特点
读取时间 - 200纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为256字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间 - 10 ms最大
- 1到256字节页写操作
低功耗
- 80毫安工作电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 10,000次
- 数据保存：10年
单5V
±
10 ％供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
分页ê
2
舞会
AT28C040
描述
该AT28C040是一个高性能的电可擦除和可编程读
只读存储器（E
2
舞会） 。它的4兆内存的组织结构524,288字经
8位。与Atmel先进的非易失性CMOS技术，设备制造
提供存取时间为200 ns的只有440毫瓦的功耗。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A18
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
SIDE铸铜，
扁平
顶视图
LCC
顶视图
AT28C040 4-
兆位（ 512K X
8 ）分页
E
2
舞会
牧师0542B -04 / 98
1
该AT28C040是像一个静态RAM的读访问
或写周期，而无需外部元件。
该器件包含一个256字节的页寄存器允许令状
荷兰国际集团的多达256个字节同时进行。在写周期期间，
地址和数据的1至256个字节是内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其他操作
系统蒸发散。以下的一个写周期开始，该装置将
使用内部CON-自动写入锁存的数据
控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有
被检测到，用于读出或写入一个新的访问可以开始。
Atmel公司的AT28C040具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的数据纠错
保持特性。一个可选的软件数据保护
化机制，可以防止无意
写道。该装置还包括一个额外的256个字节的
E
2
PROM设备识别和跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
2
AT28C040
AT28C040
设备操作
阅读：
该AT28C040是像访问一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止总线CON-
张力在他们的系统中。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低（分别地）和OE高启动一个写周期。
的地址被锁存的CE或WE的下降沿，
为准过去。该数据由第一崛起锁存
CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已经启动，它
会自动时间本身来完成。一旦亲
编程操作已启动，该时间
的t
WC
，读操作将有效地成为一个轮询操作
化。
页写：
该AT28C040的页写操作
允许数据为1到256个字节被写入到器件
在一个单一的内部编程周期。页写
开始以相同的方式作为一个字节的写操作;
写入的第一个字节之后可被1至255额外
tional字节。每个连续的字节必须写在
150
s
(t
BLC
）前一字节。如果T
BLC
极限
超过， AT28C040将停止接受数据，并
开始内部编程操作。所有字节
一个页中的写操作必须驻留在同一个
A18输入 - 由A8的状态定义页面。为
每次我们前高后低过渡时期页写操作
灰，A8 - A18必须是相同的。
在A0到A7输入指定的页面都在哪些字节
被写入。该字节可以以任何顺序被加载和
可在相同的负载周期内改变。只有字节
这是用于编写规定将被写入;不必要
不会发生的页面中的其它字节循环。
数据查询：
该AT28C040具有数据查询到
表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码被呈现
在I / O7 。一旦写周期已经完成，真
数据是对所有的输出有效，并且在下一个写周期可以
开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时
周期。
触发位：
除了数据投票时， AT28C040
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6来回切换
间为1和0 。一旦写入完成后， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28C040在以下
方法：（1 ）V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V （典型值）的写入
功能被抑制; （二）V
CC
上电延时 - 一旦V
CC
有
达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒
（典型值）允许在写入前： （三）禁止写入 - 控股
OE低，CE高任一个或WE高抑制写
周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒脉冲（典型值）的
在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
软件控制
数据保护功能已在实施
AT28C040 。当启用时，该软件的数据保护
（ SDP ） ，将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;该AT28C040是
爱特梅尔随SDP禁用。
SDP时启用主机系统发出一系列
三个写命令;三个数据的特定字节令状
二时五十具体地址（请参考软件数据亲
tection算法） 。写的3字节的命令后
序列和T后
WC
时，整个AT28C040将亲
tected防止意外写操作。它应该是
注意的是，一旦保护时，主机仍可执行字节
或页面写入AT28C040 。要做到这一点，相同的3字节
命令序列来实现SDP必须先于
要写入的数据。
一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用的COM
命令顺序发出。电源转换不禁止
SDP ， SDP和将保护电期间的AT28C040
和断电条件。所有的命令序列必须
顺应页写时序规范。在数据
的启用和禁用命令序列不被写入
到该设备，并在所用的存储器地址
序列可以被写入任一字节或页数据
写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备，不
3字节的命令序列将启动内部写
定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于
吨的持续时间
WC
，读操作将有效地成为poll-
荷兰国际集团的操作。
设备标识：
一个额外的256个字节的
E
2
PROM存储器可用来为设备iDEN的用户
tification 。通过提高A9至12V
±
0.5V和使用报告
7FF80H到7FFFFH ，该字节可以被写入的位置
或从相同的方式读出的常规存储器
数组。
可选的芯片擦除模式：
可以将整个装置
使用6字节擦除软件代码被删除。请参阅
软件芯片擦除应用笔记的详细信息。
3
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