【特点单2.7V - 3.6V电源快速读取访问时间 - 200纳秒自动页写操作- 内部地址和数据锁存为】,IC型号AT28BV256-20,AT28BV256-20 PDF资料,AT28BV256-20经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

单2.7V - 3.6V电源

快速读取访问时间 - 200纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 15毫安工作电流

- 20 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10,000次

- 数据保存：10年

JEDEC批准字节宽引脚

商用和工业温度范围

256K （ 32K ×8 ）

电池电压

并行

EEPROM的

AT28BV256

描述

该AT28BV256是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造

捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入

倍至200 ns的只有54毫瓦的功耗。当设备被取消，

在CMOS待机电流小于200微安。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

注意：

PDIP ， SOIC - 顶视图

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

PLCC - 顶视图

A12

A14

VCC

A13

A11

A13

VCC

A14

A12

1.注意： PLCC封装引脚1和17

是请勿连接。

TSOP - 顶视图

A11

A10

I/O7

I/O6

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

0273H–PEEPR–10/04

该AT28BV256是像用于读或写周期一个静态RAM的访问，而不需要

的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许写入高达64

同时字节。在写周期中，地址和数据的164个字节是互

应受锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的引发

一个写周期，该设备将使用一个内部控制自动写入锁存的数据

定时器。在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一次的结束

写周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。

Atmel的AT28BV256具有附加功能，以确保高品质和可制造性。该

器件采用延长续航内部纠错和提高数据保留

的特点。一个可选的软件数据保护机制可防范

意外写入。该装置还包括一个额外的64字节的EEPROM器件identifi-

阳离子或跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

AT28BV256

0273H–PEEPR–10/04

AT28BV256

设备

手术

阅读：

该AT28BV256访问就像一个静态RAM 。当CE和OE低， WE是

高，存储在由地址引脚确定的存储器位置中的数据被置上

的输出。的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。

这种双行控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE

高启动一个写周期。的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取

去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写操作

启动后，它会自动时间本身来完成。一旦编程操作具有

已经启动，并在t的持续时间

，一个读操作将有效是轮询

操作。

页写：

该AT28BV256的页写操作允许的数据1 64个字节是

在一个单一的内部编程周期内写入到设备中。页写操作是

以同样的方式作为一个字节的写启动;写入的第一个字节之后可被1至

63的附加字节。每个连续的字节必须写在150微秒（T

BLC

）以前的

字节。如果T

BLC

超出限制的AT28BV256将停止接受数据，并开始了

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在

A14输入 - 由A6的状态定义相同的页面。对于我们每前高后低过渡

页写操作过程中，A 6 - A14必须是相同的。

将A0至A5输入用于指定页内的哪些字节要被写。该

字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节

这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环

页也不会发生。

数据查询：

该AT28BV256设有数据投票来表示一个写周期的结束。

在一个字节或页写周期，企图读取写入将导致最后一个字节的

写入的数据的补充提交的I / O7 。一旦写周期一直的COM

pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以开始。数据可查询

在写入周期开始随时。

触发位：

除了数据投票时， AT28BV256提供了另一种方法为

确定的一写周期的结束。在写操作中，连续尝试读

从设备数据将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，有效的数据将被读取。读取触发位可能开始

在写周期期间的任何时间。

数据保护：

如果不采取预防措施，跃迁时，可能会发生意外写入

主机系统电源系统蒸发散。爱特梅尔已经将硬件和软件

功能，这将保护内存防止意外写入。

硬件保护：

硬件功能防止意外写入

AT28BV256在以下方面：（1 ）V

上电延时 - 一旦V

已达到1.8V （典型

iCal中），设备会自动超时10毫秒（典型值）允许写入前; （二）写

抑制 - 控股OE低，高CE或WE高抑制写周期的任何一个; （三）噪音滤波器

之三 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会启动写周期。

软件数据保护：

软件控制的数据保护功能已

在AT28BV256实施。软件数据保护（ SDP ）可以帮助防止意外

从破坏数据写入设备。 SDP可以防止在意外写入

上电和掉电以及系统不稳定的任何其他潜在的时期。

该AT28BV256只能使用该软件的数据保护功能编写。一系列的

三个写命令，可与特定数据的特定地址必须被呈现给

装置写入的字节或页模式之前。同样的三个写命令必须开始

每次写操作。所有的软件写命令必须服从页面模式写时序

0273H–PEEPR–10/04

规格。在3字节的命令序列的数据不被写入到设备;该

在命令序列地址，可以像在设备的任何其他位置使用。

写入到设备的任何企图没有3个字节的序列将启动内部写时序

ERS 。没有数据将被写入到设备;然而，在t的持续时间

，读操作

有效地将轮询操作。

设备标识：

提供给用户的一个额外的64个字节的EEPROM存储器的

设备识别。通过提高A9至12V

0.5V和使用地址位置7FC0H到

7FFFH中的附加字节可以被写入或从相同的方式读出作为常规

存储器阵列。

直流和交流工作范围

AT28BV256-20

COM 。

工作温度（外壳）

IND 。

电源

-40°C - 85°C

2.7V - 3.6V

-40°C - 85°C

2.7V - 3.6V

0°C - 70°C

AT28BV256-25

0°C - 70°C

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

DC特性

符号

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 1.6毫安

= -100 A

2.0

0.3

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

COM 。

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

IND 。

民

最大

0.6

单位

AT28BV256

0273H–PEEPR–10/04

AT28BV256

AC阅读特点

AT28BV256-20

符号

加

CE(1)

