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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第330页 > AT28C010E-12JI
特点
快速读取访问时间 - 120纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为128字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间 - 10 ms最大
- 1到128字节页写操作
低功耗
- 40毫安工作电流
- 200 μA CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力: 10
4
或10
5
周期
- 数据保存:10年
单5V
±
10 %供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物)的包装选项
1-megabit
( 128K ×8 )
分页并行
EEPROM
AT28C010
1.描述
该AT28C010是一个高性能的电可擦除和可编程只读
只读存储器。它的1兆位的存储器由8位, 131,072字。 MAN-
制造出来与Atmel先进的非易失性CMOS工艺,设备报价
访问时间为120 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是
取消选择,在CMOS待机电流小于200微安。
该AT28C010是一样的读或写周期中的静态RAM ,而不访问
需要的外部元件。该器件包含一个128字节的页寄存器允许
同时写入最高可达128个字节。在写周期中,地址和1
128字节的数据被内部地锁存,从而释放地址和数据总线,用于其他
操作。下面的写周期开始时,设备会自动写入
使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可
通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个
用于读出或写入新的访问可以开始。
Atmel公司的AT28C010具有附加功能,以确保高品质和manufacturabil-
性。该器件采用延长续航能力以及完善的内部纠错
数据保持特性。一个可选的软件数据保护机制
可防范意外写操作。该装置还包括一个额外的
128字节EEPROM用于设备识别或跟踪。
0353G–PEEPR–10/06
AT28C010
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
2.2
32引脚PDIP顶视图
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
2.1
32引脚TSOP顶视图
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
2.3
32引脚PLCC顶视图
A12
A15
A16
DC
VCC
WE
NC
注意:
PLCC封装引脚1是不连接。
I/O1
I/O2
GND
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
14
15
16
17
18
19
20
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
2
0353G–PEEPR–10/06
AT28C010
3.框图
4,设备操作
4.1
该AT28C010访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时,
存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。
的输出被置于高阻抗状态时, CE或OE为高电平。这种双行
控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。
4.2
字节写
在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低(分别)和OE高启动
写周期。地址被锁存, CE或WE的下降沿,最后为准。
该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始了它
会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动
以及在t的持续时间
WC
,一个读操作将有效是一个轮询操作。
4.3
页写
该AT28C010的页写操作允许数据的1至128个字节将被写入到
在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作
相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1至127附加
字节。每个连续的字节必须写在150微秒(T
BLC
)前一字节。如果
t
BLC
超出限制的AT28C010将停止接受数据,并开始内部
编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上
A16输入 - 从A7的状态定义。对于每一个我们高时低的过渡
页写操作,A7 - A16必须是相同的。
的A0到A6的输入用于指定页内的哪些字节要被写。该
字节可以以任何顺序被加载,并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节
这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环
页也不会发生。
4.4
数据轮询
该AT28C010设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或
页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补
写入的数据要在我给出/ O
7
。一旦写周期已经完成时,真正的数据是
有效的所有输出,并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以开始随时
在写入周期。
3
0353G–PEEPR–10/06
4.5
切换位
除了数据投票的AT28C010提供了另一种方法,用于确定的端
一个写周期。在写入操作期间,连续尝试从设备读取数据会
结果,在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成, I / O6将停止瓶酒
岭大战,有效的数据将被读取。读取触发位可擦写期间随时开始
周期。
4.6
数据保护
如果不采取预防措施,在主机系统的转换可能会发生意外写入
电源。爱特梅尔
已经将硬件和软件功能,将保护
防止意外的内存写入。
4.6.1
硬件保护
硬件功能防止意外写入以下方式的AT28C010 :
(一)V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V (典型值)的写入功能受到抑制; (二)V
CC
POWER- ON
延迟 - 一旦V
CC
已达到3.8V时,设备会自动超时5毫秒(典型值)之前,
允许写入; (三)禁止写入 - 控股OE低,CE中的任何一个高或WE高抑制写
周期;及(d)噪声滤波器的脉冲小于15纳秒(典型值) ,在WE或CE输入端不会
发起一个写周期。
软件数据保护
软件控制的数据保护功能已经在AT28C010得到落实。当
