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AT28HC64B

特点

快速读取访问时间 - 55纳秒

自动页写操作

内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

页写周期时间： 10 ms最大

1到64字节页写操作

低功耗

40毫安工作电流

100

CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

耐力： 100,000次

数据保存： 10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

商用和工业温度范围

描述

该AT28HC64B是一个高性能的电可擦除和可编程读

只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。

与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造

存取时间为55 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是

取消选择，在CMOS待机电流小于100

该AT28HC64B是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

（续）

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

64K （ 8K ×8 ）

高速

CMOS

与PROM

页写和

软件数据

保护

销刀豆网络gurations

TSOP

顶视图

AT28HC64B

PDIP ， SOIC

顶视图

PLCC

顶视图

注： PLCC封装引脚1和

17顷请勿连接。

0274D

2-267

描述

（续）

写作最多同时64个字节。在写赛扬

第一百，地址和1至64个字节的数据是内部

锁，从而释放地址和数据总线，用于其他操作

系统蒸发散。以下的一个写周期开始，该装置

使用内部自动写入锁存的数据

控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测

I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有

被检测到，用于读出或写入一个新的访问可以开始。

Atmel的AT28HC64B有更多的功能，以确保

高质量和可制造性。该器件采用IN-

延长耐力和im- ternal纠错

已探明的数据保留。一个可选的软件数据保护

化机制，可以防止无意

写道。该装置还包括一个额外的64个字节的

EEPROM设备识别或跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C

存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V

*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市

妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。

这是一个额定值只和功能操作

器件在这些或超出indi-任何其他条件

符在操作部分本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件

长时间可能会影响器件的可靠性。

2-268

AT28HC64B

AT28HC64B

设备操作

阅读：

该AT28HC64B访问就像一个静态RAM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这种双

线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车

争在他们的系统中。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲

或WE低（分别）和OE高启动写赛扬

CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或

WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存

上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已

启动后，它会自动时间本身来完成。一旦

在编程操作已启动，并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是poll-

荷兰国际集团的操作。

页写：

牛逼hepagewriteoperationo fthe

AT28HC64B允许1到64个字节的数据被写入到

在一个单一的内部编程周期的设备。一

以同样的方式作为一个启动页面写操作

字节写;第一个字节被写入后，它可以被请遵循

由1至63个额外的字节钮。每个连续的字节

必须在150装

BLC

）前一字节。

如果T

BLC

超出限制时， AT28HC64B将停止

接受数据，并开始内部编程

操作。页写操作过程中的所有字节必须重新

侧在同一页上的由A6到状态限定

A12输入。对于每一个我们高时低的过渡

页写操作，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节

正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载

并且可在相同的负载周期内改变。只

这是书写指定的字节将被写入;避孕

其他字节的页内埃森骑车不的OC

CUR 。

数据查询：

该AT28HC64B特征的数据Poll-

荷兰国际集团，以指示写周期的结束。在一个字节或

页写周期的最后一个字节的企图读出写入

将导致写入的数据的补码是预

sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，

真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期

可能开始。数据轮询可能在开始期间的任何时间

写周期。

触发位：

我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N G，T ，他

AT28HC64B提供了另一种方法，用于确定

在写入周期结束。在写入操作期间，演替

西伯尝试从设备将导致读出的数据

1和0之间的I / O6切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，并有效的数据将

读取。触发位读数可能开始于在任何时间

写周期。

数据保护：

如果不采取预防措施， inad-

vertent写在主机的转换，可能会发生系

统供电。爱特梅尔已经将硬件

和软件功能，将防止内存

