【特点快速读取访问时间 - 70纳秒自动页写操作- 内部地址和数据锁存为64字节内部控制定时器快速写周】,IC型号AT28HC256F-12PI,AT28HC256F-12PI PDF资料,AT28HC256F-12PI经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 80毫安工作电流

- 3 mA待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10

或10

周期

- 数据保存：10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

充分的军事和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

256 （ 32K ×8 ）

快速

并行

EEPROM

AT28HC256

1.描述

该AT28HC256是一个高性能的电可擦可编程只读

只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造

捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术， AT28HC256报价

访问时间70 ns的只有440毫瓦的功率耗散。当AT28HC256

取消选择时，待机电流小于5毫安。

该AT28HC256是像用于读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和164个

数据的字节被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他能操作

ations 。以下的一个写周期开始，该装置将自动写入

使用一个内部的定时器控制锁存的数据。可以检测的一个写周期的结束

通过I / O7数据轮询。一旦写周期结束时已经检测到一个新的

访问用于读出或写入可以开始。

Atmel的28HC256具有附加功能，以确保高品质和可制造性。

该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制

可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的

64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

0007L–PEEPR–03/08

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.1

28引脚TSOP顶视图

A11

A13

VCC

A14

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

2.3

32垫LCC ， 32引脚PLCC顶视图

A12

A14

VCC

A13

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.2

28引脚PGA顶视图

2.4

28引脚CERDIP / PDIP /扁平/ SOIC -

顶视图

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

AT28HC256

0007L–PEEPR–03/08

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28HC256

3.框图

4，设备操作

4.1

读

该AT28HC256访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始了它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28HC256的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1 63个额外的

字节。每个连续的字节必须写在150微秒（T

BLC

）前一字节。如果

BLC

超出限制的AT28C256将停止接受数据，并开始内部

编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

A14输入 - 由A6的状态定义。也就是说，对于我们每前高后低过渡很好地协同

荷兰国际集团的页写操作，A6 - A14必须是相同的。

将A0至A5输入用于指定页内的哪些字节要被写。该

字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节

这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环

页也不会发生。

4.4

数据轮询

该AT28HC256设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以开始随时

在写入周期。

0007L–PEEPR–03/08

4.5

切换位

除了数据投票的AT28HC256提供了另一种方法，用于确定端

的一个写周期。在写操作中，连续尝试从设备读取的数据

将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止

触发和有效的数据将被读取。测试的触发位可以开始于在任何时间

写周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，意外写入任何5伏，只非易失性存储器可以

发生主机系统电源的转换过程中。爱特梅尔

已经将两者硬

洁具及软件功能，可以保护内存防止意外写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入以下方式AT28HC256 ：

（一）V

感 - 如果V

低于3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8V时，设备会自动超时前5毫秒典型值）

允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写

周期;及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会

发起一个写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28HC256得到落实。

当启用时，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP

特征可被启用或由用户禁用;在AT28HC256从爱特梅尔随

SDP禁用。

SDP是由主机系统发出一系列的三个写命令使能;三个具体

数据字节写入三个具体地址（请参阅“软件数据保护” algo-

rithm ）。写的3字节的命令序列和叔之后后

整个AT28HC256会

防止意外的写入操作。应当指出，一旦受保护的主机

仍然可以执行字节或页面写入AT28HC256 。这是通过将数据前要进行

被写入的相同的3字节的命令序列。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非在发出禁止命令序列。动力

