特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
低功耗CMOS操作
- 100 μA最大待机
- 30毫安最大活动在5 MHz
JEDEC标准封装
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
5V
±
10 ％供应
高可靠性的CMOS技术
- 2000V的ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物）的包装选项
4-Megabit
（ 512K ×8 ）
OTP EPROM
AT27C040
1.描述
该AT27C040芯片是一款低功耗，高性能， 4,194,304位一次性亲
可编程只读了8位， 512K存储器（ OTP EPROM ） 。该
AT27C040需要在正常的读操作模式只有一个5V电源。任何
字节可在小于70纳秒来访问，省去了减速
伺候高性能的微处理器系统状态。
Atmel的缩放CMOS技术提供低工作功耗和快速
编程。功耗通常8毫安在主动模式和小于
10
A
在待机模式下。
该AT27C040可在行业标准的JEDEC批准单的选择
一次性可编程（ OTP ）塑料PDIP ， PLCC和TSOP封装。该设备为特色的
Tures的两线控制（CE， OE） ，以消除在高速系统总线争用。
Atmel公司的AT27C040具有附加功能，以确保高品质和高效率的生产
化利用。快速编程算法降低了编程所需的时间
的一部分，保证可靠的编程。编程时间通常只
100
微秒/字节。
综合产品标识代码的电子标识
设备制造商。此功能是通过使用行业标准的编程
设备选择适当的编程算法和电压。
0189G–EPROM–05/05
AT27C040
3.切换的注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中，这些瞬变可
超出数据表的限制，导致设备不符合。至少，一个0.1
F
高
频率，低固有电感，陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子，由于靠近
到设备成为可能。此外，为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列，一个4.7 μF的大容量电解电容，应使用，再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于地面............................................- 2.0V至+ 7.0V
电压与A9
对于地面.........................................- 2.0V至14.0 V
V
PP
与电源电压
对于地面..........................................- 2.0V至+ 14.0V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性。
3
0189G–EPROM–05/05
6.操作模式
模式/针
读
输出禁用
待机
快速程序
(2)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(4)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.请参阅编程特性
3. V
H
= 12.0 ± 0.5V.
4.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
），除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字节和高（V
IH
）选择器件代码字节。
CE
V
IL
X
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
Ai
X
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(3)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A18 = V
IL
V
PP
X
(1)
X
X
V
PP
V
PP
V
PP
X
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27C040-70
工业运行温度（外壳）
V
CC
电源
-40°C - 85°C
5V
±
10%
AT27C040-90
-40°C - 85°C
5V
±
10%
8. DC和操作特性读操作
符号
I
LI
I
LO
I
PP1(2)
I
SB
I
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
注意事项：
参数
输入负载电流
输出漏电流
V
PP(1)
读/待机电流
V
CC1(1)
待机电流
V
CC
工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400 A
2.4
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
OUT
= 0V至V
CC
V
PP
= V
CC
I
SB1
（ CMOS ） ，CE = V
CC
±
0.3V
I
SB2
（ TTL ） ， CE = 2.0 V
CC
+ 0.5V
F = 5MHz时，我
OUT
= 0 mA时， CE = V
IL
-0.6
2.0
民
最大
±1
±5
10
100
1
30
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
单位
A
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
1. V
CC
必须同时或V前申请
PP
，并同时或V后取出
PP
.
2. V
PP
可以直接连接到V
CC
除了在编程过程中。电源电流便会成为我的总和
CC
我
PP
.
4
AT27C040
0189G–EPROM–05/05
AT27C040
9. AC特性读操作
AT27C040
-70
符号
t
ACC(1)
t
CE(1)
t
OE(1)
t
DF(1)
t
OH
注意：
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
条件
CE = OE
= V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
民
最大
70
70
30
20
0
0
民
-90
最大
90
90
35
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
OE或CE高到输出浮法为准先发生
从地址， CE或OE ，无论发生输出保持
第一次
1.请参见AC波形的读操作
10. AC波形的读操作
(1)
注意事项：
1.定时测量参考是0.8V和2.0V 。 AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ，除非另有说明。
2. OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
.
3. OE可能会延迟到t
加
- t
OE
地址后没有有效的对T的影响
加
.
4.此参数仅取样，而不是100％测试。
5.输出浮子被定义为点时，数据将不再被驱动。
5
0189G–EPROM–05/05
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