特点
快速读取访问时间 - 70纳秒
双电压范围运行
- 非稳压电池电源电压范围, 2.7V至3.6V
或5V标准
±
10%的电源电压范围
引脚兼容JEDEC标准AT27C512R
低功耗CMOS操作
- 20 μA最大值(小于1 μA典型值)处于待机状态的V
CC
= 3.6V
- 29毫瓦最大活动在5 MHz的V
CC
= 3.6V
JEDEC标准的表面贴装封装
- 32引脚PLCC
- 28引脚SOIC
- 28引脚TSOP
高可靠性的CMOS技术
- 2,000V ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速编程算法 - 100微秒/字节(典型值)
CMOS和TTL兼容输入和输出
- JEDEC标准LVTTL和LVBO
综合产品标识代码
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物)的包装选项
512K ( 64K ×8 )
无管制
电池电压
快速
OTP EPROM
AT27BV512
1.描述
该AT27BV512是一款高性能,低功耗,低电压524,288位一次性
可编程只读存储器( OTP EPROM )由8位, 64K 。它
仅需要一个在正常读模式操作,以3.6V电源中的2.7的范围内,
因此非常适合使用任何监管或不受监管的电池进行快速,便携式系统
力。
Atmel创新的设计技术提供快速的速度,其竞争对手5V的部分,而
保持一个3V供电的低功耗。在V
CC
= 2.7V ,任何字节可
在不到70 ns的访问。仅18 mW的典型功耗为
5 MHz和V
CC
= 3V时, AT27BV512消耗少于五分之一的功率
标准5V EPROM 。
待机模式下电源电流一般小于1 μA ,在3V 。该AT27BV512 simpli-
外资企业系统设计和延伸电池寿命,甚至进一步通过省去
电源调节。
该AT27BV512是行业标准的JEDEC批准的一次性用
可编程( OTP )塑料PLCC ,SOIC和TSOP封装。所有器件均
两线控制( CE , OE) ,使设计人员能够灵活地防止总线争用。
该AT27BV512与V操作
CC
在3.0V产生TTL电平输出,是的COM
兼容标准TTL逻辑器件在V操作
CC
= 5.0V 。在V
CC
= 2.7V时,
部分兼容JEDEC批准的低电压电池供电( LVBO )接口
脸上规范。该装置也可进行标准的5伏的操作使其
非常适用于双电源电压范围的系统或卡产品是可插拔的
两个3伏和5伏的主机。
0602E–EPROM–12/07
Atmel的AT27BV512具有附加功能,以确保高品质和高效率的生产使用。
快速编程算法降低了编程的一部分,瓜拉尼所需的时间
T恤可靠的编程。编程时间通常仅为100微秒/字节。综合
产品识别码电子识别设备和制造商。此功能
所使用的工业标准编程设备选择适当的编程algo-
rithms和电压。该AT27BV512方案完全相同的方式作为标准5V
AT27C512R ,并使用相同的编程设备。
2.引脚配置
引脚名称
A0 - A15
O0 - O7
CE
OE / VPP
NC
功能
地址
输出
芯片使能
输出使能/供应计划
无连接
2.1
28引脚SOIC顶视图
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
A14
A13
A8
A9
A11
OE / VPP
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
2.3
28引脚TSOP (类型1 )顶视图
OE / VPP
A11
A9
A8
A13
A14
VCC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
GND
O2
O1
O0
A0
A1
A2
2.2
32引脚PLCC顶视图
A7
A12
A15
NC
VCC
A14
A13
注意:
PLCC封装引脚1和17是不连接。
2
AT27BV512
0602E–EPROM–12/07
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE / VPP
A10
CE
O7
O6
AT27BV512
3.系统注意事项
通过芯片使能引脚工作和待机状态之间的切换可能会产生转录
过性电压偏移。除非容纳由系统设计中,这些瞬变可
超出数据表的限制,导致设备不符合。至少,一个0.1 μF的高
频率,低固有电感,陶瓷电容应被用于每个设备。这
电容应连接在V之间
CC
和接地装置的端子,由于靠近
到设备成为可能。此外,为了稳定在印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列,一个4.7 μF的大容量电解电容,应使用,再
连接V之间
CC
和接地端子。该电容应定位为
尽可能接近当电源被连接到所述阵列的点。
4.框图
5.绝对最大额定值*
高温下偏置.................................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 125°C
任何引脚的电压
对于地面.........................................- 2.0V至+7.0 V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意事项:
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲至-2.0V少于20ns的脉冲。最大输出引脚电压
V
CC
+ 0.75V直流,如果某些预防措施,发现其可能会超过(参考应用笔记),并且可
过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
*注意:
强调超越“绝对下上市
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
3
0602E–EPROM–12/07
6.操作模式
模式\\引脚
读
(2)
输出禁用
(2)
待机
(2)
快速程序
(3)
PGM验证
(3)
PGM禁止
(3)
产品标识
(3)(5)
注意事项:
1. X可以是V
IL
或V
IH
.
