特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
– 100
A（最大值） 。待机
- 最多20毫安。活跃在5MHz
JEDEC标准封装
- 28引脚600密耳PDIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚TSOP和SOIC
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
S /字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用，工业和汽车温度范围
256K （ 32K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C256R
描述
该AT27C256R是一款低功耗，高性能的262,144位一次性可编
BLE只读存储器（ OTP EPROM ）举办32K ×8位。它仅需要一个5V
在正常读模式操作电源。任何字节不到访问
45纳秒，省去了高性能减速等待状态
微处理器系统。
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速
编程。耗电量通常只有8毫安在主动模式和小于
10
A
在待机状态。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0到A14
O0 - O7
CE
OE
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
PDIP SOIC顶视图
,
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
256K EPROM
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
O7
O6
OE
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
VPP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
GND
O2
O1
O0
A0
A1
A2
A7
A12
VPP
NC
VCC
A14
A13
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
注意：
PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
牧师0014H - 07 / 98
1
该AT27C256R可在行业的选择标
准JEDEC批准的一次性可编程（ OTP ）
塑料DIP ， PLCC ，SOIC和TSOP封装。所有器件
功能两线控制（ CE ， OE）给设计师flex-
ibility防止总线争用。
用32K字节的存储容量， AT27C256R允许
固件被可靠地存储并要由被访问
系统，而无需大容量存储媒体的延迟。
Atmel的27C256R具有附加功能，以确保高
优质高效的生产使用。快速编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为100
微秒/字节。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬时电压偏移。
除非容纳由系统设计中，这些转录
sients可能会超出数据表的限制，造成设备
不符合。至少，一个0.1
F
高频率，
固有的低电感，陶瓷电容应泌尿道感染
lized每个设备。该电容应连接
在V之间
CC
和接地装置的终端，如
靠近器件成为可能。另外，为了稳定
在印刷电路板上的大电源电压电平
EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应
被利用，再连接在V之间
CC
和地面
终端。该电容的位置应尽可能靠近
能够在电源被连接在点
到阵列中。
2
AT27C256R
AT27C256R
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
1.
*注意：
强调超越那些绝对马克西在“上市
妈妈评级“可能会造成永久性的损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他tional操作
超出的操作指示的条件
本规范的tional部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
最低电压为-0.6V DC可能下冲
到-2.0V为小于20 ns.Maximum输出的脉冲
放脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能高估
拍摄到7.0伏为小于20纳秒的脉冲。
操作模式
模式\\引脚
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
(2)
可选PGM验证
(2)
PGM禁止
(2)
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发低
(V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
X
(1)
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
(1)
Ai
Ai
Ai
X
(1)
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A14 = V
IL
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
CC
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
3
直流和交流工作条件的读操作
AT27C256R
-45
COM 。
操作
温度。 （案例）
V
CC
供应
IND 。
自动。
5V
±
10%
5V
±
10%
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-40°C - 125°C
5V
±
10%
-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-40°C - 125°C
5V
±
10%
-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-40°C - 125°C
5V
±
10%
-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
-40°C - 125°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
参数
输入负载电流
条件
融为一体，印第安纳州。
V
IN
= 0V至V
CC
自动。
融为一体，印第安纳州。
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时，E = V
IL
-0.6
2.0
自动。
民
最大
±1
±5
±5
±10
10
100
1
20
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时除去或V后
PP
..
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
..
AC特征的读操作
AT27C256R
-45
符号参数
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意：
条件
-55
-70
-90
-12
-15
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
45
45
20
20
7
7
55
55
25
20
7
70
70
30
25
0
90
90
30
25
0
120
120
35
30
0
150
150
40
35
ns
ns
ns
ns
ns
地址到输出的延迟CE = OE = V
IL
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE = V
IL
CE = V
IL
OE或CE高到输出
浮法，以先发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
2 ， 3 ， 4 ， 5， - 看到AC波形进行读操作。
4
AT27C256R
AT27C256R
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
定时测量参考电平为1.5V为-45和-55设备。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V.
定时测量参考电平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平的
V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
2.
3.
4.
5.
输入测试波形和
测量级别
对于只有-45和-55设备：
输出测试负载
t
R
, t
F
< 5纳秒（10％至90％）的
为-70 ， -90 ，-12，和-15的设备：
注意：
C
L
= 100 pF包括夹具
电容，除了
在-45和-55设备，
其中C
L
= 30 pF的。
t
R
, t
F
＆ LT ; 20毫微秒（10％至90％）的
引脚电容
（ F = 1MHz时， T = 25 ° C）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
4
8
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
5
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 20毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 28引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 28引脚TSOP和SOIC
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业和汽车温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
256K （ 32K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C256R
1.描述
该AT27C256R是一款低功耗，高性能的262,144位一次性可编
竹叶提取只读存储器（ OTP EPROM ）举办32K由8位。它仅需要一个5V
在正常读模式操作电源。任何字节不到访问
45纳秒，省去了高性能减速等待状态
微处理器系统。
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速
编程。耗电量通常只有8毫安在主动模式和小于
10 μA待机。
该AT27C256R可在行业标准的JEDEC批准的一个选择
一次性可编程（ OTP ）塑料DIP ， PLCC ，SOIC和TSOP封装。所有器件
功能两线控制（ CE ， OE）给设计者的弹性，防止公交车
争。
以32K字节的存储容量， AT27C256R允许固件被存储可靠性
巧妙地，也可以通过系统而不大容量存储媒体的延迟访问。
Atmel的AT27C256R有更多的功能，以确保优质，高效的亲
duction使用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，并保证可靠的编程。编程时间通常只
100微秒/字节。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0014M–EPROM–12/07
AT27C256R
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF的高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲，以7.0伏为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
强调超越那些绝对马克西在“上市
妈妈评级“可能会造成永久性的损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他tional操作
超出的操作指示的条件
本规范的tional部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
3
0014M–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
(2)
可选PGM验证
(2)
PGM禁止
(2)
产品标识
注意事项：
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
X
(1)
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
(1)
Ai
Ai
Ai
X
(1)
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A14 = V
IL
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
CC
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C256R
-45
工作温度。 （案例）
IND 。
自动。
V
CC
供应
5V ± 10%
-40° C - 85° C
-70
-40° C - 85° C
-40° C - 125° C
5V ± 10%
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
参数
输入负载电流
条件
IND 。
V
IN
= 0V至V
CC
自动。
IND 。
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时，E = V
IL
-0.6
2.0
自动。
民
最大
±1
±5
±5
±10
10
100
1
20
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须用或V之前同时施加
PP
并同时除去或V后
PP
..
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
4
AT27C256R
0014M–EPROM–12/07
AT27C256R
.
9. AC特性读操作
AT27C256R
-45
符号
t
ACC(1)
t
CE(1)
t
OE(1)
t
DF(1)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
OE或CE高到输出
浮法，以先发生
从地址， CE或OE输出保持，
以先发生
1.请参见AC波形读操作。
7
条件
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
45
45
20
20
7
民
-70
最大
70
70
30
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考电平为1.5V为-45设备。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测
surement参考水平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.45V
和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0014M–EPROM–12/07
QQ：2881677436 复制
