AT28LV010
特点
3.3V单电源
±
10 ％供应
快速读取访问时间 - 200纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为128字节
内部控制定时器
快速写周期时间
页写周期时间 - 10 ms最大
1到128字节页写操作
低功耗
15毫安工作电流
20
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力： 100,000K周期
数据保存： 10年
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
1兆位
（ 128K ×8 ）
低电压
分页CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28LV010是一个高性能的3伏只有电可擦除和编程
序的只读存储器。它的1兆位的存储器分为131,072字
由8位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，
器件提供存取时间为200 ns的只有54毫瓦的功耗。当
取消选择器件时， CMOS待机电流小于20
A.
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据
输入/输出
无连接
不连接
PDIP
顶视图
AT28LV010
PLCC
顶视图
TSOP
顶视图
0395A
2-155
描述
（续）
该AT28LV010就像是为一个静态RAM访问
读或写周期，而无需外部元件
堂费。该器件包含一个128字节的页寄存器AL-
达低同时写128个字节。在一
写周期，地址和1到128个字节的数据是
内部锁存，从而释放地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该装置将使用自动写入锁存数据
内部控制计时器。在写入周期结束时可
通过I / O7数据轮询检测。一次写入的端
周期已被检测用于读出一个新的访问或写
可以开始了。
Atmel的28LV010具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的纠错
数据保持特性。软件数据保护
落实防范意外写操作。 DE-的
副还包括一个额外的128字节的E
2
PROM的DE-
副识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-156
AT28LV010
AT28LV010
设备操作
阅读：
该AT28LV010访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争用在他们的系统。
写：
该AT28LV010的写操作允许1到
128个字节的数据的过程中被写入到器件
单一的内部编程周期。每次写操作
必须先进行软件数据保护（ SDP ）
命令序列。这个序列是三个系列
独特的写命令操作，使内部
写电路。命令序列和数据是
书面必须符合软件保护的写周期
时序。地址锁存WE的下降沿或
CE，以先到为准最后，数据被锁存上升
WE或CE的边缘，以先到为准。每个演替
西伯字节必须写在150
s
(t
BLC
）中的前
vious字节。如果T
BLC
超出限制的AT28LV010会
停止接受数据，并展开INTERAL编程
明操作。如果多于一个数据字节将被写入
一个单一的编程操作期间，他们必须位于
由A7的状态限定在同一页 - A16
输入。对于我们每前高后低过渡页面中
写操作时， A7 - A16必须是相同的。
在A0 A6中输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令，并且可以在相同的负载周期内改变。
只有那些书写指定的字节将被写入;
其他字节的页面中不必要的循环呢
不会发生。
数据查询：
该AT28LV010具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，
真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始随时
写周期。
触发位：
除了数据投票的AT28LV010
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6切换BE-
吐温1和0 。一旦写入完成后， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28LV010在后续
荷兰国际集团的方式：（1 ）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
已达到
2.0V （典型值） ，设备将自动超时5毫秒
（典型值）允许在写入前： （B ）写入禁止 - 控股
OE低，CE高任一个或WE高抑制写赛扬
克莱斯; （三）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
该AT28LV010 IN-
公司债券的行业标准软件的数据保护
（ SDP）的函数。不同于标准的5伏只é
2
PROM的，
该AT28LV010有SDP在任何时候启用。因此，
所有的写操作之前，必须通过SDP的COM
命令序列。
在3字节的命令序列的数据不被写入
到该设备;在命令序列中的地址
可就像在设备中的任何其他位置使用。
任何试图写入设备没有3个字节的SE-
quence将启动内部定时器。将没有数据被写入
到设备。然而，在t的持续时间
WC
， OP-阅读
操作将有效地被轮询操作。
2-157
特点
3.3V单电源
±
10 ％供应
快速读取访问时间 - 200纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为128字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间 - 10 ms最大
- 1到128字节页写操作
低功耗
- 15毫安工作电流
- 20 μA CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 10
5
周期
- 数据保存：10年
JEDEC批准字节宽引脚
工业和汽车温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
1-Megabit
（ 128K ×8 ）
低电压
分页并行
EEPROM的
AT28LV010
1.描述
该AT28LV010是一个高性能的3伏只有电可擦除和编程
序的只读存储器。它的1兆位的存储器分为131,072字经
8位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造