过渡不要禁用SDP和SDP将保护电期间的AT28HC256和

掉电条件。所有的命令序列必须符合页面写入时序光谱

ifications 。还应当指出的是，在启用和禁用命令序列的数据

不被写入到设备并在序列中所用的存储器地址可以写入

以在任一字节或页写操作的数据。

SDP设置后，任何试图写入设备，而不三个字节的命令

序列将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于

吨的持续时间

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过

A9提高至12V

0.5V和使用地址位置7FC0H到7FFFH的额外字节

可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

4.8

可选芯片擦除模式

整个设备可以使用一个6字节的软件代码被删除。请参阅“软件芯片

删除“应用指南的详细信息。

AT28HC256

0007L–PEEPR–03/08

AT28HC256

5.直流和交流工作范围

AT28HC256-70

操作

温度（外壳）

电源

IND 。

米尔。

10%

-40°C - 85°C

AT28HC256-90

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

AT28HC256-12

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注：1。 X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流TTL

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 6.0毫安

= -4毫安

2.4

2.0

0.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = 2.0V至V

CE = V

- 0.3V至V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

AT28HC256-90 ， -12

AT28HC256-70

AT28HC256-90 ， -12

民

最大

300

0.8

单位

0007L–PEEPR–03/08

AT28HC256

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大

1到64字节页写操作

低功耗

80毫安工作电流

3毫安待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

耐力： 10

或10

周期

数据保存： 10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

整个军用，商用和工业温度范围

256 （ 32K ×8 ）

高速

CMOS

舞会

描述

该AT28HC256是一个高性能的电可擦除可编程

只读存储器。它的内存256K是由8位， 32,768字。

与Atmel先进的非易失性CMOS技术， AT28HC256制造

提供存取时间为70 ns的只有440毫瓦的功耗。当

AT28HC256被选中，待机电流小于5毫安。

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

TSOP

顶视图

AT28HC256

数据输入/输出

无连接

不连接

PGA

顶视图

陶瓷浸渍， PDIP ，

扁平

顶视图

LCC ， PLCC

顶视图

注： PLCC封装引脚1和

17顷请勿连接。

0007F

2-279

描述

（续）

该AT28HC256就像是为一个静态RAM访问

读或写周期，而无需外部元件

堂费。该器件包含一个64字节的页寄存器AL-

到的低写入同时64个字节。在一

写周期，地址和1至64个字节的数据在 -

ternally锁存，从而释放地址和数据总线，用于

其他操作。以下的一个写周期开始，

该装置将使用自动写入锁存数据

内部控制计时器。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一次写入的端

周期已被检测用于读出一个新的访问或写

可以开始了。

Atmel的28HC256具有附加功能，以确保高

质量和可制造性。该器件采用内部

延长耐力和改进的纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据

保护机制可以防止inad-

vertent写道。该装置还包括一个额外的64个字节

的E

PROM设备识别和跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C

存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V

*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市

妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。

这是一个额定值只和功能操作

器件在这些或超出indi-任何其他条件

符在操作部分本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件

长时间可能会影响器件的可靠性。

2-280

AT28HC256

AT28HC256

设备操作

阅读：

该AT28HC256访问就像一个静态RAM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双

线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车

争用在他们的系统。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲

或WE低（分别）和OE高启动写赛扬

CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或

WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存

上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已

开始它会自动时间本身来完成。一旦

在编程操作已启动，并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是poll-

荷兰国际集团的操作。

页写：

牛逼hepagewriteoperationo fthe

AT28HC256允许1到64个字节的数据被写入到

在一个单一的内部编程周期的设备。一

以同样的方式作为一个启动页面写操作

字节写;写入的第一个字节之后可通过1

到63的附加字节。每个连续的字节必须令状

在150 10

BLC

）前一字节。如果T

BLC

超出限制的AT28C256将停止接受数据

并开始在内部编程操作。所有

页写操作必须驻留在期间字节

A14输入 - 由A6的状态定义相同的页面。

也就是说，对于我们每前高后低过渡页面中

写操作时， A6 - A14必须是相同的。

在A0到A5输入用于指定字节以内

页面是将被写入。该字节可以在任何被加载

命令，并且可以在相同的负载周期内改变。

只有那些书写指定的字节将被写入;

