特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 80毫安工作电流
- 3 mA待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
整个军用，商用和工业温度范围
256 （ 32K ×8 ）
快速
并行
EEPROM
AT28HC256
描述
该AT28HC256是一个高性能的电可擦除和可编程读
只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造
捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术， AT28HC256报价
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
TSOP
顶视图
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
LCC ， PLCC
顶视图
A7
A12
A14
DC
VCC
WE
A13
陶瓷浸渍， PDIP ， FLATPACK
顶视图
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PGA
顶视图
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
牧师0007I -九十九分之一十二
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
1
存取时间为70 ns的与刚刚功耗
440毫瓦。当AT28HC256被取消，待机
电流小于5毫安。
该AT28HC256就像在读一个静态RAM访问
或写周期，而无需外部元件。
该器件包含一个64字节页寄存器允许写入
多达64个字节同时进行。在写周期期间，在
地址和数据的164个字节被内部地锁存，
释放地址和数据总线，用于其它操作。
以下的一个写周期开始，该设备将自动
matically使用内部控制写入锁存的数据
定时器。在写入周期结束时可以通过数据来检测
我轮询/ O
7
。一旦写周期结束时一直
检测到的读或写操作可以开始新的访问。
Atmel的28HC256具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的数据纠错
保持特性。一个可选的软件数据保护
化机制，可以防止无意
写道。该装置还包括一个额外的64个字节的
EEPROM设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28HC256
AT28HC256
设备操作
阅读：
该AT28HC256访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止总线CON-
张力在他们的系统。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低（分别地）和OE高启动一个写周期。
的地址被锁存的CE或WE的下降沿，
为准过去。该数据由第一崛起锁存
CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已经开始了它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
W C
，一个读操作将有效是轮询
操作。
页写：
的页写操作
AT28HC256允许数据的164个字节将被写入
在一个单一的内部编程周期的设备。一
以同样的方式作为一个启动页面写操作
字节写;写入的第一个字节之后可被1至
63的附加字节。每个连续的字节必须被写入
在150微秒（T
BLC
）前一字节。如果T
BLC
极限
超标AT28C256将停止接受数据，并
开始内部编程操作。所有字节
一个页中的写操作必须驻留在同一个
A14输入 - 由A6的状态定义页面。即，
对于我们每前高后低过渡时期页写
操作，A6 - A14必须是相同的。
在A0到A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令，并且可以在相同的负载周期内改变。只
这是书写指定的字节将被写入;避孕
其他字节埃森循环内页不
发生。
数据查询：
该AT28HC256具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码被呈现
在I / O
7
。一旦写周期已经完成，真
数据是对所有的输出有效，并且在下一个写周期可以
开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时
周期。
触发位：
除了数据投票的AT28HC256
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备中读取数据会导致I / O
6
切换
间为1和0 。一旦写入完成后， I / O的
6
将停止切换，有效的数据将被读取。检验
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写入任何5伏仅非易失性存储器可
发生主机系统电源的转换过程中。
爱特梅尔已经将硬件和软件为特色的
Tures的，将保护存储抵制不慎
写道。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28HC256在后续
荷兰国际集团的方式：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V （典型值）
写功能受到抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一次
V
CC
已达到3.8V时，设备会自动超时
允许写入前5毫秒典型值） ; （三）禁止写入 - 相应固定
荷兰国际集团OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写
周期;及（d）噪声滤波器 - 小于15纳秒的脉冲（典型
CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
软件控制
数据保护功能已在实施
AT28HC256 。当启用时，该软件的数据保护
（ SDP ） ，将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;该AT28HC256是
爱特梅尔随SDP禁用。
SDP是由主机系统发出一系列三个启用
写命令;数据的三个特定字节写入
三个具体地址（请参阅“软件数据保护
灰“算法）。写的3字节的命令后
序列和T后
WC
整个AT28HC256会亲
tected防止意外写操作。它应该是
注意的是，一旦受保护主机仍可能执行一个字节
或页面写入AT28HC256 。这是通过前述完成
将要写入的数据通过相同的3字节命令
序列。
一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM
命令顺序发出。电源转换不禁止
SDP和SDP将保护电期间的AT28HC256
和断电条件。所有的命令序列必须
顺应页写时序规范。它应该
还应当注意，在数据使能和禁用的COM
命令序列不写入设备和MEM-
该序列中使用的储器地址可以写入
在任一个字节或页写操作的数据。
SDP设置后，任何试图写入设备，不
三个字节的命令序列将开始的内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;不过，
在t的持续时间
WC
读操作将是有效的
轮询操作。
设备标识：
一个额外的64字节的EEPROM
存储器可用来对装置标识该用户。
通过提高A9至12V
±
0.5V和使用地址位置
7FC0H到7FFFH中的附加字节可以被写入或
从以相同的方式读出作为常规存储器
数组。
可选的芯片擦除模式：
可以将整个装置
通过一个6字节的软件代码被删除。请参见“软
洁具芯片擦除“应用指南的详细信息。
3
QQ：2881677436 复制
