AT28C17
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写 - 200
s
或1毫秒
自定时字节写周期
内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
自动清除之前写
直接微处理器控制
数据轮询
READY / BUSY开漏输出
低功耗
30毫安工作电流
100
a
CMOS待机电流
高可靠性
耐力： 10
4
或10
5
周期
数据保存： 10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
CMOS
E
2
舞会
描述
该AT28C17是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C17是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
非易失性CMOS技术。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BUSY
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
AT28C17
数据输入/输出
READY / BUSY输出
无连接
不连接
PDIP ， SOIC
顶视图
PLCC
顶视图
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0541A
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描述
（续）
的AT28C17是像一个静态RAM的读访问
或写周期无需外部元件的需求。
在字节写，地址和数据锁存IN-
ternally ，释放微处理器的地址和数据总线
对于其他操作。以下的写入赛扬开始
CLE ，该设备将进入繁忙状态，并自动
清除并使用内部控制写入锁存的数据
定时器。该装置包括两个方法，用于检测所述
的一个写周期结束时，电平检测RDY的/ BUSY和
我DATA轮询/ O
7
。一旦写周期结束时有
被检测到的，用于读出或新接入的写入能
开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间
在低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C17具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用错误cor-
内部rection延长耐力和提供改善
已探明的数据保持特性。一个额外的32个字节
E
2
PROM的可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
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AT28C17
AT28C17
设备操作
阅读：
该AT28C17访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C17类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） initi-
阿泰一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该持续时间
吨的化
WC
，一个读操作将有效是轮询
操作。
FAST字节写：
该AT28C17E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
READY / BUSY ：
1脚是漏极开路READY / BUSY
输出可以被用来检测写周期的结束。
RDY / BUSY积极拉低在写周期
和释放在完成写操作的。开放
漏连接允许OR-搭售的几个设备
相同的RDY / BUSY线。
数据查询：
该AT28C17提供数据POLL-
ING信号完成一个写周期。在一
写周期，数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
（另一
输出是不确定的） 。当写周期是装订
ished ，真正的数据出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
受到保护，防止在以下几个方面。 （一）V
CC
有义若V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制。 （二）V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
A S
达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒
（典型值）允许字节写入前。 （三）收件Inhibit-
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
字节写周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C17可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE被清除。
设备标识：
A N E X吨R A 3 2 - B Y形吨（E S）华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9 12
±
0.5V和AD-使用
礼服地点7E0H到7FFH的额外字节数可能
作为经常以相同的方式写入或读出，从
存储器阵列。
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