其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

数据查询：

该AT28HC256具有数据查询

来表示一个写周期的结束。在一个字节或页

写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读

结果，在写入数据的补码是预

sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，

真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期

可能开始。数据轮询可能在开始随时

写周期。

触发位：

我N A D D I T I O N t个O数据P 2 O L L I N克叔 é

AT28HC256提供了另一种方法，用于确定

在写入周期结束。在写入操作期间，演替

西伯尝试从设备将导致读出的数据

1和0之间的I / O6切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，有效的数据将

读取。测试的触发位可以在随时开始

写周期。

数据保护：

如果不采取预防措施， inad-

vertent写入任何5伏仅非易失性存储器可

发生主机系统电源的转换过程中。

爱特梅尔已经将硬件和软件为特色的

Tures的，将保护存储抵制不慎

写道。

硬件保护：

硬件保护功能

防止意外写入AT28HC256在后续

荷兰国际集团的方式：（1 ）V

感 - 如果V

低于3.8V （典型值）

写功能受到抑制; （二）V

上电延时 - 一次

已自动时间达到3.8V时，设备将

允许写入前5毫秒典型值）：（三）写禁止 -

控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高

写周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒的脉冲（典型

CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护：

软件控制

数据保护功能已在实施

AT28HC256 。当启用时，该软件的数据保护

（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;在AT28HC256

从爱特梅尔随SDP禁用。

SDP是由主机系统发出一系列的启用

三个写命令;数据的三个特定的字节是

写入到三个具体地址（请参考软件数据

保护算法）。写的3字节的命令后

序列和T后

整个AT28HC256会亲

tected防止意外写操作。它应该是

注意的是，一旦受保护主机仍可能执行

字节或页写入AT28HC256 。这是通过预先进行

分出的数据将被写入由相同的3字节命令

序列。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM

命令顺序发出。电源转换不显示

能与SDP SDP将在保护AT28HC256

上电和掉电条件。所有的命令SE-

quences必须符合页面写入时序规格

系统蒸发散。还应当指出的是，在数据使能

和禁用命令序列不写入到设备

副与该序列中所用的存储器地址

可被写入与在任一字节或页写入数据OP-

累加器。

SDP设置后，任何试图写入设备与 -

在三个字节的命令序列将启动跨

最终写入定时器。没有数据将被写入到设备;然而

以往，对于T的持续时间

读操作将effec-

tively是轮询操作。

（续）

2-281

设备操作

（续）

设备标识：

A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度

PROM存储器可用来为设备的用户

识别。通过提高A9至12V

0.5V和AD-使用

礼服地点7FC0H到7FFFH额外的字节可能

以相同的方式被写入或读出，从作为稳压

拉尔存储器阵列。

可选的芯片擦除模式：

可以将整个装置

通过一个6字节的软件代码被删除。请参阅软

洁具芯片擦除应用笔记的详细信息。

直流和交流工作范围

AT28HC256-70

操作

温度（外壳）

电源

COM 。

IND 。

米尔。

10%

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

AT28HC256-90

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

AT28HC256-12

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

(1)

H (3)

3. V

= 12.0V

0.5V.

I / O

OUT

高Z

注：1。 X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

DC特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流TTL

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 6.0毫安

= -4毫安

2.4

2.0

.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = 2.0V至V

+ 1V

CE = -3.0V到V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

AT28HC256-90 ， -12

AT28HC256-70

AT28HC256-90 ， -12

民

最大

300

0.8

单位

2-282

AT28HC256

AT28HC256

AC阅读特点

AT28HC256-70

符号

加

CE （ 1 ）

OE （2）

DF （3， 4）

参数

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

CE或OE到输出的浮动

从OE ，CE输出保持或

地址为准发生

第一次

民

最大

AT28C256-90

民

最大

AT28HC256-12

民

最大

单位

120

AC读波形

(1, 2, 3, 4)

