【特点2.7V至3.6V单电源硬件和软件数据保护低功耗- 15毫安工作电流- 20 μA CMOS待机】,IC型号AT28BV64B-20JU,AT28BV64B-20JU PDF资料,AT28BV64B-20JU经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

2.7V至3.6V单电源

硬件和软件数据保护

低功耗

- 15毫安工作电流

- 20 μA CMOS待机电流

快速读取访问时间 - 200纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大

- 1到64字节页写操作

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）包装只

64K （ 8K ×8 ）

电池电压

并行

EEPROM

与页写

和软件

数据保护

AT28BV64B

1.描述

该AT28BV64B是一个高性能的电可擦可编程只读只是为了─

存储器（EEPROM）。它的内存64K是由8位， 8,192字。制造

factured与Atmel先进的非易失性CMOS工艺，设备报价

存取时间为200毫微秒只有54毫瓦的功率耗散。当该装置是

取消选择，将CMOS待机电流小于20 μA 。

该AT28BV64B是像一个静态RAM的读或写周期，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节的页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel的AT28BV64B具有附加功能，以确保高品质和manufactura-

相容性。软件数据保护机制，防意外写入。该

装置还包括一个额外的64个字节的EEPROM的设备识别或

跟踪。

0299I–PEEPR–4/09

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

AT28BV64B

0299I–PEEPR–4/09

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28BV64B

3.框图

4，设备操作

4.1

读

该AT28BV64B访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高开始写

周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经开始，这将automati-

美云本身的时间完成。一旦编程操作已启动并为

吨的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28BV64B的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1 63个额外的

