AT27C1024
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
– 100
A
最大。待机
- 最大30毫安。活跃在5MHz
JEDEC标准封装
- 40引脚600密耳PDIP
- 44引脚PLCC
- 40引脚TSOP （10毫米×14 MM）
从512K （ AT27C516 ） EPROM直接升级
5V
±
10 ％的电力供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
μS/字
（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
AT27C1024
1-Megabit
（ 64K ×16 ）
OTP EPROM
AT27C1024
描述
该AT27C1024是一款低功耗，高性能的1,048,576位一次性编程
序的只读存储器（ OTP EPROM ）举办64K ×16位。它仅需要
在正常的读操作模式1 5V电源。任何文字可以被访问
小于45纳秒，省去了减速WAIT状态。在由-16
组织使这种器件非常适合高性能的16位和32位微处理器
系统。
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
O0 - O15
CE
OE
PGM
NC
注意：
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
这两个GND引脚必须
连接。
PDIP顶视图
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
0019I-A–7/97
1
AT27C1024
在阅读模式下， AT27C1024典型功耗15毫安。
待机状态下的电源电流通常小于10
A.
该AT27C1024是行业标准提供JEDEC-
批准的一次性可编程（ OTP ）塑料PDIP ，
PLCC和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ）来消除在高速总线争
系统。
高密度64K字的存储容量，
AT27C1024允许固件可靠地存储并要
通过该系统，而无需大容量存储器的访问延迟
媒体。
Atmel公司的27C1024有附加功能，以确保高
优质高效的生产使用。快速
编程
明算法减少了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。程序设计
时间通常仅为100
μS/字。
综合产品
识别码的电子识别设备和
制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
算法和电压。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬时电压偏移。
除非容纳由系统设计中，这些转录
sients可能会超出数据表的限制，造成设备
不符合。至少，一个0.1
F
高频率，
固有的低电感，陶瓷电容应泌尿道感染
lized每个设备。该电容应连接
在V之间
CC
和接地装置的终端，如
靠近器件成为可能。另外，为了稳定
在印刷电路板上的大电源电压电平
EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应
被利用，再连接在V之间
CC
和地面
终端。该电容的位置应尽可能靠近
能够在电源被连接在点
到阵列中。
2
AT27C1024
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置......................- 55 ° C至+ 125°C
储存温度............................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面..............................- 2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面...........................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面............................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
*注意：
强调超越那些绝对马克西在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件的操作
超越那些在运营仲表示系统蒸发散
本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
注意：
最低电压为-0.6V DC可能下冲来
-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出引脚
电压为V
CC
+ 0.75V直流可能过冲至+ 7.0V
对于小于20纳秒的脉冲。
操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品
注意事项：
鉴定
(4)
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A15 = V
IL
V
PP
X
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字和高（V
IH
）选择器件代码字。
5.待机V
CC
电流（I
SB
）指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
＆ GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB
.
3
AT27C1024
直流和交流工作条件的读操作
AT27C1024
-45
操作
温度
（案例）
V
CC
电源
COM 。
IND 。
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-55
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-70
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-90
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-12
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
-15
0°C - 70°C
-40°C - 85°C
5V
±
10%
DC和工作特性的读操作
符号
I
LI
I
LO
IPP1
(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1))
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
民
最大
±
1
±
5
10
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
0.3V
100
1
30
-0.6
2.0
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
和
I
PP
.
AC特征的读操作
AT27C1024
-45
符号参数
t
ACC(3)
t
CE(2)
t
OE(2)(3)
t
DF(4)(5)
t
OH
注意事项：
地址
输出延迟
CE到输出
延迟
OE为输出
延迟
OE或CE高到输出浮动，
以先发生
从输出保持
地址， CE或OE ，
以先发生
2 ， 3 ， 4 ， 5， - 看到AC波形进行读操作。
7
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
-55
-70
-90
-12
-15
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
45
45
20
20
7
55
55
25
25
7
70
70
25
25
0
90
90
30
30
0
120
120
35
30
0
150
150
50
40
ns
ns
ns
ns
ns
4
AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.