注：1. CE可能会延迟到t

加

- t

该地址后，

没有对T过渡的影响

加

2. OE可能会延迟到t

- t

在下跌后

CE没有对T的影响边缘

或用t

加

- t

地址更改，恕不对T的影响后，

加

3. t

从OE或CE规定以先到为准

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

输入测试波形和

测量级别

输出测试负载

, t

＆ LT ; 5纳秒

引脚电容

中（f = 1MHz时， T = 25℃）

(1)

典型值

OUT

注意：

最大

单位

条件

= 0V

OUT

= 0V

1.此参数的特点，而不是100％测试。

2-283

特点

快速读取访问时间 - 70纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 80毫安工作电流

- 3 mA待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10

或10

周期

- 数据保存：10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

整个军用，商用和工业温度范围

256 （ 32K ×8 ）

高速

并行

EEPROM的

AT28HC256

描述

该AT28HC256是一个高性能的电可擦除可编程

只读存储器。它的内存256K是由8位， 32,768字。 MAN-

制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS技术， AT28HC256

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

TSOP

顶视图

A11

A13

VCC

A14

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

LCC ， PLCC

顶视图

A12

A14

VCC

A13

CERDIP PDIP FLATPACK

顶视图

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

PGA

顶视图

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

牧师0007G -九十八分之一十

注： PLCC封装引脚1和

17顷请勿连接。

提供存取时间为70 ns的与刚刚功耗

440毫瓦。当AT28HC256被取消，待机

电流小于5毫安。

该AT28HC256就像在读一个静态RAM访问

或写周期，而无需外部元件。

该器件包含一个64字节页寄存器允许写入

多达64个字节同时进行。在写周期期间，在

地址和数据的164个字节被内部地锁存，

释放地址和数据总线，用于其它操作。

以下的一个写周期开始，该设备将自动

matically使用内部控制写入锁存的数据

定时器。在写入周期结束时可以通过数据来检测

我轮询/ O

。一旦写周期结束时一直

检测到的读或写操作可以开始新的访问。

Atmel的28HC256具有附加功能，以确保高

质量和可制造性。该器件采用内部

延长耐力和改进的数据纠错

保持特性。一个可选的软件数据保护

化机制，可以防止无意

写道。该装置还包括一个额外的64个字节的

EEPROM设备识别或跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

AT28HC256

AT28HC256

设备操作

阅读：

该AT28HC256访问就像一个静态RAM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双

线控制为设计人员提供灵活性，防止总线CON-

张力在他们的系统。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲

或WE低（分别地）和OE高启动一个写周期。

的地址被锁存的CE或WE的下降沿，

为准过去。该数据由第一崛起锁存

CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已经开始了它

会自动时间本身来完成。一旦亲

编程操作已启动，该时间

的t

，读操作将有效地成为一个轮询操作

化。

页写：

的页写操作

AT28HC256允许数据的164个字节将被写入

在一个单一的内部编程周期的设备。一

以同样的方式作为一个启动页面写操作

字节写;写入的第一个字节之后可被1至

63的附加字节。每个连续的字节必须被写入

150内

BLC

）前一字节。如果T

BLC

极限

超标AT28C256将停止接受数据，并

开始内部编程操作。所有字节

一个页中的写操作必须驻留在同一个

A14输入 - 由A6的状态定义页面。即，

对于我们每前高后低过渡时期页写

操作，A6 - A14必须是相同的。

在A0到A5输入用于指定字节以内

页面是将被写入。该字节可以在任何被加载

命令，并且可以在相同的负载周期内改变。只

这是书写指定的字节将被写入;避孕

其他字节埃森循环内页不

发生。

数据查询：

该AT28HC256具有数据查询

来表示一个写周期的结束。在一个字节或页

写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读

结果，在写入数据的补码被呈现

在I / O

。一旦写周期已经完成，真

数据是对所有的输出有效，并且在下一个写周期可以

开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时

周期。

触发位：

