AT28C256
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大
1到64字节页写操作
低功耗
50毫安工作电流
200
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力： 10
4
或10
5
周期
数据保存： 10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
整个军用，商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
分页
CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28C256是一个高性能的电可擦除和可编程只读
只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造
捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入
倍至150 ns的只有440毫瓦的功耗。当设备被取消，
在CMOS待机电流小于200
A.
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
TSOP
顶视图
AT28C256
PGA
顶视图
LCC ， PLCC
顶视图
陶瓷浸渍， PDIP ，
FLATPACK ， SOIC
顶视图
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0006F
2-217
描述
（续）
该AT28C256是像读一个静态RAM访问
或写周期，而无需外部元件。
该器件包含一个64字节页寄存器允许令状
ING同时多达64个字节。在写周期期间，
的地址和1至64个字节的数据是内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其他操作
系统蒸发散。以下的一个写周期开始，该装置
使用内部自动写入锁存的数据
控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有
被检测为读一个新的访问或写可以开始。
Atmel的28C256具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的纠错
数据保持特性。一个可选的软件数据
保护机制可以防止inad-
vertent写道。该装置还包括一个额外的64个字节
的E
2
PROM设备识别和跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-218
AT28C256
AT28C256
设备操作
阅读：
AT28C256的访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车
争用在他们的系统。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低（分别）和OE高启动写赛扬
CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
开始它会自动时间本身来完成。一旦
在编程操作已启动，并为
吨的持续时间
WC
，一个读操作将有效是poll-
荷兰国际集团的操作。
页写：
该AT28C256的页写操作
允许1到64个字节的数据被写入到器件
在一个单一的内部编程周期。页写
开始以相同的方式作为一个字节的写操作;
写入的第一个字节之后可被1 63个额外
tional字节。每个连续的字节必须写在
150
s
(t
BLC
）前一字节。如果T
BLC
极限是EX-
超过容许的AT28C256将停止接受数据的COM和
mence内部编程操作。所有字节很好地协同
荷兰国际集团页写操作必须驻留在同一页上
A14输入 - 由A6的状态定义。对于每一个
WE高到页写操作过程中低过渡，
A6 - A14必须是相同的。
在A0到A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令，并且可以在相同的负载周期内改变。
只有那些书写指定的字节将被写入;
其他字节的页面中不必要的循环呢
不会发生。
数据查询：
该AT28C256具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，
真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始随时
写周期。
触发位：
除了数据投票的AT28C256
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6切换BE-
吐温1和0 。一旦写入完成后， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28C256在后续
荷兰国际集团的方式：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V （典型值）
写功能受到抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一次
V
CC
已自动时间达到3.8V时，设备将
5毫秒（典型值）允许在写入前： （ C）写入禁止 -
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
写周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒的脉冲（典型
CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
软件控制
数据保护功能已在实施
AT28C256 。当启用时，该软件的数据保护
（ SDP ） ，将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;该AT28C256是
爱特梅尔随SDP禁用。
SDP是由主机系统发出一系列的启用
三个写命令;数据的三个特定的字节是
写入到三个具体地址（请参考软件数据
保护算法） 。写的3字节的命令后
序列和T后
WC
整个AT28C256会亲
tected防止意外写操作。它应该是
注意的是，一旦受保护主机仍可能执行
字节或页写入AT28C256 。这是通过预先进行
分出的数据将被写入由相同的3字节命令
序用于使能的SDP 。
一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM
命令顺序发出。电源转换不显示
能与SDP SDP将在保护AT28C256
上电和掉电条件。所有的命令SE-
quences必须符合页面写入时序规格
系统蒸发散。在启用和禁用命令的数据SE-
quences不写入设备和RAM地址
在序列中所用的衣服可被写入与数据
无论是一个字节或页面写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备与 -
出了3字节的命令序列将开始的内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;不过，
在t的持续时间
WC
读操作将是有效的
轮询操作。
（续）
2-219
设备操作
（续）
设备标识：
A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和AD-使用
礼服地点7FC0H到7FFFH额外的字节可能
以相同的方式被写入或读出，从作为稳压
拉尔存储器阵列。
可选的芯片擦除模式：
可以将整个装置
通过一个6字节的软件代码被删除。请参阅软
洁具芯片擦除应用笔记的详细信息。
直流和交流工作范围
AT28C256-15
COM 。
操作
温度（外壳）
V
CC
电源
IND 。
米尔。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C256-20
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C256-25
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-55°C - 125°C
5V
±
10%
-55°C - 125°C
5V
±
10%
AT28C256-35
操作模式
模式
读
写
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
芯片擦除
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
V
H (3)
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
V
IL
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
2.0
.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
融为一体，印第安纳州。
米尔。
民
最大
10
10
200
300
3
50
0.8
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
2-220
AT28C256
AT28C256
AC阅读特点
AT28C256-15 AT28C256-20 AT28C256-25 AT28C256-35
符号
t
加
t
CE （ 1 ）
t
OE （2）
t
DF （3， 4）
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE ，CE输出保持或
地址为准
第一次发生
0
0
0
民
最大
民
最大
民
最大
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
150
150
70
50
0
0
0
200
200
80
55
0
0
0
250
250
100
60
0
0
0
350
350
100
70
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注：1. CE可能会延迟到t
加
- t
CE
该地址后，
没有对T过渡的影响
加
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
加
- t
OE
地址更改，恕不对T的影响后，
加
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
＆ LT ;为5ns
引脚电容
中（f = 1MHz时， T = 25℃）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点，而不是100％测试。
2-221
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