【特点快速读取访问时间 - 70纳秒自动页写操作- 内部地址和数据锁存为64字节快速写周期时间- 页写】,IC型号AT28HC64BF,AT28HC64BF PDF资料,AT28HC64BF经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

- 页写周期时间： 2 ms最大（标准）

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

采用5 V单

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装只

64K （ 8K ×8 ）

高速

并行

与EEPROM

页写和

软件数据

保护

AT28HC64BF

1.描述

该AT28HC64BF是一个高性能的电可擦除和可编程

只读存储器（EEPROM）。它的内存64K组织为8,192字8

位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造

提供存取时间为55 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置

取消选择，将CMOS待机电流小于100 μA 。

该AT28HC64BF是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时被检测到，一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel的AT28HC64BF具有附加功能，以确保高品质和manufactura-

相容性。该器件采用延长耐力和内部纠错

改进的数据保持特性。一个可选的软件数据保护机器人 -

NISM可以防止意外写操作。该装置还包括一个

额外的64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

3648B–PEEPR–4/09

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

AT28HC64BF

3648B–PEEPR–4/09

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28HC64BF

3.框图

VCC

GND

Y译码

地址

输入

X解码器

鉴定

数据输入/输出

I / O0 - I / O7

OE ， CE和WE

逻辑

数据锁存器

输入/输出

缓冲器

Y型GATING

细胞矩阵

4，设备操作

4.1

读

该AT28HC64BF访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高开始写

周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始，这将automati-

美云本身的时间完成。一旦编程操作已启动并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28HC64BF的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟163个

附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（T

BLC

）前一字节。

如果T

BLC

超出限制时， AT28HC64BF将停止接受数据，并开始了

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一

由A6的状态至A12输入所定义的页面。对于每一个WE高到低过渡期间

页写操作，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只有那些经光谱字节

后指定用于写入将被写入;不会发生的页面中的其它字节不必要循环。

4.4

数据轮询

该AT28HC64BF设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写周期中，写入的最后一个字节的一个尝试读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成，真正的数据是有效

在所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可能在随时开始

写周期。

3648B–PEEPR–4/09

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28HC64BF提供了另一种方法，用于确定端

的一个写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，以及有效的数据将被读取。触发位读数可在写周期开始，在任何时间。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

内存防止意外写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入以下方式AT28HC64BF ：

（一）V

感 - 如果V

低于3.8 V（典型值），写功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8 V时，该装置会自动超时5毫秒（典型值）之前，

允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写

周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会ini-

tiate一个写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28HC64BF得到落实。

当启用时，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP为特色的

TURE可以启用或由用户禁用;在AT28HC64BF从爱特梅尔随SDP

禁用。

SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体

数据字节被写入到三个特定地址（参见“软件数据保护Algo-

rithm “图上

第10页）。

写的3字节的命令序列，并且等待吨后

中，

整个AT28HC64BF将受到保护，免遭意外写入。但是应当指出的是，即使

SDP被启用后，用户仍可以执行一个字节或页写入到AT28HC64BF 。这是

由数据前完成要被写入由用于使能相同的3字节的命令序列

SDP 。

一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护中电和供电的AT28HC64BF

下来的条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。

在启用和禁用命令序列数据实际上没有写入设备;

它们的地址可能仍然写在任一个字节或页写操作的用户数据。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列将

启动内部写定时器。没有数据被写入但在设备上，。对于持续时间

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过rais-

荷兰国际集团A9至12 V

±0.5

V和使用地址位置1FC0H到1FFFH ，额外的字节可以

是由以相同的方式作为常规存储器阵列写入或读出。

AT28HC64BF

3648B–PEEPR–4/09

AT28HC64BF

5.直流和交流工作范围

AT28HC64BF-70

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64BF-90

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64BF-120

-40°C - 85°C

5 V

±10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1， X可以为VIL或VIH 。

参见第8页上的“AC波形写入” 。

3. VH = 12.0 V± 0.5 V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面.................................- 0.6 V至6.25 V

所有输出电压

相对于地面...........................- 0.6 V到V

+ 0.6 V

在OE和A9电压

相对于地面..................................- 0.6 V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.40