除了数据投票的AT28HC256

提供了另一种方法，用于确定写操作的结束

周期。在写操作中，连续尝试

从设备中读取数据会导致I / O

切换

间为1和0 。一旦写入完成后， I / O的

将停止切换，有效的数据将被读取。检验

触发位可以在写周期开始，在任何时间。

数据保护：

如果不采取预防措施， inad-

vertent写入任何5伏仅非易失性存储器可

发生主机系统电源的转换过程中。

爱特梅尔已经将硬件和软件为特色的

Tures的，将保护存储抵制不慎

写道。

硬件保护：

硬件保护功能

防止意外写入AT28HC256在后续

荷兰国际集团的方式：（1 ）V

某种意义上，如果V

低于3.8V （典型值）

写功能受到抑制; （二）V

上电延时一次

已达到3.8V时，设备会自动超时

允许写入前5毫秒典型值） ; （三）写禁止，相应固定

荷兰国际集团OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写

周期;及（d）噪声滤波器的脉冲小于15纳秒（典型

CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护：

软件控制

数据保护功能已在实施

AT28HC256 。当启用时，该软件的数据保护

（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;该AT28HC256是

爱特梅尔随SDP禁用。

SDP是由主机系统发出一系列三个启用

写命令;数据的三个特定字节写入

三个具体地址（请参考软件数据保护

算法）。写的3字节的命令序列后

和T后

整个AT28HC256将得到保护

防止意外写操作。应当指出，

一旦受保护的主机仍然可以执行字节或

页面写入AT28HC256 。这是通过前述完成

将要写入的数据通过相同的3字节命令

序列。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM

命令顺序发出。电源转换不禁止

SDP和SDP将保护电期间的AT28HC256

和断电条件。所有的命令序列必须

顺应页写时序规范。它应该

还应当注意，在数据使能和禁用的COM

命令序列不写入设备和MEM-

该序列中使用的储器地址可以写入

在任一个字节或页写操作的数据。

SDP设置后，任何试图写入设备，不

三个字节的命令序列将开始的内部

写定时器。没有数据将被写入到设备;不过，

在t的持续时间

读操作将是有效的

轮询操作。

设备标识：

一个额外的64字节的EEPROM

存储器可用来对装置标识该用户。

通过提高A9至12V

0.5V和使用地址位置

7FC0H到7FFFH中的附加字节可以被写入或

从以相同的方式读出作为常规存储器

数组。

可选的芯片擦除模式：

可以将整个装置

通过一个6字节的软件代码被删除。请参阅软

洁具芯片擦除应用笔记的详细信息。

直流和交流工作范围

AT28HC256-70

COM 。

操作

温度（外壳）

电源

IND 。

米尔。

10%

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

AT28HC256-90

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

AT28HC256-12

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V

0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

DC特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流TTL

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 6.0毫安

= -4毫安

2.4

2.0

0.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

AT28HC256-90 ， -12

CE = 2.0V至V

+ 1V

CE = -3.0V到V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

AT28HC256-70

AT28HC256-90 ， -12

民

最大

300

0.8

单位

AT28HC256

AT28HC256

AC阅读特点

AT28HC256-70

符号

加

CE(1)

OE(2)

DF(3)(4)

参数

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

CE或OE到输出的浮动

从OE ， CE或地址输出保持，

以先发生

民

最大

AT28C256-90

民

最大

AT28HC256-12

民

最大

120

单位

AC读波形

(1)(2)(3)(4)

注意事项：

1. CE可能会延迟到t

加

- t

没有对T的影响地址转换后，

加

2. OE可能会延迟到t

- t

CE没有对T的影响下降沿后

或用t

加

- t

地址变更后

没有对T的影响

加

3. t

从OE或以先到为准CE （C规定

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

输入测试波形和

测量级别

输出测试负载

, t

＆ LT ; 5纳秒

引脚电容

F = 1MHz时， T = 25℃

(1)

符号

OUT

注意：

典型值

最大

单位

条件

= 0V

OUT

= 0V

1.此参数的特点，而不是100％测试。