OE(2)

DF(3)(4)

参数

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

CE或OE到输出的浮动

从OE ， CE或地址，输出保持者为准

第一次发生

民

最大

200

AT28BV256-25

民

最大

250

100

单位

AC读波形

(1)(2)(3)(4)

加

注意事项：

1. CE可能会延迟到t

加

- t

没有对T的影响地址转换后，

加

2. OE可能会延迟到t

- t

CE没有对T的影响下降沿后

或用t

加

- t

地址变更后

没有对T的影响

加

3. t

从OE或以先到为准CE （C规定

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

0273H–PEEPR–10/04

特点

单2.7V - 3.6V电源

快速读取访问时间 - 200纳秒

自动页写操作

- 内部地址和数据锁存为64字节

内部控制定时器

快速写周期时间

- 页写周期时间： 10 ms最大

- 1到64字节页写操作

低功耗

- 15毫安工作电流

- 20 μA CMOS待机电流

硬件和软件数据保护

数据轮询写入检测结束

高可靠性的CMOS技术

- 耐力： 10,000次

- 数据保存：10年

JEDEC批准字节宽引脚

商用和工业温度范围

256K （ 32K ×8 ）

电池电压

并行

EEPROM的

AT28BV256

描述

该AT28BV256是一个高性能的电可擦除和可编程只读

只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造

捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入

倍至200 ns的只有54毫瓦的功耗。当设备被取消，

在CMOS待机电流小于200微安。

销刀豆网络gurations

引脚名称

A0 - A14

I / O0 - I / O7

功能

地址

芯片使能

OUTPUT ENABLE

写使能

数据输入/输出

无连接

不连接

注意：

PDIP ， SOIC - 顶视图

A14

A12

I/O0

I/O1

I/O2

GND

VCC

A13

A11

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

PLCC - 顶视图

A12

A14

VCC

A13

A11

A13

VCC

A14

A12

1.注意： PLCC封装引脚1和17

是请勿连接。

TSOP - 顶视图

A11

A10

I/O7

I/O6

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

GND

I/O2

I/O1

I/O0

I/O1

I/O2

GND

I/O3

I/O4

I/O5

I/O0

0273H–PEEPR–10/04

该AT28BV256是像用于读或写周期一个静态RAM的访问，而不需要

的外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器允许写入高达64

同时字节。在写周期中，地址和数据的164个字节是互

应受锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。以下的引发

一个写周期，该设备将使用一个内部控制自动写入锁存的数据

定时器。在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一次的结束

写周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。

Atmel的AT28BV256具有附加功能，以确保高品质和可制造性。该

器件采用延长续航内部纠错和提高数据保留

的特点。一个可选的软件数据保护机制可防范

意外写入。该装置还包括一个额外的64字节的EEPROM器件identifi-

阳离子或跟踪。

框图

绝对最大额定值*

高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C

存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C

所有输入电压（包括NC引脚）

相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V

所有输出电压

相对于地面.............................- 0.6V至V

+ 0.6V

在OE和A9电压

相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V

*注意：

强调超越“绝对下上市

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

年龄到设备。这是一个值仅为

该器件在这些或任何功能操作

超出所指示的其他条件

本规范的业务部门所不

暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件可能会影响

器件的可靠性

AT28BV256

0273H–PEEPR–10/04

AT28BV256

设备

手术

阅读：

该AT28BV256访问就像一个静态RAM 。当CE和OE低， WE是

高，存储在由地址引脚确定的存储器位置中的数据被置上

的输出。的输出被置于高阻抗状态时， CE或OE为高电平。

这种双行控制给出了防止总线争用在他们的系统设计灵活性。

写字节：

在WE或CE输入与CE的低脉冲或WE低（分别）和OE

