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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第584页 > AT29BV040A-20TC
特点
单电源电压范围2.7V至3.6V
单电源进行读写
软件保护程序
快速读取访问时间 - 200纳秒
低功耗
- 15毫安工作电流
- 40 μA CMOS待机电流
部门工作计划
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 2048个扇区( 256字节/扇区)
- 内部地址和数据锁存为256字节
两次与锁定16K字节的引导块
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大。
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
最低耐力10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
4-megabit
( 512K ×8 )
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT29BV040A
描述
该AT29BV040A是3伏,只在系统可编程闪存和可擦写阅读
只读存储器( PEROM ) 。它的4兆内存的组织结构524,288字经
8位。与Atmel先进的非易失性EEPROM CMOS工艺制造,
该设备提供了存取时间为200毫微秒,和一个低54毫瓦的功率耗散。当
该装置被选中,在CMOS待机电流小于40微安。该装置
销刀豆网络gurations
引脚名称
功能
A0 - A18
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
CBGA
顶视图
1
2
3
4
A
TSOP顶视图
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
A7 A18 A14 A13
B
A6 A16 A17 A8
C
A5 A15 WE A9
D
A4 A12 A11 VCC
E
A3 I / O0 I / O3 I / O7
F
A2 I / O1 I / O4 CE
G
A1 I / O2 I / O5 A10
H
A0 GND I / O6 OE
牧师0383F -FLASH - 5月2日
1
耐力是这样的,任何扇区可以被写入到超过10000次。亲
编程算法与Atmel的2.7伏,只有闪存等设备兼容
回忆。
为了让简单的系统内可再编程,该AT29BV040A不需要
高输入电压进行编程。该装置可以用单个2.7V要操作
3.6V电源。读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。
重新编程AT29BV040A的是,扇区的基础上执行; 256个字节的数据是
装载到该设备,然后同时被编程。
期间重新编程周期中,地址位置和256字节的数据被捕获在
微处理器的速度和内部锁存,从而释放地址和数据总线,用于其他
操作。下面的程序周期开始时,设备会自动
擦除扇区,然后用编程的内部控制定时器锁存数据。该
一个程序周期结束可以通过I / O7数据轮询检测。一旦一个亲的端
克周期已被检测到,用于读出或程序可以开始新的访问。
框图
设备操作
阅读:
该AT29BV040A访问像EPROM 。当CE和OE低,
WE为高电平时,存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是
上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE
或OE为高电平。这双线路的控制,使设计人员灵活地预防公交车
争。
软件数据保护编程:
该AT29BV040有2048 indi-
维杜阿尔个扇区,每个256字节。使用该软件的数据保护功能,加载的字节
用于输入的256字节的扇区进行编程。该AT29BV040A可以
只有通过编程或使用该软件的数据保护功能重新编程。该
器被编程以扇区为基础。如果数据的扇区内的一个字节是要
改变,对于整个256字节的扇区数据必须被加载到设备中。该
AT29BV040A自动执行之前,将数据加载到部门扇区擦除。
不需要的擦除命令。
软件数据保护可以防止意外的编程设备。一系列的
三个方案的命令与特定数据的具体地址,必须提交
可能出现编程前的设备。同样的三个程序的命令必须
开始每个程序操作。所有的软件程序的命令必须服从部门
程序时序规范。电源转换不会复位软件数据保护
化功能,但软件功能将防止无意的程序循环
在上电期间的过渡。
2
AT29BV040A
0383F–FLASH–05/02
AT29BV040A
任何试图写入的设备,而无需中的3字节的命令序列,将启动
内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,对于持续时间
t
WC
,一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码发出后,一个字节负载per-
通过施加一个低脉冲,在WE或CE输入与CE或形成WE低(分别)
和OE高。地址被锁存, CE或WE的下降沿,以先到为准
最后。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。
在256个字节的数据必须被加载到每一个扇区。未加载任何能很好地协同字节
荷兰国际集团及其部门的规划将是不确定的。一旦一个扇区的字节数
加载到装置中,它们被同时内部亲期间编程
编程周期。后的第一个数据字节已被加载到设备中,连续
字节被输入以相同的方式。每个新的字节进行编程,必须有它
高到低在150微秒WE低到高的转变WE (或CE )转移(或
CE前面的字节) 。如果未在150微秒的检测高到低转换
最后低到高的转变,负载周期将结束,内部编程周期
将启动。 A8到A18指定的扇区地址。扇区地址必须是在有效期
每个高到低转换WE (或CE )的。 A0到A7指定范围内的字节地址
部门。该字节可以以任何顺序被加载;不要求顺序装载。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外
通过以下方式程序的AT29BV040A :(1 )V
CC
感 - 如果V
CC
以下是
1.8V (典型值) ,该程序的功能是抑制; (二)V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
达到V
CC
层次感,设备会自动超时10毫秒(典型值)
前编程; (三)禁止编程 - 控股OE低,CE中的任何一个高或WE
高抑制方案周期;及(d )噪声滤波器 - 小于15纳秒(典型值)的脉冲
在WE或CE输入将不会启动编程周期。
输入电平:
同时,采用2.7V至3.6V电源供电,地址输入操作
和控制输入
( OE ,
CE和WE)可被驱动为0 5.5V ,而不会不利
影响装置的操作。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+
0.6V.
