AT28HC64B
特点
快速读取访问时间 - 55纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为64字节
快速写周期时间
页写周期时间： 10 ms最大
1到64字节页写操作
低功耗
40毫安工作电流
100
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询和切换位写检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力： 100,000次
数据保存： 10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
描述
该AT28HC64B是一个高性能的电可擦除和可编程读
只读存储器（ EEPROM）中。它的内存64K是由8位， 8,192字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件还提供制造
存取时间为55 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是
取消选择，在CMOS待机电流小于100
A.
该AT28HC64B是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许
（续）
引脚名称
A0 - A12
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
64K （ 8K ×8 ）
高速
CMOS
E
2
与PROM
页写和
软件数据
保护
销刀豆网络gurations
TSOP
顶视图
AT28HC64B
PDIP ， SOIC
顶视图
PLCC
顶视图
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0274D
2-267
描述
（续）
写作最多同时64个字节。在写赛扬
第一百，地址和1至64个字节的数据是内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其他操作
系统蒸发散。以下的一个写周期开始，该装置
使用内部自动写入锁存的数据
控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有
被检测到，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
Atmel的AT28HC64B有更多的功能，以确保
高质量和可制造性。该器件采用IN-
延长耐力和im- ternal纠错
已探明的数据保留。一个可选的软件数据保护
化机制，可以防止无意
写道。该装置还包括一个额外的64个字节的
EEPROM设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-268
AT28HC64B
AT28HC64B
设备操作
阅读：
该AT28HC64B访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这种双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争在他们的系统中。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低（分别）和OE高启动写赛扬
CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
启动后，它会自动时间本身来完成。一旦
在编程操作已启动，并为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是poll-
荷兰国际集团的操作。
页写：
牛逼hepagewriteoperationo fthe
AT28HC64B允许1到64个字节的数据被写入到
在一个单一的内部编程周期的设备。一
以同样的方式作为一个启动页面写操作
字节写;第一个字节被写入后，它可以被请遵循
由1至63个额外的字节钮。每个连续的字节
必须在150装
s
(t
BLC
）前一字节。
如果T
BLC
超出限制时， AT28HC64B将停止
接受数据，并开始内部编程
操作。页写操作过程中的所有字节必须重新
侧在同一页上的由A6到状态限定
A12输入。对于每一个我们高时低的过渡
页写操作，A6至A12必须是相同的。
在A0到A5输入指定的页面中哪些字节
正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载
并且可在相同的负载周期内改变。只
这是书写指定的字节将被写入;避孕
其他字节的页内埃森骑车不的OC
CUR 。
数据查询：
该AT28HC64B特征的数据Poll-
荷兰国际集团，以指示写周期的结束。在一个字节或
页写周期的最后一个字节的企图读出写入
将导致写入的数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，
真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始期间的任何时间
写周期。
触发位：
我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N G，T ，他
AT28HC64B提供了另一种方法，用于确定
在写入周期结束。在写入操作期间，演替
西伯尝试从设备将导致读出的数据
1和0之间的I / O6切换。一旦写有
完成后， I / O6将停止切换，并有效的数据将
读取。触发位读数可能开始于在任何时间
写周期。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件数据保护：
硬件特性
防止意外写入AT28HC64B中
以下方式：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V
（典型值） ，写功能受到抑制; （二）V
CC
POWER- ON
延迟 - 一旦V
CC
已达到3.8V ，设备将自动
matically时间5毫秒（典型值）允许写入前; （ C）
写保护 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE
抑制高写周期; （四）噪声滤波器 - 少脉冲
超过15纳秒（典型值）的WE或CE的投入，将不会启动
一个写周期。
软件数据保护：
软件 - 控制 -
导致数据保护功能已在实施
AT28HC64B 。当启用时，该软件的数据保护
（ SDP ） ，将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;在AT28HC64B
从爱特梅尔随SDP禁用。
SDP是通过发出一系列的三个写用户启用
在其中的数据的三个特定字节写入命令
三个特定的地址（参见
软件数据
保护算法
图中这个数据表） 。令状后
荷兰国际集团的3字节的命令序列，并且等待吨
WC
中，
整个AT28HC64B将受到保护，防止意外
写道。但是应当注意的是，即使在被启用SDP中
用户可能仍然执行字节或页写入到所述
AT28HC64B 。这是通过前述的数据是做
写的用于相同的3字节的命令序列
使SDP 。
一旦设定， SDP仍然有效，除非禁用的COM
命令顺序发出。电源转换不显示
能的SDP ，和SDP过程中保护AT28HC64B
上电和掉电条件。所有的命令SE-
quences必须符合页面写入时序规格
系统蒸发散。在启用和禁用命令的数据SE-
quences实际上没有被写入到器件; AD-他们
衣服可能仍然写在任一字节的用户数据
或页写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备与 -
出了3字节的命令序列将开始的内部
写定时器。没有数据被写入但在设备上， 。
在t的持续时间
WC
读操作将是有效的
轮询操作。
（续）
2-269
设备操作
（续）
设备标识：
A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和AD-使用
礼服地点1FC0H到1FFFH ，附加字节
可以以相同的方式写入或读出
常规存储器阵列。
直流和交流工作范围
AT28HC64B-55
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
5V
±
10%
0°C - 70°C
AT28HC64B-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT28HC64B-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT28HC64B-120
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
读
写
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
芯片擦除
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
V
H (3)
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IL
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅
AC写波形
图表
本数据表中。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
融为一体，印第安纳州。
民
最大
10
10
100
(1)
2
(1)
40
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
.40
1. I
SB1
我
SB2
为55 ns的部分为40 mA（最大值） 。
2-270
AT28HC64B
AT28HC64B
AC阅读特点
AT28HC64B -55 AT28HC64B -70 AT28HC64B -90 AT28HC64B -120
符号参数
t
加
t
CE （ 1 ）
t
OE （2）
t
DF （3， 4）
t
OH
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE为输出的浮动
输出保持
0
0
0
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
55
55
30
30
0
0
0
70
70
35
35
0
0
0
90
90
40
40
0
0
0
120
120
50
50
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注：1. CE可能会延迟到t
加
- t
CE
该地址后，
没有对T过渡的影响
加
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
加
- t
OE
地址更改，恕不对T的影响后，
加
.
3. t
DF
从OE或CE规定，以先到者为准
(C
L
= 5 pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
＆ LT ;为5ns
引脚电容
中（f = 1MHz时， T = 25℃）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点，而不是100％测试。
2-271
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