定时测量参考电平为1.5V为-45和-55设备。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V.
定时测量参考电平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平的
V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
该参数仅取样，而不是100％测试。
输出的浮动被定义为点，当数据不再驱动。
2.
3.
4.
5.
引脚电容
中（f = 1 MHz的T = 25℃）
(1)
典型值
C
IN
C
OUT
注意：
4
8
最大
10
12
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
1.典型值标称电源电压。该参数仅取样，而不是100％测试。
输入测试波形和测量水平
输出测试负载
为-45和-55
设备只
为-70慢
设备只
注意：
C
L
= 100 pF包括夹具
除了电容-45和-55
设备，其中C
L
= 30 pF的。
5
AT27C1024
特点
快速读取访问时间 - 45纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 40引脚PDIP
- 44引脚PLCC
- 40引脚VSOP
从512K （ AT27C516 ） EPROM直接升级
5V ±10 ％电源
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
综合产品标识代码
工业和汽车温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
1-Megabit
（ 64K ×16 ）
OTP EPROM
AT27C1024
1.描述
该AT27C1024是一款低功耗，高性能的1,048,576位一次性编程
序的只读存储器（ OTP EPROM ）举办64K由16位。它仅需要
在正常的读操作模式1 5V电源。任何文字可以被访问
小于45纳秒，省去了减速WAIT状态。在由16奥尔加
nization使该器件非常适用于高性能16位和32位微处理器
系统。
在阅读模式下， AT27C1024典型功耗15毫安。待机模式下电源电流
租金通常小于10 μA 。
该AT27C1024是提供行业标准的JEDEC批准的一次性亲
可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC ，和VSOP封装。该设备的特点
两线控制（CE， OE） ，以消除在高速系统总线争用。
高密度64K字的存储容量， AT27C1024允许固件进行
可靠地存储，也可以由系统没有大容量存储的延迟访问
媒体。
Atmel公司的AT27C1024有额外的功能，以确保优质，高效的亲
duction使用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，并保证可靠的编程。编程时间通常只
100微秒/字。综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0019M–EPROM–12/07
AT27C1024
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1 μF的高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置.............................. -55 ° C至+ 125°C
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面........................................- 2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面.....................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流可能过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
*注意：
强调超越那些绝对马克西在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或任何其他条件的操作
超越那些在运营仲表示系统蒸发散
本规范的系统蒸发散是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
3
0019M–EPROM–12/07
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性。
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字和高（V
IH
）选择器件代码字。
5.待机V
CC
电流（I
SB
）指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
＆ GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB
.
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
X
V
IL
PGM
X
(1)
X
X
V
IL
V
IH
X
X
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A15 = V
IL
V
PP
X
X
X
(5)
V
PP
V
PP
V
PP
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C1024
-45
工作温度。 （案例）
V
CC
电源
IND 。
自动。
5V ± 10%
5V ± 10%
-40° C - 85° C
-70
-40° C - 85° C
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
参数
输入负载电流
条件
IND 。
V
IN
= 0V至V
CC
自动。
IND 。
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
输出漏电流
V
PP(1))
读/待机电流
V
CC(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
± 0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
自动。
民
最大
±1
±5
±5
±10
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
..
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
..
4
AT27C1024
0019M–EPROM–12/07
AT27C1024
9. AC特性读操作
AT27C1024
-45
符号
t
ACC(1)
t
CE(1)
t
OE(1)
t
DF(1)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
45
45
20
20
7
7
民
-70
最大
70
70
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准先发生
从地址， CE或OE ，输出保持者为准
第一次发生
1.请参见AC波形读操作。
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考电平为1.5V为-45 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.0V和V
IH
= 3.0V 。定时测量
换货参考水平为所有其他速度等级为V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2.0V 。 AC输入驱动电平为V
IL
= 0.45V和V
IH
= 2.4V.
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0019M–EPROM–12/07
QQ：2880707522 复制