产品标识:
产品标识模式识别设备
而作为制造商Atmel公司。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的
规划算法为Atmel的产品。此外,用户可能希望使用
软件产品识别模式,以确定所述部分(即使用该设备码),并
对系统软件使用适当的扇区大小为编程操作。在这
方式中,用户可以有一个共同的电路板设计为256K至4兆位密度
并且,与每个密度的扇区大小在一个存储器映射,对系统软件应用
适当的扇区大小。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品Identifi-
阳离子。的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT29BV040A特征数据轮询指示的结束
项目周期。在一个程序循环企图读取的最后一个字节加载意志
结果,在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦该程序周期已
完成时,真正的数据是在所有输出有效,并且下一个周期可以开始。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位:
除了数据轮询AT29BV040A提供了另一种方法
用于确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作
化,连续尝试从设备读取数据会导致I / O6来回切换
间为1和0 。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换
3
0383F–FLASH–05/02
而有效的数据将被读取。检查触发位可以一亲过程中随时开始
克循环。
可选的芯片擦除模式:
整个装置可以通过使用擦除
6字节的软件代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
BOOT BLOCK编程锁定:
该AT29BV040A有两个指定
具有一个编程锁定功能的存储器块。此功能可以防止亲
在一次的特征所指定的块中的数据的编程已启用。每
这些块由16K字节;编程锁定功能可以设置不知疲倦
pendently对于任何一个块。而锁定功能没有被激活时,它可以
被激活的一个或两个块。
这两个16K内存段被称为
引导块
。安全代码,将
弹出一个系统可以被包含在一个引导块。该AT29BV040A块
位于第一16K字节的存储器和最后一个16K字节的存储器。启动
因此,块编程锁定功能可以支持从系统启动
内存或低地址高地址。一旦编程锁定
功能已被激活,在该块中的数据无法再被擦除或处
编程;在其他的存储位置的数据仍然可以通过经常改变
编程方法。要激活锁定功能,一系列的七个程序的COM
mands到具有特定数据的特定地址必须被执行。请参阅启动
块锁定功能使算法。
如果引导块锁定功能已任块激活时,芯片擦除功能
将无效。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件方法可用于确定
无论是引导块段节目是否被锁定。请参见软件产品
识别进入和退出的部分。当该装置是在软件产品identifi-
阳离子模式,从位置00002H读会显示,如果编程的低地址
引导块被锁定,而阅读的位置7FFF2H会做这样的引导上
块。如果数据是有限时,相应的块可以被编程;如果数据是FF,
程序锁定功能已被激活,相应的块不能被
编程。软件产品标识出射模式应该被用来返回到
规范运作。
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在A9电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT29BV040A
0383F–FLASH–05/02
AT29BV040A
直流和交流工作范围
AT29BV040A-20
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
(1)
注意:
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
AT29BV040A-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
1.电源后加和V
CC
是在指定的最低数据表值时,系统应等待20毫秒的能操作之前,
憩模式被启动。
操作模式
模式
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IL
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IH
软件
(5)
A0 = V
白细胞介素,
A1 - A18 = V
IL
A0 = V
IH ,
A1 - A18 = V
IL
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参考AC编程波形。
V
H
= 12.0V ± 0.5V.