意外写入。

硬件数据保护：

硬件特性

防止意外写入AT28HC64B中

以下方式：（1 ）V

感 - 如果V

低于3.8V

（典型值），写功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8V ，设备将自动

matically时间5毫秒（典型值）允许写入前; （ C）

写保护 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE

抑制高写周期; （四）噪声滤波器 - 少脉冲

超过15纳秒（典型值）的WE或CE的投入，将不会启动

一个写周期。

软件数据保护：

软件 - 控制 -

导致数据保护功能已在实施

AT28HC64B 。当启用时，该软件的数据保护

（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;在AT28HC64B

从爱特梅尔随SDP禁用。

SDP是通过发出一系列的三个写用户启用

在其中的数据的三个特定字节写入命令

三个特定的地址（参见

软件数据

保护算法

图中这个数据表）。令状后

荷兰国际集团的3字节的命令序列，并且等待吨

中，

整个AT28HC64B将受到保护，防止意外

写道。但是应当注意的是，即使在被启用SDP中

用户可能仍然执行字节或页写入到所述

AT28HC64B 。这是通过前述的数据是做

写的用于相同的3字节的命令序列

使SDP 。

一旦设定， SDP仍然有效，除非禁用的COM

命令顺序发出。电源转换不显示

能的SDP ，和SDP过程中保护AT28HC64B

上电和掉电条件。所有的命令SE-

quences必须符合页面写入时序规格

系统蒸发散。在启用和禁用命令的数据SE-

quences实际上没有被写入到器件; AD-他们

衣服可能仍然写在任一字节的用户数据

或页写操作。

SDP设置后，任何试图写入设备与 -

出了3字节的命令序列将开始的内部

写定时器。没有数据被写入但在设备上，。

在t的持续时间

读操作将是有效的

轮询操作。

（续）

2-269

设备操作

（续）

设备标识：

A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度

EEPROM存储器可用来为设备的用户

识别。通过提高A9至12V

0.5V和AD-使用

礼服地点1FC0H到1FFFH ，附加字节

可以以相同的方式写入或读出

常规存储器阵列。

直流和交流工作范围

AT28HC64B-55

操作

温度（外壳）

电源

COM 。

IND 。

10%

0°C - 70°C

AT28HC64B-70

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

AT28HC64B-90

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

AT28HC64B-120

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

10%

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

(1)

H (3)

3. V

= 12.0V

0.5V.

I / O

OUT

高Z

注：1。 X可以是V

或V

2.请参阅

AC写波形

图表

本数据表中。

DC特性

符号

SB1

SB2

注意：

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

融为一体，印第安纳州。

民

最大

100

(1)

0.8

单位

2.0

= 2.1毫安

= -400

2.4

.40

1. I

SB1

我

SB2

为55 ns的部分为40 mA（最大值）。

2-270

AT28HC64B

AT28HC64B

AC阅读特点

AT28HC64B -55 AT28HC64B -70 AT28HC64B -90 AT28HC64B -120

符号参数

加

CE （ 1 ）

OE （2）

DF （3， 4）

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

OE为输出的浮动

输出保持

民

最大

民

最大

民

最大

民

最大

单位

120

AC读波形

(1, 2, 3, 4)

注：1. CE可能会延迟到t

加

- t

该地址后，

没有对T过渡的影响

加

2. OE可能会延迟到t

- t

在下跌后

CE没有对T的影响边缘

或用t

加

- t

地址更改，恕不对T的影响后，

加

3. t

从OE或CE规定，以先到者为准

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

输入测试波形和

测量级别

输出测试负载

, t

＆ LT ;为5ns

引脚电容

中（f = 1MHz时， T = 25℃）

(1)

典型值

OUT

注意：

最大

单位

条件

= 0V

OUT

= 0V

1.此参数的特点，而不是100％测试。

2-271

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大（标准）

2 ms最大（选项 - 参考AT28HC64BF数据表）

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 100 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询和切换位写检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

采用5 V单

±10%

供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

64K （ 8K ×8 ）

高速

并行

与EEPROM

页写和

软件数据

保护

AT28HC64B

1.描述

该AT28HC64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。

与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造

存取时间为55 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是

取消选择，在CMOS待机电流小于100微安。

该AT28HC64B是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时被检测到，一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel的AT28HC64B具有附加功能，以确保高品质和manufactura-

