特点
ConcurrentFlash
内存
独特的架构允许的闪存阵列
要读取在电子
2
PROM写周期
4兆位5伏闪光
配置为512K ×8内存阵列
120纳秒读取时间
部门工作计划
单周期重新编程（不擦除必要）
2048个扇区， 256字节宽
10毫秒部门重写
JEDEC标准软件数据保护
256K位全功能ê
2
舞会
配置为32K ×8内存阵列
字节或页（ 16字节）写入能力
写周期时间： 10毫秒
JEDEC标准软件数据保护
引脚排列类似的32引脚4兆闪存
数据存储器耐久性： 10,000次
4兆位
5伏闪存与
256K ê
2
舞会
内存
AT29C432
ConcurrentFlash
初步
描述
该AT29C432是CMOS内存专为需要应用而设计
两者的高密度非易失性程序存储器和一个较小的非易失性数据存储器
ORY 。该AT29C432提供了这4兆闪存阵列的集成形式
有256K位全功能ê
2
PROM的阵列相同的设备上。一个独特的特点
该设备是其并发读而写的能力。这提供了主机系
统读期间的写周期时间访问闪存程序存储器
E
2
舞会。
这两个存储阵列共享所有I / O线，地址线和OE和WE输入。
每个存储阵列有它自己的芯片使能输入： CEF的闪存阵列和中东欧
为E
2
PROM阵列。
此外，软件数据保护已独立为实施
阵列和始终处于启用状态。该AT29C432具有类似于AT29C040A的引脚分布
闪存。使用闪存用于程序存储的系统设计师和
另一个较小的，非易失性存储器用于存储数据可以很容易地更换两个memo-
里斯与AT29C432 。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
OE
WE
功能
地址
OUTPUT ENABLE
写使能
芯片使能ê
2
舞会
芯片使能闪光
无连接
TSOP
类型1
I / O0 - I / O7数据输入/输出
CEE
持续进修基金
NC
设备操作
闪存阵列
阅读：
Flash存储器阵列读出像静态
内存。当CEF和OE低， WE和东欧的
高时，存储在该存储器位置中的数据来确定
由地址输入被置为在I / O的。
程序：
闪存存储器阵列被分成2048
扇区，每个扇区由256字节。对于读操作
TIONS这些部门显得浑然一体;然而，对于重现
编程的扇区边界，必须考虑，
算。不会忽略的状态A0 - A3和A15 - A18光谱
一个部门与州内IFY的单个字节的地址
地址A4 - A14定义的部门将被写入。
该AT29C432采用JEDEC标准的软件
数据保护功能;因此，每个编程SE-
quence前面必须有三个字节的程序的COM
命令序列。使用该软件的数据保护为特色的
TURE ，字节负载被用来输入256字节的扇区的
进行编程。闪存存储器阵列只能是
使用该软件的数据保护功能编程。
闪存存储器阵列进行编程以扇区为基础。
在该扇区内的数据的字节将被改变，对于数据
整个256字节的扇区必须被加载到设备中。
该闪存阵列自动执行一个部门
擦除之前的数据加载到该扇区。擦除
命令不是必需的。
软件数据保护是保护inadver-设备
10吨编程。一系列的三个计划的命令
用具体的数据具体的地址，必须提交
到设备之前，可能会发生编程。相同
三个方案的命令必须从每个程序OP-
累加器。所有的软件程序的命令必须服从
部门方案的时序规格。电源转换
但不会复位软件数据保护功能，
该软件的功能将防止无意中亲
克的循环过程中的功率转换。
任何试图写入设备，而不三个字节
命令序列将启动内部写定时器。没有
数据将被写入到该设备;然而，对于持续时间
的t
WCF
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
软件数据保护的3字节的命令后，
代码给出，一个字节的负载是由施加低执行
脉冲的WE或CEF输入与CEF或WE低（重
spectively ）和OE和CEE高。的地址被锁存
在CEF或WE的下降沿，最后的为准。
该数据由CEF或WE的第一个上升沿锁存。
在256个字节的数据必须被加载到每一个扇区。
未编程过程中加载任何字节的
行业将是不确定的。一旦一个扇区的字节数
被加载到设备中，它们是同时进行亲
在内部编程周期编程。后
第一个数据字节已被加载到该设备， suc-
cessive字节被输入以相同的方式。每一个新的
字节编程必须具有高的电平转换
在不到150 WE （或CEF ）
s
低到高的转变
的WE （或CEF ）的前一个字节的。如果前高后低
内150没有检测到过渡
s
的最后一个低到
（续）
2
AT29C432
AT29C432
设备操作
（续）
高转换，负载周期将结束，内部
规划期内将开始。该部门的地址必须
可以在每个高到WE （或基金）的低转换有效的。
该字节可以以任何顺序被加载;顺序装载
不是必需的。一旦编程操作已
开始，以及在t的持续时间
WCF
，进行读操作将
有效地将数据轮询操作。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外程序的闪存
阵列在以下方面：（1 ）V
CC
某种意义上，如果V
CC
是BE-
低3.8V （典型值） ，该程序的功能被禁止。 （二）
V
CC
上电延时一次V
CC
已达到在V
CC
层次感，设备会自动超时10毫秒
（典型值）编程之前。 （三）禁止编程，相应固定
荷兰国际集团OE低，高CEF或WE高抑制的任何一个亲
克周期。 （四）噪声滤波器的脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