制造商代码为1F 。设备代码是C4。
看到在软件产品标识进入/退出细节。
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
COM 。
IND 。
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
0.45
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; V
CC
= 3.6V
最大
1
1
40
50
1
15
0.6
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
5
0383F–FLASH–05/02
特点
单电源电压范围2.7V至3.6V
单电源进行读写
软件保护程序
快速读取访问时间 - 200纳秒
低功耗
- 15毫安工作电流
- 40 μA CMOS待机电流
部门工作计划
- 单周期重新编程(擦除和编程)
- 2048个扇区( 256字节/扇区)
- 内部地址和数据锁存为256字节
两次与锁定16K字节的引导块
行业的快速程序的周期时间 - 20 ms最大。
内部控制程序和定时器
对检测程序结束数据轮询
最低耐力10,000次
CMOS和TTL兼容输入和输出
商用和工业温度范围
4-megabit
( 512K ×8 )
单2.7伏
电池电压
FL灰内存
AT29BV040A
描述
该AT29BV040A是3伏,只在系统可编程闪存和可擦写阅读
只读存储器( PEROM ) 。它的4兆内存的组织结构524,288字经
8位。与Atmel先进的非易失性EEPROM CMOS工艺制造,
该设备提供了存取时间为200毫微秒,和一个低54毫瓦的功率耗散。当
该装置被选中,在CMOS待机电流小于40微安。该装置
销刀豆网络gurations
引脚名称
功能
A0 - A18
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
TSOP顶视图
类型1
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
牧师0383G -FLASH - 5月3日
1
耐力是这样的,任何扇区可以被写入到超过10000次。亲
编程算法与Atmel的2.7伏,只有闪存等设备兼容
回忆。
为了让简单的系统内可再编程,该AT29BV040A不需要
高输入电压进行编程。该装置可以用单个2.7V要操作
3.6V电源。读数据从装置中类似于从一个EPROM读取。
重新编程AT29BV040A的是,扇区的基础上执行; 256个字节的数据是
装载到该设备,然后同时被编程。
期间重新编程周期中,地址位置和256字节的数据被捕获在
微处理器的速度和内部锁存,从而释放地址和数据总线,用于其他
操作。下面的程序周期开始时,设备会自动
擦除扇区,然后用编程的内部控制定时器锁存数据。该
一个程序周期结束可以通过I / O7数据轮询检测。一旦一个亲的端
克周期已被检测到,用于读出或程序可以开始新的访问。
框图
设备操作
阅读:
该AT29BV040A访问像EPROM 。当CE和OE低,
WE为高电平时,存储在由地址管脚所确定的存储器位置中的数据是
上认定的输出。的输出被置于高阻抗状态时的CE
或OE为高电平。这双线路的控制,使设计人员灵活地预防公交车
争。
软件数据保护编程:
该AT29BV040有2048 indi-
维杜阿尔个扇区,每个256字节。使用该软件的数据保护功能,加载的字节
用于输入的256字节的扇区进行编程。该AT29BV040A可以
只有通过编程或使用该软件的数据保护功能重新编程。该
器被编程以扇区为基础。如果数据的扇区内的一个字节是要
改变,对于整个256字节的扇区数据必须被加载到设备中。该
AT29BV040A自动执行之前,将数据加载到部门扇区擦除。
不需要的擦除命令。
软件数据保护可以防止意外的编程设备。一系列的
三个方案的命令与特定数据的具体地址,必须提交
可能出现编程前的设备。同样的三个程序的命令必须
开始每个程序操作。所有的软件程序的命令必须服从部门
程序时序规范。电源转换不会复位软件数据保护
化功能,但软件功能将防止无意的程序循环
在上电期间的过渡。
2
AT29BV040A
0383G–FLASH–5/03
AT29BV040A
任何试图写入的设备,而无需中的3字节的命令序列,将启动
内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,对于持续时间
t
WC
,一个读操作将有效是一个轮询操作。
软件数据保护的3字节命令代码发出后,一个字节负载per-
通过施加一个低脉冲,在WE或CE输入与CE或形成WE低(分别)
和OE高。地址被锁存, CE或WE的下降沿,以先到为准
最后。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。
在256个字节的数据必须被加载到每一个扇区。未加载任何能很好地协同字节
荷兰国际集团及其部门的规划将是不确定的。一旦一个扇区的字节数
加载到装置中,它们被同时内部亲期间编程
编程周期。后的第一个数据字节已被加载到设备中,连续
字节被输入以相同的方式。每个新的字节进行编程,必须有它
高到低在150微秒WE低到高的转变WE (或CE )转移(或
CE前面的字节) 。如果未在150微秒的检测高到低转换
最后低到高的转变,负载周期将结束,内部编程周期
将启动。 A8到A18指定的扇区地址。扇区地址必须是在有效期
每个高到低转换WE (或CE )的。 A0到A7指定范围内的字节地址
部门。该字节可以以任何顺序被加载;不要求顺序装载。
硬件数据保护:
硬件功能防止意外
通过以下方式程序的AT29BV040A :(1 )V
CC
感 - 如果V
CC
以下是
1.8V (典型值) ,该程序的功能是抑制; (二)V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
达到V
CC
层次感,设备会自动超时10毫秒(典型值)
前编程; (三)禁止编程 - 控股OE低,CE中的任何一个高或WE
高抑制方案周期;及(d )噪声滤波器 - 小于15纳秒(典型值)的脉冲
在WE或CE输入将不会启动编程周期。
输入电平:
同时,采用2.7V至3.6V电源供电,地址输入操作
和控制输入
( OE ,
CE和WE)可被驱动为0 5.5V ,而不会不利
影响装置的操作。该I / O线,只能被驱动为0至V
CC
+
0.6V.
