特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
快速字节写入 - 200 μs或1毫秒
自定时字节写周期
- 内部地址和数据锁存器
内部控制定时器
- 自动清除写入前
直接微处理器控制
- 数据查询
低功耗
- 30毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
高可靠性
- 耐力： 10
4
或10
5
周期
- 数据保存：10年
5V
±
10 ％供应
CMOS & TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
16K （ 2K ×8 ）
并行
EEPROM的
AT28C16
描述
该AT28C16是一种低功耗，高性能的电可擦除和编程
序的只读存储器具有使用方便的特点。该AT28C16是一个16K的内存
由8位， 2048字。该器件与爱特梅尔的可靠制造
（续）
非易失性CMOS技术。
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A10
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
NC
NC
DC
VCC
WE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
PDIP SOIC
,
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
WE
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
牧师0540B -九十八分之一十
1
的AT28C16是像一个静态RAM的读或访问
写周期无需外部元件的需求。能很好地协同
荷兰国际集团字节写，地址和数据锁存间
应受，释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。以下的一个写周期开始，
该设备将进入繁忙状态，并自动清除
并使用一个内部的定时器控制写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据来确定
我轮询/ O
7.
一旦写周期结束时一直
检测到的，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
该CMOS技术提供的150 ns的快速存取时间为
低功耗。当芯片被取消了
待机电流小于100
A.
Atmel的28C16具有附加功能，以确保高的质
性和可制造性。该器件采用误差校正
内部和灰延长耐力和改进
数据保持特性。额外的32个字节的
EEPROM可用于设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28C16
AT28C16
设备操作
阅读：
该AT28C16访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被置于高
阻抗状态，每当CE或OE为高电平。这种双行
控制使设计者在防止更大的灵活性
总线争用。
写字节：
将数据写入AT28C16类似于
写入静态RAM 。在WE或CE低脉冲
输入与OE高， CE或WE低（分别） ini-
tiates一个字节写操作。的地址位置被锁定在
WE （或CE ）的最后一个下降沿;新的数据被锁存
第一个上升沿。在内部，该设备进行自我
之前写清楚。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
FAST字节写：
该AT28C16E提供了一个字节写
200时间
s
最大。此功能允许在整个
设备要重写0.4秒。
数据查询：
该AT28C16提供数据查询
信号完成一个写周期。在写
周期中，数据被试着读取被写入结果
该数据的补充用于I / O
7
（另一输出
不确定的） 。当写周期完成时，真正的数据
出现在所有输出。
写保护
无意中写入设备
通过以下方式进行保护，以防止：（1 ）V
C C
某种意义上，如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入功能
抑制; （二）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
3.8V的设备将自动超时5毫秒（典型值）
才让一个字节写入; （三）写入禁止控股
OE低，CE高任一个或WE抑制高字节写
周期。
CHIP CLEAR ：
的整个存储器的内容
AT28C16可能由CHIP清除被设置为高电势状态
操作。通过设置低CE和OE为12伏，芯片
当一个10毫秒的低脉冲加到WE清零。
D E V I C E I DE NT I FI C A TI 0：N ：
A N E X吨R A 3 2 B Y形吨（E S）华氏度
EEPROM存储器可用来为设备的用户iDEN的
tification 。通过提高A9 12
±
0.5V和使用报告
7E0H到7FFH中的附加字节的位置可以被写入
或读出相同的方式作为常规存储器
数组。
3
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