 A0到A6指定字节地址
内部门。该字节可以以任何顺序装入,
不要求顺序装载。一旦编程
操作已启动,以及在t的持续时间
WC
, a
读操作将有效是一个轮询操作。
硬件数据保护:
硬件特性
防止在无意中程序的AT29LV512
以下方式:(1 )V
CC
有义若V
CC
低于1.8V
(典型的),程序功能被抑制。 (二)V
CC
动力
在对延迟一次V
CC
已达到在V
CC
层次感,
该设备将自动超时10毫秒(典型值) BE-
前编程。 (三)项目inhibit-持有的任何一个
的OE低,高CE或WE高抑制方案周期。 (四)
小于15纳秒(典型值) ,在WE噪声滤波器 - 脉冲
或CE输入将不会启动编程周期。
输入电平:
同时采用3.3V工作
±10%
电源,地址输入和控制输入( OE ,
CE和WE )可以驱动从0至5.5V AD-无
versely影响装置的操作。在I / O线
只能被驱动从0到3.6伏。
产品标识:
该产品identifica-
化模式的识别设备和制造商为网络普通用户
梅尔。它可以通过硬件或软件进行访问操作
化。对硬件的操作模式可以由一个EX-
ternal程序员找出正确的编程AL-
gorithm为Atmel的产品。此外,用户可能希望
使用该软件产品的识别模式来识别
的部分(即使用该设备码),并具有系统
软件使用适当的扇区大小为OP-方案
操作。在这种方式中,用户可以有一个共同的
电路板设计为256K 4兆位密度,并与
每个密度的扇区大小的存储器映射,有系
统软件应用适当的扇区大小。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT29LV512特征的数据poll-
荷兰国际集团,以指示一个程序循环的结束。在亲
克周期企图读取的最后一个字节加载意志
结果,在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦
程序循环已完成,真正的数据是有效
在所有输出和下一个周期可以开始。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位:
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N克叔 é
AT29LV512提供了另一种方法,用于确定
一个程序结束或擦除周期。在程序或
擦除操作,连续尝试读取数据
该装置将导致I / O6 1和之间切换
零。一旦程序周期已经完成, I / O6会
停止切换,有效的数据将被读取。检查
触发位可在一个程序周期开始时的任何时间。
可选的芯片擦除模式:
整个装置
可以通过使用一个6字节的软件代码被删除。请
请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在A9电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
4-45
直流和交流工作范围
AT29LV512-15
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
(1)
AT29LV512-20
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
AT29LV512-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
0.3V
1.电源后加和V
CC
是在指定的最低数据表值时,系统应等待20毫秒之前的操作
模式被启动。
操作模式
模式
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
软件
(5)
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
X
V
IL
V
IH
高Z
A1 - A15 = V
IL
, A9 = V
H (3)
,
A0 = V
IL
A1 - A15 = V
IL
, A9 = V
H (3)
,
A0 = V
IH
A0 = V
IL
A0 = V
IH
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
V
IL
V
IL
V
IH
4.制造商代码: 1F ,设备代码: 3D 。
5.请参阅下的软件产品标识进入/退出细节。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; V
CC
= 3.6V
COM 。
IND 。
最大
1
1
20
50
1
15
0.6
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
4-46
AT29LV512
AT29LV512
AC阅读特点
AT29LV512-15
符号
t
t
CE ( 1 )
t
OE (2)
t
DF (3, 4)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE ,CE输出保持或
地址,以先发生
(1, 2, 3, 4)
最大
AT29LV512-20
最大
AT29LV512-25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
150
150
0
0
0
70
40
0
0
0
200
200
100
50
0
0
0
250
250
120
60
AC读波形
注:1. CE可能会延迟到t
- t
CE
该地址后,
没有对T过渡的影响
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
- t
OE
地址更改,恕不对T的影响后,
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的) 。
4.此参数的特点,而不是100%测试。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
t
R
, t
F
& LT ; 5纳秒
引脚电容
中(f = 1MHz时, T = 25℃)
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.这些参数的特点,而不是100 %测试。
4-47
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AT29LV512
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
AT29LV512
ATMEL
22+
2256
PLCC
样品可售全新原装长期可供货欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AT29LV512
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8516
贴◆插
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