产品标识:
产品标识模式识别设备
而作为制造商Atmel公司。它可以通过硬件或软件的操作来访问。该
硬件的操作模式可用于通过外部编程来识别正确的
规划算法为Atmel的产品。此外,用户可能希望使用
软件产品识别模式,以确定所述部分(即使用该设备码),并
对系统软件使用适当的扇区大小为编程操作。在这
方式中,用户可以有一个共同的电路板设计为256K至4兆位密度
并且,与每个密度的扇区大小在一个存储器映射,对系统软件应用
适当的扇区大小。
有关详细信息,请参阅操作模式(硬件操作)或软件产品Identifi-
阳离子。的制造商,设备代码是相同的这两种模式。
数据查询:
该AT29BV040A特征数据轮询指示的结束
项目周期。在一个程序循环企图读取的最后一个字节加载意志
结果,在所加载的数据的I / O 7的补码。一旦该程序周期已
完成时,真正的数据是在所有输出有效,并且下一个周期可以开始。数据轮询
该程序周期内可以随时开始。
触发位:
除了数据轮询AT29BV040A提供了另一种方法
用于确定一个程序或擦除周期的结束。在编程或擦除操作
化,连续尝试从设备读取数据会导致I / O6来回切换
间为1和0 。一旦程序周期已经完成, I / O6将停止切换
3
0383G–FLASH–5/03
而有效的数据将被读取。检查触发位可以一亲过程中随时开始
克循环。
可选的芯片擦除模式:
整个装置可以通过使用擦除
6字节的软件代码。请参阅软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
BOOT BLOCK编程锁定:
该AT29BV040A有两个指定
具有一个编程锁定功能的存储器块。此功能可以防止亲
在一次的特征所指定的块中的数据的编程已启用。每
这些块由16K字节;编程锁定功能可以设置不知疲倦
pendently对于任何一个块。而锁定功能没有被激活时,它可以
被激活的一个或两个块。
这两个16K内存段被称为
引导块。
安全代码,将
弹出一个系统可以被包含在一个引导块。该AT29BV040A块
位于第一16K字节的存储器和最后一个16K字节的存储器。启动
因此,块编程锁定功能可以支持从系统启动
内存或低地址高地址。一旦编程锁定
功能已被激活,在该块中的数据无法再被擦除或处
编程;在其他的存储位置的数据仍然可以通过经常改变
编程方法。要激活锁定功能,一系列的七个程序的COM
mands到具有特定数据的特定地址必须被执行。请参阅启动
块锁定功能使算法。
如果引导块锁定功能已任块激活时,芯片擦除功能
将无效。
BOOT BLOCK闭锁检测:
软件方法可用于确定
无论是引导块段节目是否被锁定。请参见软件产品
识别进入和退出的部分。当该装置是在软件产品identifi-
阳离子模式,从位置00002H读会显示,如果编程的低地址
引导块被锁定,而阅读的位置7FFF2H会做这样的引导上
块。如果数据是有限时,相应的块可以被编程;如果数据是FF,
程序锁定功能已被激活,相应的块不能被
编程。软件产品标识出射模式应该被用来返回到
规范运作。
绝对最大额定值*
高温下偏置............................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在A9电压(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
4
AT29BV040A
0383G–FLASH–5/03
AT29BV040A
直流和交流工作范围
AT29BV040A-20
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
(1)
注意:
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
AT29BV040A-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
1.电源后加和V
CC
是在指定的最低数据表值时,系统应等待20毫秒的操作之前,
tional模式被启动。
操作模式
模式
节目
(2)
待机/写禁止
禁止程序
禁止程序
输出禁用
产品标识
五金
V
IL
V
IL
V
IH
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IL
A1 - A18 = V
IL
, A9 = V
H(3)
, A0 = V
IH
软件
(5)
A0 = V
白细胞介素,
A1 - A18 = V
IL
A0 = V
IH ,
A1 - A18 = V
IL
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
X可以是V
IL
或V
IH
.
请参考AC编程波形。
V
H
= 12.0V ± 0.5V.
制造商代码为1F 。设备代码是C4。
看到在软件产品标识进入/退出细节。
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
制造商代码
(4)
器件代码
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
Ai
Ai
Ai
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
COM 。
IND 。
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
0.45
CE = 2.0V至V
CC
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; V
CC
= 3.6V
最大
1
1
40
50
1
15
0.6
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
5
0383G–FLASH–5/03
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