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AT28LV64B
特点
3.3V单电源
±
10 %供应
3伏,只有读写操作
软件保护程序
低功耗
15毫安工作电流
20
A
CMOS待机电流
快速读取访问时间
200纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
页写周期时间: 10 ms最大
1到64字节页写操作
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力: 10,000次
数据保存: 10年
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
描述
该AT28LV64B是一个高性能的电可擦除可编程只读
存储器(EEPROM) 。它的内存64K是由8位, 8,192字。制造
factured与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件具有AC-
塞斯倍至200 ns的只有54毫瓦的功耗。当该装置是dese-
lected中,CMOS待机电流小于20
A.
该AT28LV64B是像一个静态RAM的读或写周期,而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许
(续)
64K ( 8K ×8 )
低电压
CMOS
E
2
与PROM
页写和
软件数据
保护
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
AT28LV64B
PDIP , SOIC
顶视图
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
TSOP
顶视图
注: PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0299C
2-135
描述
(续)
写作最多同时64个字节。在写赛扬
第一百,地址和1至64个字节的数据是内部
锁,从而释放地址和数据总线,用于其他操作
系统蒸发散。以下的一个写周期开始,该装置
使用内部自动写入锁存的数据
控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有
被检测为读一个新的访问或写可以开始。
Atmel的28LV64B具有附加功能,以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的纠错
数据保持特性。软件数据保护
机制防意外写入。该装置
还包括一个额外的64个字节的E
2
PROM器件
识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-136
AT28LV64B
AT28LV64B
设备操作
阅读:
该AT28LV64B访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时,无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性,防止公交车
争在他们的系统中。
写字节:
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低(分别)和OE高启动写赛扬
CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE,以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
启动后,它会自动时间本身来完成。一旦
在编程操作已启动,并为
吨的持续时间
WC
,一个读操作将有效是poll-
荷兰国际集团的操作。
页写:
牛逼hepagewriteoperationo fthe
AT28LV64B允许1到64个字节的数据被写入到
在一个单一的内部编程周期的设备。一
以同样的方式作为一个启动页面写操作
字节写;写入的第一个字节之后可通过1
到63的附加字节。每个连续的字节必须令状
在100 10
s
(t
BLC
)前一字节。如果T
BLC
超出限制时, AT28LV64B将停止接受
数据,并开始在内部编程操作。
页写操作过程中的所有字节必须驻留在
由A6的状态至A12输入所定义相同的页面。
对于我们每前高后低过渡时期页写
操作,A6至A12必须是相同的。
在A0到A5输入指定的页面中哪些字节
正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载
并且可在相同的负载周期内改变。只
这是书写指定的字节将被写入;避孕
其他字节的页内埃森骑车不的OC
CUR 。
数据查询:
该AT28LV64B具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果,在写入数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成,
真正的数据是在所有输出有效,并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始随时
写周期。
触发位:
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N G,T ,他
AT28LV64B提供了另一种方法,用于确定
在写入周期结束。在写入操作期间,演替
西伯尝试从设备将导致读出的数据
1和0之间的I / O6切换。一旦写有
完成后, I / O6将停止切换,有效的数据将
读取。读取触发位可能开始在期间的任何时间
写周期。
数据保护:
如果不采取预防措施, inad-
vertent写在主机的转换,可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能,将防止内存
意外写入。
硬件保护:
硬件保护功能
防止意外写入AT28LV64B在后续
荷兰国际集团的方式:(1 )V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
已达到
1.8V (典型值) ,设备将自动超时10毫秒
(典型值)允许写入前; (二)写禁止控股
OE低,CE高任一个或WE高抑制写赛扬
克莱斯; (三)噪声小于15纳秒(典型值)上filterpulses
在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护:
软件 - 控制 -
导致数据保护功能已在实施
AT28LV64B 。软件数据保护( SDP )可以帮助预
从数据损坏的DE-发泄意外写入
副。 SDP可以防止上电时意外写入
和断电以及任何其他潜在的周期
系统不稳定。
该AT28LV64B只能使用该软件编写
数据保护功能。
一系列的三个写命令
用具体的数据具体的地址,必须提交
写作中的字节或页模式之前的设备。该
同样的三个写命令必须开始每个写操作
化。所有的软件写命令必须服从页面
模式写时序规格。在3字节的数据
命令序列没有被写入到设备;这种吸附
在命令序列礼服可以利用就像
在设备的任何其他地点。
任何试图写入设备没有3个字节的SE-
quence将启动内部写定时器。任何数据都不会
写入设备;然而,在t的持续时间
WC
,
读操作将有效地被轮询操作。
设备标识:
A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨(E S)华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和AD-使用
礼服地点7FC0H到7FFFH ,附加字节
可以以相同的方式写入或读出
常规存储器阵列。
2-137
直流和交流工作范围
AT28LV64B-20
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
10%
AT28LV64B-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
3.3V
±
10%
操作模式
模式
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
芯片擦除
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
V
H (3)
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IL
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安
I
OH
= -100
A
2.0
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
COM 。
IND 。
最大
10
10
20
50
15
0.6
单位
A
A
A
A
mA
V
V
V
V
2-138
AT28LV64B
AT28LV64B
AC阅读特点
AT28LV64B-20
符号
t
t
CE ( 1 )
t
OE (2)
t
DF (3, 4)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE , CE或地址输出保持,
以先发生
0
0
0
最大
AT28LV64B-25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
200
200
80
55
0
0
0
250
250
100
60
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注:1. CE可能会延迟到t
- t
CE
该地址后,
没有对T过渡的影响
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
- t
OE
地址更改,恕不对T的影响后,
.
3. t
DF
从OE或CE规定,以先到者为准
(C
L
= 5 pF的) 。
4.此参数的特点,而不是100%测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
< 20纳秒
引脚电容
中(f = 1MHz时, T = 25℃)
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点,而不是100%测试。
2-139
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