启用后,该软件数据保护( SDP ) ,将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;该AT28C010是从爱特梅尔随SDP
禁用。
SDP是由主机系统发出一系列的三个写命令使能;三个具体
数据字节写入三个具体地址(请参考软件数据保护Algo-
rithm ) 。写的3字节的命令序列和叔之后后
WC
整个AT28C010会
防止意外的写入操作。应当指出,一旦受保护的主机
仍然可以执行字节或页面写入AT28C010 。这是通过将数据前要进行
被写入由用于使SDP中的相同的3字节的命令序列。
一旦设定, SDP将保持活跃,除非在发出禁止命令序列。动力
过渡不要禁用SDP和SDP将保护电期间的AT28C010和
掉电条件。所有的命令序列必须符合页面写入时序光谱
ifications 。在启用和禁用命令序列中的数据不会被写入到设备
与该序列中所用的存储器地址可以被写入任一字节或数据
页写操作。
SDP设置后,任何试图写入设备没有3个字节的命令序列
将启动内部写定时器。没有数据将被写入到设备;然而,对于持续时间
吨的化
WC
读操作将是有效的轮询操作。
4.6.2
4.7
设备Identi科幻阳离子
可用于为装置识别用户的额外的128字节的EEPROM存储器。通过
A9提高至12V
±
0.5V和使用地址位置1FF80H到1FFFFH字节可能
写入或以相同的方式作为常规存储器阵列的读出。
4.8
可选芯片擦除模式
整个设备可以使用一个6字节的软件代码被删除。请参阅软件芯片
删除应用笔记的详细信息。
4
AT28C010
0353G–PEEPR–10/06
AT28C010
5.直流和交流工作范围
AT28C010-12
工作温度(外壳)
V
CC
电源
IND 。
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT28C010-15
-40°C - 85°C
5V
±
10%
6.操作模式
模式
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意事项:
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
7.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
8.直流特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
I
OH
= -100 μA ; V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
0.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
最大
10
10
200
3
40
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
5
0353G–PEEPR–10/06
AT28C010 COM /工业
特点
快速读取访问时间 - 120纳秒
自动页写操作
内部地址和数据锁存为128字节
内部控制定时器
快速写周期时间
页写周期时间 - 10 ms最大
1到128字节页写操作
低功耗
40毫安工作电流
200
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
耐力: 10
4
或10
5
周期
数据保存: 10年
单5V
±
10 %供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
1兆位
( 128K ×8 )
分页
CMOS
E
2
舞会
广告
产业
AT28C010 COM /工业
描述
该AT28C010是一个高性能的电可擦除和可编程只读
只有记忆。它的1兆位的存储器由8位, 131,072字。
与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件还提供制造
访问时间为120 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是
取消选择,在CMOS待机电流小于200
A.
(续)
引脚名称
A0 - A16
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据
输入/输出
无连接
不连接
销刀豆网络gurations
TSOP
顶视图
PDIP
顶视图
PLCC
顶视图
注: PLCC封装引脚1
是请勿连接。
0353C
2-231
描述
(续)
该AT28C010是像读一个静态RAM访问
或写周期,而无需外部元件。
该器件包含一个128字节的页寄存器允许令状
荷兰国际集团的同时,提供高达128个字节。在写赛扬
第一百,地址和1到128个字节的数据是内部
锁,从而释放地址和数据总线,用于其他操作
系统蒸发散。以下的一个写周期开始,该装置
使用内部自动写入锁存的数据
控制定时器。在写入周期结束时可以通过检测
I / O7数据轮询。一旦写周期结束时有
被检测为读一个新的访问或写可以开始。
Atmel的28C010具有附加功能,以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的纠错
数据保持特性。一个可选的软件数据
保护机制可以防止inad-
vertent写道。该装置还包括一个额外的128-
字节
2
PROM设备识别和跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压
(包括NC引脚)
相对于地面................... -0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面................... -0.6V至+ 13.5V
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
2-232
AT28C010 COM /工业
AT28C010 COM /工业
设备操作
阅读:
该AT28C010访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时,数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时,无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性,防止公交车
争用在他们的系统。
写字节:
在WE或CE输入与CE的低脉冲
或WE低(分别)和OE高启动写赛扬
CLE 。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE,以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
开始它会自动时间本身来完成。一旦
在编程操作已启动,并为
吨的持续时间
WC
,一个读操作将有效是poll-
荷兰国际集团的操作。
页写:
该AT28C010的页写操作
允许1到128个字节的数据被写入到器件
在一个单一的内部编程周期。页写
开始以相同的方式作为一个字节的写操作;
写入的第一个字节之后可被1至127 AD-
ditional字节。每个连续的字节必须写在
150
s
(t
BLC
)前一字节。如果T
BLC
极限是EX-
超过容许的AT28C010将停止接受数据的COM和
mence内部编程操作。所有字节很好地协同