条件

= 0 V到V

+ 1 V

I / O

= 0 V到V

CE = V

- 0.3 V到V

+ 1 V

CE = 2.0 V到V

+ 1 V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

0.8

单位

3648B–PEEPR–4/09

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

- 页写周期时间： 2 ms最大（标准）

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

采用5 V单

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装

64K （ 8K ×8 ）

高速

并行

与EEPROM

页写和

软件数据

保护

AT28HC64BF

1.描述

该AT28HC64BF是一个高性能的电可擦除和可编程

只读存储器（EEPROM）。它的内存64K组织为8,192字8

位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造

提供存取时间为55 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置

取消选择，将CMOS待机电流小于100 μA 。

该AT28HC64BF是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时被检测到，一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel的AT28HC64BF具有附加功能，以确保高品质和manufactura-

相容性。该器件采用延长耐力和内部纠错

改进的数据保持特性。一个可选的软件数据保护机器人 -

NISM可以防止意外写操作。该装置还包括一个

额外的64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

3648A–PEEPR–10/06

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚PDIP / SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

AT28HC64BF

3648A–PEEPR–10/06

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28HC64BF

3.框图

VCC

GND

Y译码

地址

输入

X解码器

鉴定

数据输入/输出

I / O0 - I / O7

OE ， CE和WE

逻辑

数据锁存器

输入/输出

缓冲器

Y型GATING

细胞矩阵

4，设备操作

4.1

读

该AT28HC64BF访问就像一个静态RAM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双

行控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经启动，它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28HC64BF的页写操作允许数据的164个字节将被写入

在一个单一的内部编程周期的设备。在启动页写操作

以同样的方式作为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟1到

63的附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（T

BLC

）以前的

字节。如果T

BLC

超出限制时， AT28HC64BF将停止接受数据，并开始

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在

由A6的状态至A12输入所定义相同的页面。对于每一个WE高到低转换

页写操作期间，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只是这是个字节

写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

4.4

数据轮询

该AT28HC64BF设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写周期中，写入的最后一个字节的一个尝试读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以随时开始

在写入周期。

3648A–PEEPR–10/06

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28HC64BF提供了另一种方法，用于确定

在写入周期结束。在写操作中，连续尝试读取从数据

设备将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成后， I / O6

将停止切换，以及有效的数据将被读取。触发位阅读过程中可以随时开始

写周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

防止意外的内存写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入AT28HC64BF在以下

方法：（1 ）V

感 - 如果V

低于3.8 V（典型值），写功能受到抑制; （二）V

上电延时 - 一旦V

已达到3.8 V时，该装置会自动超时5毫秒

（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE

抑制高写周期;及（d）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值），在WE脉冲或

CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28HC64BF得到落实。

当启用时，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP

特征可被启用或由用户禁用;在AT28HC64BF从爱特梅尔随

SDP禁用。

SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体

数据字节被写入到三个特定地址（参见“软件数据保护

算法“图上

第10页）。

写的3字节的命令序列，并且等待吨后

整个AT28HC64BF将受到保护，免遭意外写入。但是应当注意的是

SDP使能连之后，用户仍可以执行一个字节或页写入到所述

AT28HC64BF 。这是由前述数据进行待写入的相同的3字节命令

序用于使能的SDP 。

一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护中电和供电的AT28HC64BF

下来的条件。所有的命令序列必须符合页面写入时序specifica-

系统蒸发散。在启用和禁用命令序列数据实际上没有写进

装置;它们的地址可能仍然写在任一个字节或页写入用户数据

操作。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列

将启动内部写定时器。没有数据被写入但在设备上，。对于持续时间

吨的化

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过

A9提高到12 V

±0.5

V和使用地址位置1FC0H到1FFFH ，附加字节

可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28HC64BF

3648A–PEEPR–10/06

AT28HC64BF

5.直流和交流工作范围

AT28HC64BF-70

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64BF-90

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64BF-120

-40°C - 85°C

5 V

±10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1， X可以为VIL或VIH 。

参见第8页上的“AC波形写入” 。

3. VH = 12.0 V± 0.5 V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面.................................- 0.6 V至6.25 V

所有输出电压

相对于地面...........................- 0.6 V到V

+ 0.6 V

在OE和A9电压

相对于地面..................................- 0.6 V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.40

条件

= 0 V到V

+ 1 V

I / O

= 0 V到V

CE = V

- 0.3 V到V

+ 1 V

CE = 2.0 V到V

+ 1 V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

0.8

单位

3648A–PEEPR–10/06