数据查询：
时间为亲最大金额
克和写入指定的操作;的实际时间是
经常比规范更快。为了采取AD-
更快的典型时代的高度，闪存AR-
线特征数据查询来表示程序结束
周期。在一个程序循环企图读取的
加载最后一个字节，将导致在加载的补
数据I / O7 。一旦程序周期一直的COM
pleted ，真正的数据是对所有输出和下一个周期有效
可能开始。数据轮询可能在开始期间的任何时间
项目周期。
产品标识：
产品标识
模式的识别设备和制造商爱特梅尔。它
可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部亲
语法，以确定正确的编程算法
Atmel的产品。此外，用户可能希望使用
软件产品识别模式识别部
（即使用该设备码），并具有该系统软件
使用适当的扇区大小的程序操作。
有关详细信息，请参阅操作模式（硬件操作）
或软件产品标识。制造商和
设备代码是相同的这两种模式。
命令序列。这个顺序应该再被立即
ately后跟数据之一到16个字节。后
已被写入最后一个字节后， AT29C432将automat-
ically时间本身到内部写周期的完成。
写周期是由我们和中东欧变低启动;
该地址是由我们或CEE的下降沿锁存
（取最后出现），并且数据被利培锁存
荷兰国际集团WE或CEE （以先到为准）的边缘。所有的写
操作（字节或页）必须符合页写
如图所示的时序图对于E限制
2
PROM写
操作。在页写操作必须全部字节
驻留在同一页上的A4纸的状态定义
- A14输入。对于我们每前高后低过渡期间
页写操作，A4 - A14必须是相同的。
在A0 - A3输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在被加载
任何顺序，并且可以在相同的负载周期内改变。
只有那些书写指定的字节将被写入;
其他字节的页面中不必要的循环呢
不会发生。
在内部写操作（叔
WCE
）尝试读出
电子
2
PROM将等同于数据的轮询操作
系统蒸发散;然而，尝试读取闪存阵列将返回
有效的数据。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外的方案到E
2
舞会
通过以下方式存储器阵列：（1 ）V
CC
某种意义上，如果
V
CC
低于3.8V （典型值） ，该程序的功能是inhib-
资讯科技教育。 （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时10
毫秒（典型值），在编程之前。 （三）项目inhibit-
控股OE低，高CEE或WE高抑制中的任何一个
项目周期。 （四）噪声滤波器的脉冲小于15纳秒
（典型值）的WE或CE输入无法启动程序
周期。
数据查询：
时间为亲最大金额
克和写入指定的操作;的实际时间是
经常比规范更快。为了取
利用更快速的典型时间中，E
2
PROM的MEM
储器阵列特征的数据轮询来表示的结束
项目周期。在一个程序循环中试图读
的最后一个字节的负载将导致的补
在I / O7加载的数据。一旦该程序周期已
完成时，真正的数据是在所有输出和下一个有效
周期可能开始。数据轮询可以随时开始很好地协同
荷兰国际集团的计划周期。
（续）
E
2
PROM存储器阵列
阅读：
电子
2
PROM存储器阵列读出像静态
内存。当CEE和OE低， WE和CEF是
高时，存储在该存储器位置中的数据来确定
由地址输入被置为在I / O的。
写：
电子
2
PROM存储器阵列可以被写在
无论是单字节写或页写操作。如下─
造成软件数据保护始终处于启用状态既
写操作之前，必须由三个字节写
3
设备操作
（续）
存储阵列
并发读而写
该AT29C432的架构提供了并发
读而写能力。与其它可编程非易失
非易失性存储器内部的高压操作，防止
数据的读出，而写操作是在处理。
然而， AT29C432被分隔的方式，以AL-
从闪存存储器阵列中的低读取操作
电子在写操作
2
PROM存储器阵列。
从概念上设备的设计假设
快闪存储器阵列将被用于不经常向上
凡是注日期的程序存储和电子
2
PROM存储器阵列
将用于频繁更新的数据的存储。这
简单的概念，消除了复杂的软件和硬件
使用的内存多块只是为了洁具方案
持复制下装程序。
有效的并行读取
从闪存读取被允许在整个
E
2
PROM写周期时间（t
WCE
） 。电子
2
PROM存储器
数组必须已经取消（ CEE高） 。
从闪存读取吨时允许
WPH
华氏度一
E
2
PROM写了这么长为t
BLC
为E
2
PROM写不
侵犯。电子
2
PROM存储器阵列必须取消
（ CEE高） 。
无效的并发读取
试图读取吨在闪存存储器阵列
WCF
将
有效地将轮询操作。
试图访问Flash存储器阵列，而CEE是
低将被忽略。也就是说， CEE低， CEF低的
同时是不允许的。尝试读取电子
2
舞会
存储器阵列，同时在写闪存阵列
正在进行中是不允许的。
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
引脚电容
中（f = 1MHz时， T = 25℃）
参数
C
IN
C
OUT
注意：
(1)
典型值
4
8
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
输入电容
输出电容
1.此参数的特点，而不是100％测试。
4
AT29C432
QQ：2881677436 复制