荷兰国际集团页写操作必须驻留在同一页上
A16输入 - 从A7的状态定义。对于每一个
WE高到页写操作过程中低过渡,
A7 - A16必须是相同的。
在A0 A6中输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令,并且可以在相同的负载周期内改变。
只有那些书写指定的字节将被写入;
其他字节的页面中不必要的循环呢
不会发生。
数据查询:
该AT28C010具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果,在写入数据的补码是预
sented在I / O7 。一旦写周期已经完成,
真正的数据是在所有输出有效,并且在下一个写周期
可能开始。数据轮询可能在开始随时
写周期。
触发位:
除了数据投票的AT28C010
提供了另一种方法,用于确定写操作的结束
周期。在写操作中,连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6切换BE-
吐温1和0 。一旦写入完成后, I / O6
将停止切换,有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始,在任何时间。
数据保护:
如果不采取预防措施, inad-
vertent写在主机的转换,可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能,将防止内存
意外写入。
硬件保护:
硬件保护功能
防止意外写入AT28C010在后续
荷兰国际集团的方式:(1 )V
CC
感 - 如果V
CC
低于3.8V (典型值)
写功能受到抑制; (二)V
CC
上电延时 - 一次
V
CC
已自动时间达到3.8V时,设备将
5毫秒(典型值)允许在写入前: ( C)写入禁止 -
控股OE低,CE中的任何一个高或WE抑制高
写周期; (四)噪声滤波器 - 小于15纳秒的脉冲(典型
CAL )在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护:
软件控制
数据保护功能已在实施
AT28C010 。当启用时,该软件的数据保护
( SDP ) ,将防止意外写入。在SDP功能
可以启用或由用户禁用;该AT28C010是
爱特梅尔随SDP禁用。
SDP是由主机系统发出一系列的启用
三个写命令;数据的三个特定的字节是
写入到三个具体地址(请参考软件数据
保护算法) 。写的3字节的命令后
序列和T后
WC
整个AT28C010会亲
tected防止意外写操作。它应该是
注意的是,一旦受保护主机仍可能执行
字节或页写入AT28C010 。这是通过预先进行
分出的数据将被写入由相同的3字节命令
序用于使能的SDP 。
一旦设定, SDP将保持活跃,除非禁用的COM
命令顺序发出。电源转换不显示
能与SDP SDP将在保护AT28C010
上电和掉电条件。所有的命令SE-
quences必须符合页面写入时序规格
系统蒸发散。在启用和禁用命令的数据SE-
quences不写入设备和RAM地址
在序列中所用的衣服可被写入与数据
无论是一个字节或页面写操作。
SDP设置后,任何试图写入设备与 -
出了3字节的命令序列将开始的内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;不过,
在t的持续时间
WC
读操作将是有效的
轮询操作。
(续)
2-233
设备操作
(续)
设备标识:
A N E X吨R A 1 2 8 - B Y形吨(E S)华氏度
E
2
PROM存储器可用来为设备的用户
识别。通过提高A9至12V
±
0.5V和AD-使用
礼服地点1FF80H到1FFFFH的字节可以令状
10到或从相同的方式读出作为常规
存储器阵列。
可选的芯片擦除模式:
可以将整个装置
通过一个6字节的软件代码被删除。请参阅软
洁具芯片擦除应用笔记的详细信息。
直流和交流工作范围
AT28C010-12
操作
温度(外壳)
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT28C010-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT28C010-20
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
操作模式
模式
(2)
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
CE
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
X
V
IL
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.参考AC编程波形。
DC特性
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
待机电流CMOS
V
CC
待机电流TTL
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
V
CC
= 4.5V
2.4
4.2
2.0
.45
条件
V
IN
= 0V至V
CC
+ 1V
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
CC
- 0.3V至V
CC
+ 1V
CE = 2.0V至V
CC
+ 1V
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
最大
10
10
200
3
40
0.8
单位
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
2-234
AT28C010 COM /工业
AT28C010 COM /工业
AC阅读特点
AT28C010-12
符号
t
t
CE ( 1 )
t
OE (2)
t
DF (3, 4)
t
OH
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE到输出的浮动
从OE ,CE输出保持或
地址为准
第一次发生
0
0
0
最大
AT28C010-15
最大
AT28C010-20
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
120
120
50
50
0
0
0
150
150
55
55
0
0
0
200
200
55
55
AC读波形
(1, 2, 3, 4)
注:1. CE可能会延迟到t
- t
CE
该地址后,
没有对T过渡的影响
.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
或用t
- t
OE
地址更改,恕不对T的影响后,
.
3. t
DF
从OE或CE规定以先到为准
(C
L
= 5 pF的) 。
4.此参数的特点,而不是100%测试。
输入测试波形和
测量级别
输出测试负载
t
R
, t
F
& LT ; 5纳秒
引脚电容
中(f = 1MHz时, T = 25℃)
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意:
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.此参数的特点,而不是100%测试。
2-235
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