特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写入 - 200 μs或1毫秒
自定时字节写周期
- 内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
- 自动清除写入前
直接微处理器控制
- 数据查询
低功耗
- 30毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
高可靠性
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
并行
EEPROM的
AT28C16
描述
该AT28C16是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C16是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
（续）
非易失性CMOS技术。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
NC
NC
DC
VCC
WE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
PDIP SOIC
,
顶视图
1
2
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VCC
A8
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WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
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A6
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A4
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NC
I/O0
5
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24
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21
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
牧师0540B -九十八分之一十
1
的AT28C16是像一个静态RAM的读或访问
写周期无需外部元件的需求。能很好地协同
荷兰国际集团字节写，地址和数据锁存间
应受，释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该设备将进入繁忙状态，并自动清除
并使用一个内部的定时器控制写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据来确定
我轮询/ O
7.
一旦写周期结束时一直
检测到的，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间为
低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C16具有附加功能，以确保高的质
性和可制造性。该器件采用误差校正
内部和灰延长耐力和改进
数据保持特性。额外的32个字节的
EEPROM可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28C16
AT28C16
设备操作
阅读：
该AT28C16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） ini-
tiates一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
FAST字节写：
该AT28C16E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
数据查询：
该AT28C16提供数据查询
信号完成一个写周期。在写
周期中，数据被试着读取被写入结果
该数据的补充用于I / O
7
（另一输出
不确定的） 。当写周期完成时，真正的数据
出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
C C
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
3.8V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写入; （三）写入禁止控股
OE低，CE高任一个或WE抑制高字节写
周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE清零。
D E V I C E I DE NT I FI C A TI 0：N ：
A N E X吨R A 3 2 B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户iDEN的
tification 。通过提高A9 12
±
0.5V和使用报告
7E0H到7FFH中的附加字节的位置可以被写入
或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
3
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写入 - 200 μs或1毫秒
自定时字节写周期
- 内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
- 自动清除写入前
直接微处理器控制
- 数据查询
低功耗
- 30毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
高可靠性
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
并行
EEPROM的
AT28C16
描述
该AT28C16是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C16是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
（续）
非易失性CMOS技术。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
NC
NC
DC
VCC
WE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
PDIP SOIC
,
顶视图
1
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CE
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I/O1
I/O2
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DC
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NC
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OE
A10
CE
I/O7
I/O6
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
牧师0540B -九十八分之一十
1
的AT28C16是像一个静态RAM的读或访问
写周期无需外部元件的需求。能很好地协同
荷兰国际集团字节写，地址和数据锁存间
应受，释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该设备将进入繁忙状态，并自动清除
并使用一个内部的定时器控制写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据来确定
我轮询/ O
7.
一旦写周期结束时一直
检测到的，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间为
低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C16具有附加功能，以确保高的质
性和可制造性。该器件采用误差校正
内部和灰延长耐力和改进
数据保持特性。额外的32个字节的
EEPROM可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28C16
AT28C16
设备操作
阅读：
该AT28C16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） ini-
tiates一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
FAST字节写：
该AT28C16E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
数据查询：
该AT28C16提供数据查询
信号完成一个写周期。在写
周期中，数据被试着读取被写入结果
该数据的补充用于I / O
7
（另一输出
不确定的） 。当写周期完成时，真正的数据
出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
C C
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
3.8V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写入; （三）写入禁止控股
OE低，CE高任一个或WE抑制高字节写
周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE清零。
D E V I C E I DE NT I FI C A TI 0：N ：
A N E X吨R A 3 2 B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户iDEN的
tification 。通过提高A9 12
±
0.5V和使用报告
7E0H到7FFH中的附加字节的位置可以被写入
或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
3
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写入 - 200 μs或1毫秒
自定时字节写周期
- 内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
- 自动清除写入前
直接微处理器控制
- 数据查询
低功耗
- 30毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
高可靠性
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
并行
EEPROM的
AT28C16
描述
该AT28C16是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C16是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
（续）
非易失性CMOS技术。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
NC
NC
DC
VCC
WE
NC
A7
A6
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A4
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A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
PDIP SOIC
,
顶视图
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VCC
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CE
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I/O1
I/O2
GND
DC
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A8
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NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
牧师0540B -九十八分之一十
1
的AT28C16是像一个静态RAM的读或访问
写周期无需外部元件的需求。能很好地协同
荷兰国际集团字节写，地址和数据锁存间
应受，释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该设备将进入繁忙状态，并自动清除
并使用一个内部的定时器控制写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据来确定
我轮询/ O
7.
