AT28C010-12DK
设备操作
阅读：
该AT28C010-12DK访问就像一个静态RAM 。当CE和OE是
低和WE为高电平时，存储在该存储器位置中的数据所决定
地址引脚被断言的输出。输出处于高阻抗
状态时，无论CE或OE为高电平。这种双行控制为设计师提供了灵活性
在防止总线争用中的系统。
写字节：
在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）
和OE高启动写周期。的地址被锁存的CE的下降沿
还是我们，无论最后发生。该数据由CE的第一个上升沿被锁存或
WE 。一旦一个字节写入已经开始它会自动时间本身来完成。
一旦编程操作已经开始以及在t的持续时间
WC
，读
操作将有效地成为一个轮询操作。
页写：
该AT28C010-12DK的页写操作允许1到128
数据的字节的单个内部编程期间被写入到器件
期。开始以同样的方式为一个字节写页写操作;该
写入第一个字节之后可被1至127的附加字节。每个连续的
字节必须写在150
s
(t
BLC
）前一字节。如果T
BLC
极限
超标AT28C010-12DK将停止接受数据，并开始了
内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留
A16输入 - 在同一页上的从A7的状态定义的。对于我们每高
到页面写操作过程中低的转变，A7 - A16必须是相同的。
在A0 A6中输入用于指定页面中哪些字节将被
写的。该字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的改变
负载周期。只有那些书写指定的字节将被写入;不必要
不会发生的页面中的其它字节循环。
数据查询：
该AT28C010-12DK具有数据查询，表示年底
一个写周期。在一个字节或页写周期的未遂读取的最后一个字节的
写入将导致写入的数据的补码被呈现在I / O7 。
一旦写周期已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
在下一个写周期可能开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时
周期。
触发位：
除了数据投票的AT28C010-12DK提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写入操作期间，
连续尝试从设备中读取的数据将导致之间的I / O6肘
1和0 。一旦写入完成， I / O6将停止切换，有效的数据
将被读出。读取触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施，可能会发生意外写入
在主机系统供电的转换。爱特梅尔已经将两个
硬件和软件功能，以保护内存，防止意外
写道。
欲了解更多信息，请参阅应用笔记：
http://www.atmel.com/dyn/resources/prod_documents/DOC0544.PDF
硬件保护：
硬件功能防止意外写入
以下列方式AT28C010-12DK ：（1）
V
DD
感 - 如果
V
DD
低于3.8V
（典型值）的写入功能受到抑制; （二）
V
DD
上电延时 - 一次
V
DD
有
达到3.8V允许之前，设备会自动超时5毫秒（典型值）
写： （三）禁止写入 - 控股OE低，CE中的任何一个高或WE高抑制写
周期; （四）噪声滤波器 - 在WE或CE输入小于15纳秒（典型值）的脉冲
不会启动写周期。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能
已在AT28C010-12DK实现。当启用时，该软件数据
保护（ SDP ） ，将防止意外写入。该SDP功能可以被启用
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4259C–AERO–05/05
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