提供存取时间为200 ns的只有54毫瓦的功耗。当该装置
取消选择，将CMOS待机电流小于20 μA 。
该AT28LV010是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许
同时写入最高可达128个字节。在写周期中，地址和1
128字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他
操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入
使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可
通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个
用于读出或写入新的访问可以开始。
Atmel的28LV010具有附加功能，以确保高品质和可制造性。
该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错
数据保持特性。软件数据保护实现的守护
防止意外写入。该装置还包括一个额外的128字节的EEPROM的
设备识别和跟踪。
0395D–PEEPR–10/06
AT28LV010
3.框图
4，设备操作
4.1
读
该AT28LV010访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。
的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行
控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。
4.2
写
该AT28LV010的写操作允许数据的1到128个字节将被写入到
在一个单一的内部编程周期设备。每次写操作之前，必须通过
软件数据保护（ SDP ）的命令序列。这个序列是三个系列
独特的写命令操作，使内部写电路。命令
序和数据被写入必须符合软件保护的写周期时序。
地址锁存WE或CE的下降沿，以先到为准去年和数据
锁存WE或CE的上升沿，以先到为准。每个连续的字节必须是
写在150微秒（T
BLC
）前一字节。如果T
BLC
超过限制的AT28LV010
将停止接受数据，并开始在内部编程操作。如果超过
一个数据字节是一个单个的编程操作期间将被写入，它们必须驻留在
A16输入 - 从A7的状态定义相同的页面。对于我们每前高后低过渡
页写操作过程中，A 7 - A16必须是相同的。
的A0到A6的输入用于指定页内的哪些字节要被写。该
字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节
这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环
页也不会发生。
3
0395D–PEEPR–10/06
4.3
数据轮询
该AT28LV010设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或
页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补
写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是
有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以开始随时
在写入周期。
4.4
切换位
除了数据投票的AT28LV010提供了另一种方法，用于确定端
的一个写周期。在写操作中，连续尝试从设备读取的数据
将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止
触发和有效的数据将被读取。读取触发位可能在开始期间的任何时间
写周期。
4.5
数据保护
如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入
电源。爱特梅尔
已经将硬件和软件功能，将保护
防止意外的内存写入。
4.5.1
硬件保护
硬件功能防止意外写入以下方式的AT28LV010 ：
（一）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
已自动达到2.0V （典型值）的设备将
时间5毫秒（典型值）允许写入前; （二）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个
高或WE高抑制写周期; （三）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护
该AT28LV010采用了行业标准软件数据保护（ SDP ）的功能。
不像标准的5伏只有EEPROM的年代， AT28LV010已SDP的在任何时候都有效。 There-
前，所有的写操作之前，必须通过SDP命令序列。
在3字节的命令序列的数据不被写入到设备;在地址
命令序列可以像在设备的任何其他位置使用。任何企图
写入设备，而不3字节的序列将启动内部定时器。任何数据都不会
写入器件。然而，在t的持续时间
WC
，读操作将有效地成为poll-
荷兰国际集团的操作。
4.5.2
4
AT28LV010
0395D–PEEPR–10/06
AT28LV010
5.直流和交流工作范围
AT28LV010-20
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
IND 。
汽车
-40°C - 85°C
-40°C - 125°C
3.3V
±
5%
3.3V
±
10%
AT28LV010-25
-40°C - 85°C
6.操作模式
模式
读
写
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
7.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
8.直流特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 1.6毫安; V
CC
= 3.0V
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 3.0V
2.4
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
IND 。
民
最大
1
1
50
15
0.8
单位
A
A
A
mA
V
V
V
V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0 mA时; V
CC
= 3.6V
5
0395D–PEEPR–10/06
QQ：2880707522 复制