一旦写周期结束时一直
检测到的，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间为
低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C16具有附加功能，以确保高的质
性和可制造性。该器件采用误差校正
内部和灰延长耐力和改进
数据保持特性。额外的32个字节的
EEPROM可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28C16
AT28C16
设备操作
阅读：
该AT28C16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） ini-
tiates一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
FAST字节写：
该AT28C16E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
数据查询：
该AT28C16提供数据查询
信号完成一个写周期。在写
周期中，数据被试着读取被写入结果
该数据的补充用于I / O
7
（另一输出
不确定的） 。当写周期完成时，真正的数据
出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
C C
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
3.8V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写入; （三）写入禁止控股
OE低，CE高任一个或WE抑制高字节写
周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE清零。
D E V I C E I DE NT I FI C A TI 0：N ：
A N E X吨R A 3 2 B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户iDEN的
tification 。通过提高A9 12
±
0.5V和使用报告
7E0H到7FFH中的附加字节的位置可以被写入
或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
3
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写入 - 200 μs或1毫秒
自定时字节写周期
- 内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
- 自动清除写入前
直接微处理器控制
- 数据查询
低功耗
- 30毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
高可靠性
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
并行
EEPROM的
AT28C16
描述
该AT28C16是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C16是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
（续）
非易失性CMOS技术。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
NC
NC
DC
VCC
WE
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A7
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I/O0
I/O1
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GND
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,
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A8
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WE
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A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
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I/O0
5
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28
27
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25
24
23
22
21
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
牧师0540B -九十八分之一十
1
的AT28C16是像一个静态RAM的读或访问
写周期无需外部元件的需求。能很好地协同
荷兰国际集团字节写，地址和数据锁存间
应受，释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该设备将进入繁忙状态，并自动清除
并使用一个内部的定时器控制写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据来确定
我轮询/ O
7.
一旦写周期结束时一直
检测到的，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间为
低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C16具有附加功能，以确保高的质
性和可制造性。该器件采用误差校正
内部和灰延长耐力和改进
数据保持特性。额外的32个字节的
EEPROM可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28C16
AT28C16
设备操作
阅读：
该AT28C16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） ini-
tiates一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
FAST字节写：
该AT28C16E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
数据查询：
该AT28C16提供数据查询
信号完成一个写周期。在写
周期中，数据被试着读取被写入结果
该数据的补充用于I / O
7
（另一输出
不确定的） 。当写周期完成时，真正的数据
出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
C C
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
3.8V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写入; （三）写入禁止控股
OE低，CE高任一个或WE抑制高字节写
周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE清零。
D E V I C E I DE NT I FI C A TI 0：N ：
A N E X吨R A 3 2 B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户iDEN的
tification 。通过提高A9 12
±
0.5V和使用报告
7E0H到7FFH中的附加字节的位置可以被写入
或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
3
AT28C16-T
特点
理想的可重写内存属性
简单的写操作
自定时字节写入
片上的地址和数据锁存器用于类似SRAM的写操作
快速写周期时间 - 1毫秒
5伏仅非易失性写入
写检测结束
RDY / BUSY输出
数据轮询
高可靠性
耐力：100,000写周期
数据保存： 10年以上
单5伏电源进行读写
极低的功耗
30毫安工作电流
100
A
待机电流
描述
在AT28C16 -T是理想的非易失性存储器的属性：它是一个低功率， 5伏，只
字节写入非易失性存储器（E
2
舞会） 。待机电流通常小于
100
Α.
在AT28C16 -T是这样写的静态RAM ，消除了复杂的编程
明算法。 1毫秒的快速写入周期时间，可快速重新配置网卡
在系统。数据保存期限10年以上，排除的必要性
对于电池。三个访问时间已经被指定，以允许不同的层
存储器以及PCMCIA接口之间的缓冲。
在AT28C16 -T访问像读取和写入操作的静态RAM 。中
字节写，地址和数据被内部锁存。以下的起始
写周期，设备将进入繁忙状态，并自动写入数据锁存
使用一个内部控制的计时器。该设备提供了两种方法，用于检测所述端
的一个写周期;在RDY / BUSY输出的I和数据查询/ O
7
.
