AT27C256R
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
100
A
最大。待机
mA（最大值） 20 。活跃在5MHz
JEDEC标准封装
28引脚600密耳PDIP
32引脚PLCC
28引脚TSOP和SOIC
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
2,000V ESD保护
200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
微秒/字节
（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
OTP
CMOS
EPROM
描述
该AT27C256R是一款低功耗，高性能的262,144位一次性可编
BLE只读存储器（ OTP EPROM ）举办32K ×8位。它仅需要一个
在正常模式下的读取操作5V电源。任何字节可以在更短的访问
超过45纳秒，省去了减速等待状态高性能
微处理器系统。
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速
编程。耗电量通常只有8毫安在主动模式，少
比10
A
在待机状态。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
O0 - O7
CE
OE
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
PDIP ， SOIC顶视图
AT27C256R
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
注： PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0014G
3-125
描述
（续）
该AT27C256R可在行业选择待机动
ARD JEDEC批准的一次性可编程（ OTP ）
塑料DIP ， PLCC ，SOIC和TSOP封装。所有从
恶习设有两线控制（ CE ， OE）给设计者
弹性，防止总线争用。
用32K字节的存储容量， AT27C256R允许
固件被可靠地存储并要由被访问
系统，而无需大容量存储媒体的延迟。
Atmel的27C256R具有附加功能，以确保高
优质高效的生产使用。快速
编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为100
微秒/字节。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
明的算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬态电压excur-
sions 。除非容纳由系统设计中，这些
瞬变可能会超出数据表的限制，导致DE-
副不合格。至少，一个0.1
F
高频
昆西，固有的低电感，陶瓷电容
应被用于每个设备。该电容应
被连接在V之间
CC
和接地端子
该装置中，如靠近器件成为可能。另外，
以稳定的印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解
电容应该利用，再连接之间的
V
CC
和接地端子。该电容应该是位置
tioned尽可能接近的地步的功率
电源被连接到所述阵列。
3-126
AT27C256R
AT27C256R
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面......................... -2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面...................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面....................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
*注意：如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲
到-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出
放脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能高估
拍摄到+ 7.0V少于20纳秒脉冲。
操作模式
模式\\引脚
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
(2)
可选PGM验证
(2)
PGM禁止
(2)
产品标识
(4)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
X
(1)
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
(1)
Ai
Ai
Ai
X
(1)
A9 = V
H (3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A14 = V
IL
V
PP
V
CC
V
CC
V
CC
V
PP
V
PP
V
CC
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
D
OUT
高Z
鉴定
CODE
注：1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0
±
0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱投入
保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0
这是触发低（V
IL
）选择制造商Identi-
fication字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
3-127
直流和交流工作条件的读操作
AT27C256R
-45
操作
温度。 （案例）
V
CC
供应
COM 。
0°C - 70°C
5V
±
10%
工业-40°C - 85°C
-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1
(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入负载电流
输出漏电流
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时，
CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
20
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
PP
(1)
读/待机电流V
PP
= V
CC
V
CC
(1)
待机电流
注意事项： 1， V
CC
必须同时或V前申请
PP
,
同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了编程过程中
明。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
AC特征的读操作
AT27C256R
-45
符号
t
ACC （3）
t
CE （2）
t
OE（ 2 ，3）
t
DF （ 4,5）
t
OH
注意事项：
-55
民
最大
-70
民
最大
-90
民
最大
-12
民
最大
-15
民
最大
参数
地址
输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
45
45
20
20
7
7
55
55
25
20
7
70
70
30
25
0
90
90
30
25
0
120
120
35
30
0
150
150
40
35
OE或CE高到
输出的浮动，以先发生
从输出保持
地址， CE或OE ，
以先发生
2 ， 3 ， 4 ， 5， - 看到AC波形进行读操作。
3-128
AT27C256R
AT27C256R
AC波形的读操作
(1)
注：1.定时测量参考电平为1.5V为-45
-55和设备。 AC输入驱动电平为V
IL
=
0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测量为参考
ENCE级别其他所有速度等级为V
OL
=
0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
在下跌后
CE没有对T的影响边缘
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
后的地址是有效的
没有对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时的数据不再
驱动。
输入测试波形和测量水平
对于只有-45和-55设备：
输出测试负载
t
R
, t
F
< 5纳秒（10％至90％）的
为-70 ， -90 ，-12，和-15的设备：
注意：
C
L
= 100 pF包括夹具
电容，除了
在-45和-55设备，
其中C
L
= 30 pF的。
t
R
, t
F
＆ LT ; 20毫微秒（10％至90％）的
引脚电容
（ F = 1MHz时， T = 25 ° C）
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
(1)
最大
6
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
4
8
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
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QQ：2880707522 复制
