特点
快速读取访问时间 - 55纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最长待机
- 64 mA最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 40引脚PDIP
- 44引脚PLCC
- 40引脚VSOP
从512千比特， 1 - Mb和2兆位直接升级
（ AT27C516 ， AT27C1024 ， AT27C2048和）的EPROM
5V ±10 ％电源
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 50微秒/字（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
4-Megabit
（ 256K ×16 ）
OTP EPROM
AT27C4096
1.描述
该AT27C4096是一款低功耗，高性能的4,194,304位一次性编程
序的只读存储器（ OTP EPROM ）组织的256K ×16位。它需要
在正常读模式操作单5V电源供电。任何文字可以被访问
小于55纳秒，省去了减速等待状态。在X16 organi-
矩阵特殊积使得这款器件非常适合高性能的16位和32位微处理器
系统。
在阅读模式下， AT27C4096典型功耗15毫安。待机模式下电源电流
租金通常小于10 μA 。
该AT27C4096是提供行业标准的JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC ，和VSOP封装。该设备的特点
两线控制（CE， OE） ，以消除在高速系统总线争用。
与高密度256K字存储容量， AT27C4096允许固件进行
可靠地存储，也可以由系统没有大容量存储的延迟访问
媒体。
Atmel公司的AT27C4096具有附加功能，确保优质，高效的亲
duction使用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，并保证可靠的编程。编程时间通常只
50微秒/字。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0311I–EPROM–12/07
AT27C4096
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF的高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置............................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.最大电压为-0.6V的DC可能下冲至-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
3
0311I–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9 ，其被设定为V
H
和A0 ，其已切换
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字和高（V
IH
）选择器件代码字。
5.待机V
CC
电流（I
SB
）指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
＆ GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB
.
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A17 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C4096
-55
工业运行温度（外壳）
V
CC
电源
-40° C - 85° C
5V
±
10%
-90
-40° C - 85° C
5V
±
10%
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS）的
CE = V
CC
± 0.3V
I
SB2
（ TTL）的
CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
民
最大
±
1
±
5
10
100
1
40
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
I
SB
V
CC(1)
待机电流
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
4
AT27C4096
0311I–EPROM–12/07
AT27C4096
9. AC特性读操作
AT27C4096
-55
符号
t
ACC(1)
t
CE(1)
t
OE(1)
t
DF(1)
t
OH(1)
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
55
55
20
20
7
0
民
-90
最大
90
90
35
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准
第一次发生
从地址， CE或OE ，输出保持者为准
第一次发生
1.请参阅AC波形的读操作图。
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0311I–EPROM–12/07
AT27C4096
特点
快速读取访问时间 - 55纳秒
低功耗CMOS操作
– 100
A
最长待机
- 64 mA最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 40引脚600密耳PDIP
- 44引脚PLCC
- 40引脚TSOP （10毫米×14 MM）
从512K位直接升级， 1M位和2M位
（ AT27C516 ， AT27C1024 ， AT27C2048和）的EPROM
5V
±
10 ％的电力供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 50
μS/字
（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
4-Megabit
（ 256K ×16 ）
OTP EPROM
AT27C4096
描述
该AT27C4096是一款低功耗，高性能的4,194,304位一次性编程
序的只读存储器（ OTP EPROM ）举办256K 16位。它需要一个赎罪
在正常模式下的读取操作GLE 5V电源。任何文字可以被访问
小于55纳秒，省去了减速等待状态。在由-16
组织使这种器件非常适合高性能的16位和32位微处理器
系统。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
O0 - O15
CE
OE
NC
注意：
PDIP顶视图
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
这两个GND引脚必须
连接。
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
0311E-A–06/97
1
描述
在阅读模式下， AT27C4096典型功耗15毫安。
待机状态下的电源电流通常小于10
A.
该AT27C4 096是VA ILA BLE INI ndus TR ST安达次
JEDEC批准的一次性可编程（ OTP ）塑料
PDIP ， PLCC ，和TSOP封装。该设备的特点
两线控制（ CE ， OE ），以消除总线争用
高速系统。
与高密度256K字存储容量，
AT27C4096允许固件可靠地存储并要
通过该系统，而无需大容量存储器的访问延迟
媒体。
Atmel公司的AT27C4096具有附加功能，确保
优质，高效的生产使用。快速
亲
编程算法减少了编程所需的时间
的一部分，并保证可靠的编程。编程
明的时间通常只有50
μS/字。
集成的精良
UCT识别码电子识别装置
和制造商。此功能由行业标
准编程设备来选择合适的编程
明的算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬时电压偏移。
除非容纳由系统设计中，这些转录
sients可能会超出数据表的限制，造成设备
不符合。至少，一个0.1
F
高频率，
固有的低电感，陶瓷电容应泌尿道感染
lized每个设备。该电容应连接
在V之间
CC
和接地装置的终端，如
靠近器件成为可能。另外，为了稳定
在印刷电路板上的大电源电压电平
EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应
被利用，再连接在V之间
CC
和地面
终端。该电容的位置应尽可能靠近
能够在电源被连接在点
到阵列中。
2
AT27C4096
AT27C4096
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置......................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度............................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面...............................- 2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面............................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
V
PP
与电源电压
对于地面.............................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
最大电压为-0.6V DC可能下冲
到-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出
放脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能高估
拍摄到+ 7.0V少于20纳秒脉冲。
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9 ，其被设定为V
H
和A0 ，其已切换
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字和高（V
IH
）选择器件代码字。
5.待机V
CC
电流（I
SB
）指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
＆ GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB
.
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A17 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
3
AT27C4096
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
输入测试波形和测量水平
对于只有-55设备：
输出测试负载
t
R
, t
F
< 5纳秒（10％至90％）的
为-70 ， -90 ， -12和-15的设备：
注意：
CL = 100 pF包括夹具
电容，除了
在-45和-55设备，
其中， CL = 30 pF的。
t
R
, t
F
＆ LT ; 20毫微秒（10％至90％）的
引脚电容
中（f = 1 MHz的T = 25℃）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
QQ：2881677436 复制