字节。每个连续的字节必须写在100微秒（T

BLC

）前一字节。如果T

BLC

超出限制时， AT28BV64B将停止接受数据，并展开内部亲

编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

由A6的状态至A12输入来定义。对于我们每前高后低过渡页面中

写操作时， A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只有那些经光谱字节

后指定用于写入将被写入;不会发生的页面中的其它字节不必要循环。

0299I–PEEPR–4/09

4.4

数据轮询

该AT28BV64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成，真正的数据是有效

在所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可能在开始随时

写周期。

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28BV64B提供了另一种方法，用于确定的端

一个写周期。在写入操作期间，连续尝试从设备读取数据会

结果，在I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止瓶酒

岭大战，有效的数据将被读取。读取触发位可擦写期间随时开始

周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

内存防止意外写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入AT28BV64B在以下几个方面：

（一）V

上电延时 - 一旦V

已达到1.8V （典型值），设备会自动时间

10毫秒（典型值）允许写入前; （二）禁止写入 - 控股OE低，高CE中的任何一个

或WE高抑制写周期;及（c）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲

WE或CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28BV64B得到落实。软

洁具数据保护（ SDP ）可以帮助防止意外写入从损坏的数据

装置。 SDP可以防止在上电和掉电意外写入，以及任何

其他潜在的系统不稳定的时期。

该AT28BV64B只能使用该软件的数据保护功能编写。

三个系列

写与特定数据之前必须被呈现给设备的命令的特定地址

写字节或页模式。同样的三个写命令必须开始每个写操作

化。所有的软件写命令必须服从页面模式写时序规格。该

在3字节的命令序列的数据不被写入到设备;在COM地址

命令序列可以像在设备的任何其他位置使用。

任何试图写入设备没有3个字节的序列将启动内部写定时器。

没有数据将被写入到设备;然而，在t的持续时间

读操作将effec-

tively是轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过rais-

荷兰国际集团A9至12V ± 0.5V ，并使用地址位置7FC0H到7FFFH ，额外的字节可以

写入或以相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28BV64B

0299I–PEEPR–4/09

AT28BV64B

5.直流和交流工作范围

AT28BV64B-20

工作温度（外壳）

电源

-40°C - 85°C

2.7V至3.6V

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

0299I–PEEPR–4/09

特点

2.7V至3.6V单电源

硬件和软件数据保护

低功耗

- 15毫安工作电流

- 20 μA CMOS待机电流

快速读取访问时间 - 200纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大

- 1到64字节页写操作

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 100,000次

- 数据保存：10年

JEDEC批准字节宽引脚

工业温度范围

绿色（无铅/无卤化物）的包装选项

64K （ 8K ×8 ）

电池电压

并行

EEPROM

与页写

和软件

数据保护

AT28BV64B

1.描述

该AT28BV64B是一个高性能的电可擦可编程只读只是为了─

存储器（EEPROM）。它的内存64K是由8位， 8,192字。制造

factured与Atmel先进的非易失性CMOS工艺，设备报价

存取时间为200毫微秒只有54毫瓦的功率耗散。当该装置是

取消选择，将CMOS待机电流小于20 μA 。

该AT28BV64B是像一个静态RAM的读或写周期，而不访问

需要的外部元件。该器件包含一个64字节的页寄存器允许

同时写入的最多64个字节。在写周期中，地址和1

64个字节的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他

操作。下面的写周期开始时，设备会自动写入

使用一个内部的定时器控制的锁存数据。在写入周期结束时可

通过I / O7数据轮询检测。一旦写周期结束时已经检测到一个

用于读出或写入新的访问可以开始。

Atmel的AT28BV64B具有附加功能，以确保高品质和manufactura-

相容性。软件数据保护机制，防意外写入。该

装置还包括一个额外的64个字节的EEPROM的设备识别或

跟踪。

0299H–PEEPR–10/06

2.引脚配置

引脚名称

A0 - A12

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

2.2

32引脚PLCC顶视图

A12

VCC

注意：

PLCC封装引脚1和17是不连接。

2.1

28引脚PDIP / SOIC顶视图

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

2.3

A11

VCC

A12

28引脚TSOP顶视图

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

AT28BV64B

0299H–PEEPR–10/06

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

A11

A10

I/O7

I/O6

AT28BV64B

3.框图

4，设备操作

4.1

读

该AT28BV64B访问就像一个静态RAM 。当CE和OE为低电平和WE为高电平时，

存储在由地址管脚所确定的存储器位置的数据被置上输出。

的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。这种双行

控制给出了防止总线争用他们的系统设计灵活性。

4.2

字节写

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE高启动

写周期。地址被锁存， CE或WE的下降沿，最后为准。

该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写入已经启动，它

会自动时间本身来完成。一旦编程操作已启动

以及在t的持续时间

，一个读操作将有效是一个轮询操作。

4.3

页写

该AT28BV64B的页写操作允许数据的164个字节将被写入到

在一个单一的内部编程周期设备。在启动页写操作

相同的方式为一个字节写入;写入的第一个字节之后可被1 63个额外的

字节。每个连续的字节必须写在100微秒（T

BLC

）前一字节。如果

BLC

超出限制时， AT28BV64B将停止接受数据，并展开内部

编程操作。页写操作过程中的所有字节必须位于同一页上

由A6的状态至A12输入所定义的。对于每一个我们高时低的过渡

页写操作，A6至A12必须是相同的。

在A0到A5输入指定的页面中哪些字节都被写入。该字节可

按任意顺序装入，并且可以在相同的负载周期内改变。只是这是个字节

写作指定将被写入;其他字节的页面中不必要的循环呢

不会发生。

0299H–PEEPR–10/06

4.4

数据轮询

该AT28BV64B设有数据投票来表示一个写周期的结束。在一个字节或

页写入周期中写入的最后一个字节的企图读取将导致的补

写入的数据被呈现在I / O7 。一旦写周期已经完成时，真正的数据是

有效的所有输出，并在下一个写周期可以开始。数据轮询可以开始随时

在写入周期。

4.5

切换位

除了数据投票时， AT28BV64B提供了另一种方法，用于确定端

的一个写周期。在写操作中，连续尝试从设备读取的数据

将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写入完成， I / O6将停止

触发和有效的数据将被读取。读取触发位可能在开始期间的任何时间

写周期。

4.6

数据保护

如果不采取预防措施，在主机系统的转换可能会发生意外写入

电源。爱特梅尔

已经将硬件和软件功能，将保护

防止意外的内存写入。

4.6.1

硬件保护

硬件功能防止意外写入AT28BV64B在以下几个方面：

（一）V

上电延时 - 一旦V

已自动达到1.8V （典型值）的设备将

时间10毫秒（典型值）允许写入前; （二）写禁止 - 持有OE低的任何一个，

高CE或WE高抑制写周期; （三）噪声滤波器 - 小于15纳秒脉冲（典型

CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。

软件数据保护

软件控制的数据保护功能已经在AT28BV64B得到落实。软

洁具数据保护（ SDP ）可以帮助防止意外写入从损坏的数据

装置。 SDP可以防止在上电和掉电意外写入，以及任何

其他潜在的系统不稳定的时期。

该AT28BV64B只能使用该软件的数据保护功能编写。

一系列的

三个写命令，可与特定数据的特定地址必须被呈现给

装置写入的字节或页模式之前。同样的三个写命令必须开始

每次写操作。所有的软件写命令必须服从页面模式写时序

规格。在3字节的命令序列的数据不被写入到设备;该

在命令序列地址，可以像在设备的任何其他位置使用。

写入到设备的任何企图没有3个字节的序列将启动内部写时序

ERS 。没有数据将被写入到设备;然而，在t的持续时间

，读操作

有效地将轮询操作。

4.6.2

4.7

设备Identi科幻阳离子

可用于为装置识别用户的额外的64字节的EEPROM存储器。通过

A9提高至12V ± 0.5V ，并使用地址位置7FC0H到7FFFH ，附加字节

可被写入到或从相同的方式作为常规存储器阵列的读出。

AT28BV64B

0299H–PEEPR–10/06

AT28BV64B

5.直流和交流工作范围

AT28BV64B-20

工作温度（外壳）

电源

-40° C - 85° C

2.7V至3.6V

6.操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

7.绝对最大额定值*

高温下偏置............................... -55 ° C至+ 125°C

存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压

（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

8.直流特性

符号

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 1.6毫安

= -100 A

2.0

0.45

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

民

最大

0.6

单位

0299H–PEEPR–10/06