【AT28C256特点快速读取访问时间 - 150纳秒自动页写操作内部地址和数据锁存为64字节内部控制】,IC型号AT28C256F-15DM/883,AT28C256F-15DM/883 PDF资料,AT28C256F-15DM/883经销商,ic,电子元器件-51电子网

AT28C256

特点

快速读取访问时间 - 150纳秒

自动页写操作

内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大

1到64字节页写操作

低功耗

50毫安工作电流

200

CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

耐力： 10

或10

周期

数据保存： 10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

整个军用，商用和工业温度范围

256K （ 32K ×8 ）

分页

CMOS

舞会

描述

该AT28C256是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造

捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入

倍至150 ns的只有440毫瓦的功耗。当设备被取消，

在CMOS待机电流小于200

（续）

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

TSOP

顶视图

AT28C256

PGA

顶视图

LCC ， PLCC

顶视图

陶瓷浸渍， PDIP ，

FLATPACK ， SOIC

顶视图

注： PLCC封装引脚1和

17顷请勿连接。

0006F

2-217

描述

（续）

该AT28C256是像读一个静态RAM访问

或写周期，而无需外部元件。

该器件包含一个64字节页寄存器允许令状

ING同时多达64个字节。在写周期期间，

的地址和1至64个字节的数据是内部

锁，从而释放地址和数据总线，用于其他操作

系统蒸发散。以下的一个写周期开始，该装置

使用内部自动写入锁存的数据

控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测

I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有

被检测为读一个新的访问或写可以开始。

Atmel的28C256具有附加功能，以确保高

质量和可制造性。该器件采用内部

延长耐力和改进的纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据

保护机制可以防止inad-

vertent写道。该装置还包括一个额外的64个字节

的E

PROM设备识别和跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C

存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V

*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市

妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。

这是一个额定值只和功能操作

器件在这些或超出indi-任何其他条件

符在操作部分本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件

长时间可能会影响器件的可靠性。

2-218

AT28C256

AT28C256

设备操作

阅读：

AT28C256的访问就像一个静态RAM 。

当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储

在由地址引脚确定的存储位置是

上认定的输出。的输出被放置在高

阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双

线控制为设计人员提供灵活性，防止公交车

争用在他们的系统。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲

或WE低（分别）和OE高启动写赛扬

CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或

WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存

上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已

开始它会自动时间本身来完成。一旦

在编程操作已启动，并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是poll-

荷兰国际集团的操作。

页写：

该AT28C256的页写操作

允许1到64个字节的数据被写入到器件

在一个单一的内部编程周期。页写

开始以相同的方式作为一个字节的写操作;

写入的第一个字节之后可被1 63个额外

tional字节。每个连续的字节必须写在

150

BLC

）前一字节。如果T

BLC

极限是EX-

超过容许的AT28C256将停止接受数据的COM和

mence内部编程操作。所有字节很好地协同

荷兰国际集团页写操作必须驻留在同一页上

A14输入 - 由A6的状态定义。对于每一个

WE高到页写操作过程中低过渡，

A6 - A14必须是相同的。

在A0到A5输入用于指定字节以内

页面是将被写入。该字节可以在任何被加载

命令，并且可以在相同的负载周期内改变。

只有那些书写指定的字节将被写入;