16K （ 2K ×8 ）
PCMCIA
非易失性
属性
内存
AT28C16-T
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BSY
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
READY / BUSY输出
无连接
TSOP
顶视图
0285C
2-175
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 125°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-176
AT28C16-T
AT28C16-T
设备操作
读：
AT28C16 -T访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚detemined的存储器位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16 -T类似
编写成静态RAM 。在WE或CE输入低脉冲
用OE高， CE或WE低（分别）启动
字节写。的地址被锁存的下降沿
WE或CE （最后以先到为准），并且数据被锁存
在WE或CE （以先到为准科幻RST）的上升沿。
一旦一个字节写入启动它会自动时间本身
完成。对于AT28C16 - T中的写周期时间是1
ms以下。一旦编程操作已
发起并在t的持续时间
WC
，进行读操作将
有效地是一个轮询操作。
READY / BUSY ：
1脚是漏极开路READY / BUSY输出
放指示所述自定时接口的当前状态
纳尔写周期。 READY / BUSY积极拉低时
在写周期，并释放在完成的
写。开漏输出允许或拴几个
设备到一个共同的中断输入。
数据查询：
在AT28C16 -T还提供了数据
轮询信号完成一个写周期。在一
写周期，数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
（另一
输出是不确定的） 。当写周期是装订
ished ，真正的数据出现在所有OUPUTS 。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
CC
有义若V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
A S
达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒
（典型值） ，允许一个字节写入前; （三）收件Inhibit-
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
字节写周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16 -T的可能由芯片清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12V ，芯片
当10ms的低脉冲加到WE清零。
设备标识：
A N E X吨R A 3 2 - B Y形吨（E S）华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
方式识别。通过提高
9
到12V （ ±0.5V ），并使用AD-
礼服地点7E0H到7FFH的额外字节数可能
作为经常以相同的方式写入或读出，从
存储器阵列。
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AT28C16-T
特点
理想的可重写内存属性
简单的写操作
自定时字节写入
片上的地址和数据锁存器用于类似SRAM的写操作
快速写周期时间 - 1毫秒
5伏仅非易失性写入
写检测结束
RDY / BUSY输出
数据轮询
高可靠性
耐力：100,000写周期
数据保存： 10年以上
单5伏电源进行读写
极低的功耗
30毫安工作电流
100
A
待机电流
描述
在AT28C16 -T是理想的非易失性存储器的属性：它是一个低功率， 5伏，只
字节写入非易失性存储器（E
2
舞会） 。待机电流通常小于
100
Α.
在AT28C16 -T是这样写的静态RAM ，消除了复杂的编程
明算法。 1毫秒的快速写入周期时间，可快速重新配置网卡
在系统。数据保存期限10年以上，排除的必要性
对于电池。三个访问时间已经被指定，以允许不同的层
存储器以及PCMCIA接口之间的缓冲。
在AT28C16 -T访问像读取和写入操作的静态RAM 。中
字节写，地址和数据被内部锁存。以下的起始
写周期，设备将进入繁忙状态，并自动写入数据锁存
使用一个内部控制的计时器。该设备提供了两种方法，用于检测所述端
的一个写周期;在RDY / BUSY输出的I和数据查询/ O
7
.
16K （ 2K ×8 ）
PCMCIA
非易失性
属性
内存
AT28C16-T
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
RDY / BSY
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
READY / BUSY输出
无连接
TSOP
顶视图
0285C
2-175
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 125°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
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AT28C16-T
AT28C16-T
设备操作
读：
AT28C16 -T访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚detemined的存储器位置是
上认定的输出。的输出被置于高im-
pedance状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16 -T类似
编写成静态RAM 。在WE或CE输入低脉冲
用OE高， CE或WE低（分别）启动
字节写。的地址被锁存的下降沿
WE或CE （最后以先到为准），并且数据被锁存
在WE或CE （以先到为准科幻RST）的上升沿。
一旦一个字节写入启动它会自动时间本身
完成。对于AT28C16 - T中的写周期时间是1
ms以下。一旦编程操作已
发起并在t的持续时间
WC
，进行读操作将
有效地是一个轮询操作。
READY / BUSY ：
1脚是漏极开路READY / BUSY输出
放指示所述自定时接口的当前状态
纳尔写周期。 READY / BUSY积极拉低时
在写周期，并释放在完成的
写。开漏输出允许或拴几个
设备到一个共同的中断输入。
数据查询：
在AT28C16 -T还提供了数据
轮询信号完成一个写周期。在一
写周期，数据的企图读出被写入
结果在该数据的补码对I / O的
7
（另一
输出是不确定的） 。当写周期是装订
ished ，真正的数据出现在所有OUPUTS 。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
CC
有义若V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延迟 - 一旦V
CC
A S
达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒
（典型值） ，允许一个字节写入前; （三）收件Inhibit-
控股OE低，CE中的任何一个高或WE抑制高
字节写周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16 -T的可能由芯片清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12V ，芯片
当10ms的低脉冲加到WE清零。
设备标识：
A N E X吨R A 3 2 - B Y形吨（E S）华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
方式识别。通过提高
9
到12V （ ±0.5V ），并使用AD-
礼服地点7E0H到7FFH的额外字节数可能
作为经常以相同的方式写入或读出，从
存储器阵列。
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