2.读取,输出禁止和待机模式需要, 2.7V
≤
V
CC
≤
3.6V , 4.5V或
≤
V
CC
≤
5.5V.
3.参考编程特性。编程模式需要V
CC
= 6.5V.
4. V
H
= 12.0
±
0.5V.
5.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入保持低电平(V
IL
),除了A9被设定为V
H
和A0被触发
LOW (V
IL
)选择制造商的标识字节和高(V
IH
)选择器件代码字节。
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE / V
PP
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
IL
V
PP
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H(4)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A15 = V
IL
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
7.直流和交流工作条件的读操作
AT27BV512-70
工作温度(外壳)
V
CC
电源
-40°C - 85°C
2.7V至3.6V
5V
±
10%
4
AT27BV512
0602E–EPROM–12/07
AT27BV512
特点
快速读取访问时间 - 90纳秒
双电压范围运行
不受监管的电池电源电压范围, 2.7V至3.6V
或5V标准
±
10%的电源电压范围
引脚兼容JEDEC标准AT27C512
低功耗CMOS操作
20
A
最大。 (小于1μA典型值),处于待机状态的V
CC
= 3.6V
29毫瓦最大。活跃在5MHz的V
CC
= 3.6V
JEDEC标准的表面贴装封装
32引脚PLCC
28引脚330密耳SOIC
28引脚TSOP
高可靠性的CMOS技术
2,000V ESD保护
200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 100
微秒/字节
(典型值)
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC标准LVTTL和LVBO
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
描述
该AT27BV512是一款高性能,低功耗,低电压524,288位一次性
可编程只读了8位, 64K存储器( OTP EPROM ) 。它重新
张塌塌米唯一一个在2.7V至3.6V的正常读取模式操作的范围内供给,
因此非常适合使用任何监管或不受监管的电池进行快速,便携式系统
力。
Atmel创新的设计技术提供快速的速度,其竞争对手5V的部分,而
保持一个3V供电的低功耗。在V
CC
= 2.7V ,任何字节可
在小于90纳秒访问。仅18 mW的典型功耗为5
MHz和V
CC
= 3V时, AT27BV512消耗少于五分之一的功率
标准5V EPROM 。
(续)
512K ( 64K ×8 )
无管制
电池电压
高速
OTP
CMOS EPROM
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A15
O0 - O7
CE
OE / V
PP
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
SOIC顶视图
AT27BV512
PLCC顶视图
TSOP顶视图
类型1
注: PLCC封装引脚1和
17顷请勿连接。
0602A
3-13
描述
(续)
待机状态下的电源电流通常小于1
A
at
3V 。该AT27BV512简化了系统设计,并
通过消除延伸电池寿命进一步
需要电源调节。
该AT27BV512是行业标准提供JEDEC-
批准的一次性可编程( OTP )塑料PLCC ,
SOIC和TSOP封装。所有器件具有两线
控制( CE , OE) ,使设计人员能够灵活地防止
总线争用。
该AT27BV512与V操作
CC
在3.0V TTL生产
电平输出的是标准的TTL逻辑兼容
器件在V操作
CC
= 5.0V 。在V
CC
= 2.7V ,部分
是兼容JEDEC批准的低电压电池
操作( LVBO )接口规范。该装置是
也可进行标准的5伏的操作使其非常
适用于双电源电压范围的系统或存储卡产品
是可插入在两个3伏和5伏的主机。
Atmel的AT27BV512有更多的功能,以确保
优质,高效的生产使用。快速
亲
编程算法减少了编程所需的时间
的一部分,并保证可靠的编程。编程
明的时间通常只有100
微秒/字节。
综合
产品识别码电子识别DE-
副和制造商。此功能用于工业
标准编程设备来选择合适的
编程算法和电压。该AT27BV512
程序完全相同的方式作为标准5V
AT27C512R ,并使用相同的编程设备。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬态电压excur-
sions 。除非容纳由系统设计中,这些
