【特点快速读取访问时间 - 120纳秒自动页写操作- 内部地址和数据锁存为128字节内部控制定时器快速】,IC型号AT28C010E-15TU,AT28C010E-15TU PDF资料,AT28C010E-15TU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速读取访问时间 - 120纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为128字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间 - 10 ms最大

- 1到128字节页写操作

低功耗

- 40毫安工作电流

- 200 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10

或10

周期

- 数据保存：10年

单5V

10 ％供应

CMOS和TTL兼容输入和输出

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

1-megabit

（ 128K ×8 ）

分页并行

EEPROM

AT28C010

1.描述

该AT28C010是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只读存储器。它的1兆位的存储器由8位， 131,072字。 MAN-

制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS工艺，设备报价

访问时间为120 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是

取消选择，在CMOS待机电流小于200微安。

该AT28C010是一样的读或写周期中的静态RAM ，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许

同时写入最高可达128个字节。在写周期中，地址和1

128字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel公司的AT28C010具有附加功能，以确保高品质和manufacturabil-

性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错

数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制

可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的

128字节EEPROM用于设备识别或跟踪。

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AT28C010

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A16

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PDIP顶视图

A16

A15

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A14

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.1

32引脚TSOP顶视图

A11

A13

A14

VCC

A16

A15

A12

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

2.3

32引脚PLCC顶视图

A12

A15

A16

VCC

注意：

PLCC封装引脚1是不连接。

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O0

A14

A13

A11

A10

I/O7

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AT28C010

3.框图

4，设备操作

4.1

读

该AT28C010访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始了它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28C010的页写操作允许数据的1至128个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1至127附加

字节。每个连续的字节必须写在150微秒（T

BLC

）前一字节。如果

BLC

超出限制的AT28C010将停止接受数据，并开始内部

编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

A16输入 - 从A7的状态定义。对于每一个我们高时低的过渡

页写操作，A7 - A16必须是相同的。

的A0到A6的输入用于指定页内的哪些字节要被写。该

字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节

这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环

页也不会发生。

4.4

数据轮询

该AT28C010设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补

写入的数据要在我给出/ O

。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以开始随时

在写入周期。

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4.5

切换位

除了数据投票的AT28C010提供了另一种方法，用于确定的端

一个写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，有效的数据将被读取。读取触发位可擦写期间随时开始

周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

防止意外的内存写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入以下方式的AT28C010 ：

（一）V

感 - 如果V

低于3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二）V

POWER- ON

延迟 - 一旦V

已达到3.8V时，设备会自动超时5毫秒（典型值）之前，

允许写入; （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写

周期;及（d）噪声滤波器的脉冲小于15纳秒（典型值），在WE或CE输入端不会

发起一个写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28C010得到落实。当

启用后，该软件数据保护（ SDP ），将防止意外写入。在SDP功能

可以启用或由用户禁用;该AT28C010是从爱特梅尔随SDP

禁用。

SDP是由主机系统发出一系列的三个写命令使能;三个具体

数据字节写入三个具体地址（请参考软件数据保护Algo-

rithm ）。写的3字节的命令序列和叔之后后

整个AT28C010会

防止意外的写入操作。应当指出，一旦受保护的主机

仍然可以执行字节或页面写入AT28C010 。这是通过将数据前要进行

被写入由用于使SDP中的相同的3字节的命令序列。

一旦设定， SDP将保持活跃，除非在发出禁止命令序列。动力

过渡不要禁用SDP和SDP将保护电期间的AT28C010和

掉电条件。所有的命令序列必须符合页面写入时序光谱

ifications 。在启用和禁用命令序列中的数据不会被写入到设备

与该序列中所用的存储器地址可以被写入任一字节或数据

页写操作。

SDP设置后，任何试图写入设备没有3个字节的命令序列

将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于持续时间

吨的化

读操作将是有效的轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的128字节的EEPROM存储器。通过

A9提高至12V

0.5V和使用地址位置1FF80H到1FFFFH字节可能

写入或以相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

4.8

可选芯片擦除模式

整个设备可以使用一个6字节的软件代码被删除。请参阅软件芯片

删除应用笔记的详细信息。

AT28C010

0353G–PEEPR–10/06

AT28C010

5.直流和交流工作范围

AT28C010-12

工作温度（外壳）

电源

IND 。

-40°C - 85°C

10%

AT28C010-15

-40°C - 85°C

10%

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

(1)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

SB1

SB2

OH1

OH2

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

待机电流TTL

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

输出高电压CMOS

= 2.1毫安

= -400 A

= -100 μA ; V

= 4.5V

2.4

4.2

2.0

0.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

CE = 2.0V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

200

0.8

单位

0353G–PEEPR–10/06