相容性。该器件采用延长耐力和内部纠错

改进的数据保持特性。一个可选的软件数据保护机器人 -

NISM可以防止意外写操作。该装置还包括一个

额外的64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

0274K–PEEPR–8/08

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚PDIP / SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

AT28HC64B

0274K–PEEPR–8/08

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28HC64B

3.框图

VCC

GND

Y译码

地址

输入

X解码器

鉴定

数据输入/输出

I / O0 - I / O7

OE ， CE和WE

逻辑

数据锁存器

输入/输出

缓冲器

Y型GATING

细胞矩阵

4，设备操作

4.1

读

该AT28HC64B访问就像一个静态RAM 。当CE和OE低， WE高，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被上认定的输出

放。的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双

行控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经启动，它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28HC64B的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;第一个字节被写入后，它然后可以后跟163个

附加字节。每个连续的字节必须在150微秒加载（T

BLC

）以前的

字节。如果T

BLC

超出限制时， AT28HC64B将停止接受数据，并开始

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在

由A6的状态至A12输入所定义相同的页面。对于每一个WE高到低转换

页写操作期间，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只是这是个字节

写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

4.4

数据轮询

该AT28HC64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写周期中，写入的最后一个字节的一个尝试读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以随时开始

在写入周期。

0274K–PEEPR–8/08

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28HC64B提供了另一种方法，用于确定端

的一个写周期。在写操作中，连续尝试从设备读取的数据

将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止

来回切换，而有效的数据将被读取。触发位读数可能写入过程中随时开始

周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

防止意外的内存写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入AT28HC64B在以下几个方面：

（一）V

感 - 如果V

低于3.8 V（典型值），写功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8 V时，该装置会自动超时5毫秒（典型值）

之前允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低， CE高任一个或WE高inhib-

它的写周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲

不会启动写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28HC64B得到落实。

当启用时，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP

特征可被启用或由用户禁用;在AT28HC64B从爱特梅尔随

SDP禁用。

SDP通过发出一系列的三个写命令的用户使能在其中的三个具体

数据字节被写入到三个特定地址（参见“软件数据保护

算法“图上

第10页）。

写的3字节的命令序列，并且等待吨后

整个AT28HC64B将受到保护，免遭意外写入。但是应当注意的是

SDP使能连之后，用户仍可以执行一个字节或页写入到AT28HC64B 。

这是通过将数据前完成要被写入由所使用的相同的3字节的命令序列

使SDP 。

一旦设定， SDP仍然有效，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP ， SDP和保护AT28HC64B中电和供电

下来的条件。所有的命令序列必须符合页面写入时序specifica-

系统蒸发散。在启用和禁用命令序列数据实际上没有写进

装置;它们的地址可能仍然写在任一个字节或页写入用户数据

操作。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列

将启动内部写定时器。没有数据被写入但在设备上，。对于持续时间

吨的化

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过

A9提高到12 V

±0.5

V和使用地址位置1FC0H到1FFFH ，附加字节

可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28HC64B

0274K–PEEPR–8/08

AT28HC64B

5.直流和交流工作范围

AT28HC64B-70

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64B-90

-40°C - 85°C

5 V

±10%

AT28HC64B-120

-40°C - 85°C

5 V

±10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1， X可以为VIL或VIH 。

参见第8页上的“AC波形写入” 。

3. VH = 12.0 V± 0.5 V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面.................................- 0.6 V至6.25 V

所有输出电压

相对于地面...........................- 0.6 V到V

+ 0.6 V

在OE和A9电压

相对于地面..................................- 0.6 V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

注意：

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.40

条件

= 0 V到V

+ 1 V

I / O

= 0 V到V

CE = V

- 0.3 V到V

+ 1 V

CE = 2.0 V到V

+ 1 V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

100

(1)

0.8

单位

1. I

SB1

我

SB2

为55 ns的部分为40 mA（最大值）。

0274K–PEEPR–8/08