瞬变可能会超出数据表的限制,导致DE-
副不合格。至少,一个0.1
F
高频
昆西,固有的低电感,陶瓷电容
应被用于每个设备。该电容应
被连接在V之间
CC
和接地端子
该装置中,如靠近器件成为可能。另外,
以稳定的印刷电路的电源电压电平
板大EPROM阵列, 4.7
F
大容量电解
电容应该利用,再连接之间的
V
CC
和接地端子。该电容应该是位置
tioned尽可能接近的地步的功率
电源被连接到所述阵列。
3-14
AT27BV512
AT27BV512
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -40 ° C至+ 85°C
存储温度...................... -65 ° C至+ 125°C
任何引脚的电压
对于地面......................... -2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面...................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
V
PP
与电源电压
对于地面....................... -2.0V至+ 14.0V
(1)
*注意:如果运行条件超出绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或超出indi-任何其他条件
符在操作部分本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
注意:
1.最小电压为-0.6V DC可能下冲
到-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大输出
放脚电压为V
CC
+ 0.75V直流可能是EX-
如果某些预防措施,发现超过容许(咨询
应用笔记),并且可能会过冲至
+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
操作模式
模式\\引脚
读
(2)
输出禁用
(2)
待机
(2)
快速程序
(3)
PGM验证
(3)
PGM禁止
(3)
产品标识
(3, 5)
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
OE / V
PP
V
IL
V
IH
X
V
PP
V
IL
V
PP
V
IL
Ai
Ai
X
(1)
X
Ai
Ai
X
A9 = V
H (4)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A15 = V
IL
V
CC
V
CC (2)
V
CC (2)
V
CC (2)
V
CC (3)
V
CC
(3)
输出
D
OUT
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
鉴定
CODE
V
CC (3)
V
CC (3)
注:1。 X可以是V
IL
或V
IH
.
2.读取,输出禁止和待机模式需要,
2.7V
≤
V
CC
≤
3.6V , 4.5V或
≤
V
CC
≤
5.5V.
3.参考编程特性。
编程模式需要V
CC
= 6.5V.
4. V
H
= 12.0
±
0.5V.
5.两个标识符字节可以被选择。所有的爱都投入举办
LOW (V
IL
),除了A9被设定为V
H
和A0是瓶酒
GLED低(V
IL
)选择制造商的标识字节
高(V
IH
)选择器件代码字节。
3-15
AT27BV512
AC特征的读操作
(V
CC
= 2.7V至3.6V和4.5V至5.5V )
AT27BV512
-90
符号
t
ACC (3)
t
CE (2)
t
OE( 2 ,3)
t
DF ( 4,5)
t
OH
注意事项:
-12
民
最大
民
-15
最大
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE / V
PP
到输出延迟
OE / V
PP
或CE高到输出浮动,
以先发生
从地址,CE输出保持或
OE / V
PP
,以先发生
条件
CE = OE / V
PP
= V
IL
OE / V
PP
= V
IL
CE = V
IL
民
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
90
90
50
40
0
0
120
120
50
40
0
150
150
60
50
2 , 3 , 4 , 5, - 看到AC波形进行读操作。
(1)
AC波形的读操作
注:1.定时测量参考是0.8V和2.0V 。
AC输入驱动电平是0.45V和2.4V ,除非
另有规定ED 。
2. OE / V
PP
可能会延迟到t
CE
- t
OE
后
CE下降的边缘,同时对T的影响
CE
.
3. OE / V
PP
可能会延迟到t
加
- t
OE
后
地址是有效的,而不对T的影响
加
.
4.此参数仅取样,而不是100%测试。
5.输出浮子被定义为点时的数据不再
驱动。
6.当读27BV512 , 0.1
F
电容是必需的
跨V
CC
和grond来说,拦截虚假电压瞬变。
3-17