高启动一个写周期。的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取

去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。一旦一个字节写操作

启动后，它会自动时间本身来完成。一旦编程操作具有

已经启动，并在t的持续时间

，一个读操作将有效是轮询

操作。

页写：

该AT28BV256的页写操作允许的数据1 64个字节是

在一个单一的内部编程周期内写入到设备中。页写操作是

以同样的方式作为一个字节的写启动;写入的第一个字节之后可被1至

63的附加字节。每个连续的字节必须写在150微秒（T

BLC

）以前的

字节。如果T

BLC

超出限制的AT28BV256将停止接受数据，并开始了

内部编程操作。页写操作过程中的所有字节必须驻留在

A14输入 - 由A6的状态定义相同的页面。对于我们每前高后低过渡

页写操作过程中，A 6 - A14必须是相同的。

将A0至A5输入用于指定页内的哪些字节要被写。该

字节可以以任何顺序被加载，并且可以在相同的负载周期内改变。只有字节

这是用于编写规定将被写入;的范围内的其它字节不必要循环

页也不会发生。

数据查询：

该AT28BV256设有数据投票来表示一个写周期的结束。

在一个字节或页写周期，企图读取写入将导致最后一个字节的

写入的数据的补充提交的I / O7 。一旦写周期一直的COM

pleted ，真正的数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以开始。数据可查询

在写入周期开始随时。

触发位：

除了数据投票时， AT28BV256提供了另一种方法为

确定的一写周期的结束。在写操作中，连续尝试读

从设备数据将导致I / O6 1和0之间切换。一旦写有

完成后， I / O6将停止切换，有效的数据将被读取。读取触发位可能开始

在写周期期间的任何时间。

数据保护：

如果不采取预防措施，跃迁时，可能会发生意外写入

主机系统电源系统蒸发散。爱特梅尔已经将硬件和软件

功能，这将保护内存防止意外写入。

硬件保护：

硬件功能防止意外写入

AT28BV256在以下方面：（1 ）V

上电延时 - 一旦V

已达到1.8V （典型

iCal中），设备会自动超时10毫秒（典型值）允许写入前; （二）写

抑制 - 控股OE低，高CE或WE高抑制写周期的任何一个; （三）噪音滤波器

之三 - 小于15纳秒（典型值）的WE或CE输入脉冲不会启动写周期。

软件数据保护：

软件控制的数据保护功能已

在AT28BV256实施。软件数据保护（ SDP ）可以帮助防止意外

从破坏数据写入设备。 SDP可以防止在意外写入

上电和掉电以及系统不稳定的任何其他潜在的时期。

该AT28BV256只能使用该软件的数据保护功能编写。一系列的

三个写命令，可与特定数据的特定地址必须被呈现给

装置写入的字节或页模式之前。同样的三个写命令必须开始

每次写操作。所有的软件写命令必须服从页面模式写时序

0273H–PEEPR–10/04

规格。在3字节的命令序列的数据不被写入到设备;该

在命令序列地址，可以像在设备的任何其他位置使用。

写入到设备的任何企图没有3个字节的序列将启动内部写时序

ERS 。没有数据将被写入到设备;然而，在t的持续时间

，读操作

有效地将轮询操作。

设备标识：

提供给用户的一个额外的64个字节的EEPROM存储器的

设备识别。通过提高A9至12V

0.5V和使用地址位置7FC0H到

7FFFH中的附加字节可以被写入或从相同的方式读出作为常规

存储器阵列。

直流和交流工作范围

AT28BV256-20

COM 。

工作温度（外壳）

IND 。

电源

-40°C - 85°C

2.7V - 3.6V

-40°C - 85°C

2.7V - 3.6V

0°C - 70°C

AT28BV256-25

0°C - 70°C

操作模式

模式

读

写

(2)

待机/写禁止

写禁止

输出禁用

芯片擦除

注意事项：

1. X可以是V

或V

2.参考AC编程波形。

3. V

= 12.0V ± 0.5V.

(1)

H(3)

高Z

I / O

OUT

高Z

DC特性

符号

参数

输入负载电流

输出漏电流

待机电流CMOS

工作电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

= 1.6毫安

= -100 A

2.0

0.3

条件

= 0V至V

+ 1V

I / O

= 0V至V

COM 。

CE = V

- 0.3V至V

+ 1V

F = 5 MHz的;我

OUT

= 0毫安

IND 。

民

最大

0.6

单位

AT28BV256

0273H–PEEPR–10/04

AT28BV256

AC阅读特点

AT28BV256-20

符号

加

CE(1)

OE(2)

DF(3)(4)

参数

地址输出延迟

CE到输出延迟

OE为输出延迟

CE或OE到输出的浮动

从OE ， CE或地址，输出保持者为准

第一次发生

民

最大

200

AT28BV256-25

民

最大

250

100

单位

AC读波形

(1)(2)(3)(4)

加

注意事项：

1. CE可能会延迟到t

加

- t

没有对T的影响地址转换后，

加

2. OE可能会延迟到t

- t

CE没有对T的影响下降沿后

或用t

加

- t

地址变更后

没有对T的影响

加

3. t

从OE或以先到为准CE （C规定

= 5 pF的）。

4.此参数的特点，而不是100％测试。

0273H–PEEPR–10/04