其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

数据查询：

该AT28C256具有数据查询

来表示一个写周期的结束。在一个字节或页

写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读

结果，在写入数据的补码是预

sented在I / O7 。一旦写周期已经完成，

真正的数据是在所有输出有效，并且在下一个写周期

可能开始。数据轮询可能在开始随时

写周期。

触发位：

除了数据投票的AT28C256

提供了另一种方法，用于确定写操作的结束

周期。在写操作中，连续尝试

从设备读取数据会导致I / O6切换BE-

吐温1和0 。一旦写入完成后， I / O6

将停止切换，有效的数据将被读取。读

触发位可以在写周期开始，在任何时间。

数据保护：

如果不采取预防措施， inad-

vertent写在主机的转换，可能会发生系

统供电。爱特梅尔已经将硬件

和软件功能，将防止内存

意外写入。

硬件保护：

硬件保护功能

防止意外写入AT28C256在后续

荷兰国际集团的方式：（1 ）V

感 - 如果V

低于3.8V （典型值）

写功能受到抑制; （二）V

上电延时 - 一次

已自动时间达到3.8V时，设备将

5毫秒（典型值）允许在写入前：（ C）写入禁止 -

控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高

写周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒的脉冲（典型

CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护：

软件控制

数据保护功能已在实施

AT28C256 。当启用时，该软件的数据保护

（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;该AT28C256是

爱特梅尔随SDP禁用。

SDP是由主机系统发出一系列的启用

三个写命令;数据的三个特定的字节是

写入到三个具体地址（请参考软件数据

保护算法）。写的3字节的命令后

序列和T后

整个AT28C256会亲

tected防止意外写操作。它应该是

注意的是，一旦受保护主机仍可能执行

字节或页写入AT28C256 。这是通过预先进行

分出的数据将被写入由相同的3字节命令

序用于使能的SDP 。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM

命令顺序发出。电源转换不显示

能与SDP SDP将在保护AT28C256

上电和掉电条件。所有的命令SE-

quences必须符合页面写入时序规格

系统蒸发散。在启用和禁用命令的数据SE-

quences不写入设备和RAM地址

在序列中所用的衣服可被写入与数据

无论是一个字节或页面写操作。

SDP设置后，任何试图写入设备与 -

出了3字节的命令序列将开始的内部

写定时器。没有数据将被写入到设备;不过，

在t的持续时间

读操作将是有效的

轮询操作。

（续）

2-219

设备操作

（续）

设备标识：

A N E X吨R A 6 4 - B Y形吨（E S）华氏度

PROM存储器可用来为设备的用户

识别。通过提高A9至12V

0.5V和AD-使用

礼服地点7FC0H到7FFFH额外的字节可能

以相同的方式被写入或读出，从作为稳压

拉尔存储器阵列。

可选的芯片擦除模式：

可以将整个装置

通过一个6字节的软件代码被删除。请参阅软

洁具芯片擦除应用笔记的详细信息。

直流和交流工作范围

AT28C256-15

COM 。

操作

温度（外壳）

电源

IND 。

米尔。

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

AT28C256-20

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

AT28C256-25

0°C - 70°C

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

-55°C - 125°C

10%

AT28C256-35

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

(1)

H (3)

3. V

= 12.0V

0.5V.

I / O

OUT

高Z

注：1。 X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

DC特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400

2.4

2.0

.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

融为一体，印第安纳州。

米尔。

民

最大

200

300

0.8

单位

2-220

AT28C256

AT28C256

AC阅读特点

AT28C256-15 AT28C256-20 AT28C256-25 AT28C256-35

符号

加

CE （ 1 ）

OE （2）

DF （3， 4）

参数

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

CE或OE到输出的浮动

从OE ，CE输出保持或

地址为准

第一次发生

民

最大

民

最大

民

最大

民

最大

单位

150

200

250

100

350

100

AC读波形

(1, 2, 3, 4)

注：1. CE可能会延迟到t

加

- t

该地址后，

没有对T过渡的影响

加

2. OE可能会延迟到t

- t

在下跌后

CE没有对T的影响边缘

或用t

加

- t

地址更改，恕不对T的影响后，

加

3. t

从OE或CE规定以先到为准

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

输入测试波形和

测量级别

输出测试负载

, t

＆ LT ;为5ns

引脚电容

中（f = 1MHz时， T = 25℃）

(1)

典型值

OUT

注意：

最大

单位

条件

= 0V

OUT

= 0V

1.此参数的特点，而不是100％测试。

2-221

特点

快速读取访问时间 - 150纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 3毫秒或10毫秒最大

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 50毫安工作电流

- 200 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10

或10

周期

- 数据保存：10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

充分的军事和工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

256K （ 32K ×8 ）

分页并行

EEPROM

AT28C256

1.描述

该AT28C256是一个高性能的电可擦可编程只读

只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造

捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入

倍至150 ns的只有440毫瓦的功耗。当设备被取消，

在CMOS待机电流小于200微安。

该AT28C256是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel公司的AT28C256具有附加功能，以确保高品质和manufacturabil-

性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制

可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的

64字节的EEPROM器件识别和跟踪。

0006K–PEEPR–01/08

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.1

28引脚TSOP顶视图

A11

A13

VCC

A14

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

2.3

32垫LCC ， 28引脚PLCC顶视图

A12

A14

VCC

A13

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.2

28引脚PGA顶视图

2.4

28引脚CERDIP / PDIP /扁平/ SOIC -

顶视图

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

AT28C256

0006K–PEEPR–01/08

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28C256

3.框图

4，设备操作

4.1

读

AT28C256的访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高开始写

周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始将automati-

美云本身的时间完成。一旦编程操作已启动并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28C256的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1 63个额外的

字节。每个连续的字节必须写在150微秒（T

BLC

）前一字节。如果T

BLC

超出限制的AT28C256将停止接受数据，并开始内部编程

明操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

A14输入 - 由A6的状态定义。对于我们每前高后低过渡页面中

写操作时， A6 - A14必须是相同的。

将A0至A5输入用于指定页内的哪些字节要被写。字节

可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有个字节

写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

4.4

数据轮询

该AT28C256设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或页

写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致书面的补

数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是对所有有效

输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时

周期。

0006K–PEEPR–01/08

4.5

切换位

除了数据投票的AT28C256提供了另一种方法，用于确定所述端

写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，有效的数据将被读取。读取触发位可擦写期间随时开始

周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔已经将硬件和软件功能，将保护

内存防止意外写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入AT28C256在以下几个方面：（一）

感 - 如果V

低于3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二）V

上电延时 -

一旦V

已经达到了3.8V ，允许前，设备将自动超时5毫秒（典型值）

写; （三）禁止写入 - 控股OE低，高CE或WE高抑制写周期的任何一个;

及（d ）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会启动

写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28C256得到落实。当

启用后，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;该AT28C256是从爱特梅尔随SDP

禁用。

SDP是由主机系统发出一系列的三个写命令使能;三个具体

数据字节写入三个具体地址（请参阅“软件数据保护” algo-

rithm ）。写的3字节的命令序列和叔之后后

整个AT28C256会

防止意外的写入操作。应当指出，一旦受保护的主机

仍然可以执行字节或页面写入AT28C256 。这是通过前述的数据是做

写的用于启用SDP中的相同的3字节的命令序列。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非在发出禁止命令序列。电源跃迁

系统蒸发散不要禁用SDP和SDP将保护在上电和掉电的AT28C256

条件。所有的命令序列必须符合页写时序规范。该

在启用和禁用命令序列的数据不被写入到所述设备和所述存储器

该序列中使用的地址可以写入与在任一字节或页写入数据

操作。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列将

启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于持续时间

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过rais-

荷兰国际集团A9至12V

0.5V和使用地址位置7FC0H到7FFFH的额外字节数可能

写入或以相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

4.8

可选芯片擦除模式

整个设备可以使用一个6字节的软件代码被删除。请参阅“软件芯片

删除“应用指南的详细信息。

AT28C256

0006K–PEEPR–01/08

AT28C256

5.直流和交流工作范围

AT28C256-15

工作温度

（案例）

电源

IND 。

米尔。

-40°C - 85°C

-55°C - 125°C

10%

-55°C - 125°C

10%

-55°C - 125°C

10%

-55°C - 125°C

10%

AT28C256-20

AT28C256-25

AT28C256-35

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注：1。 X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 2.1毫安

= -400 A

2.4

2.0

0.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

IND 。

米尔。

民

最大

200

300

0.8

单位

0006K–PEEPR–01/08