特点
快速读取访问时间 - 120纳秒
字级或字节级配置
双电压范围运行
- 非稳压电池电源电压范围， 2.7V至3.6V
或5V标准
±
10％的电源电压范围
4兆位闪存和掩模ROM Compatable
低功耗CMOS操作
– 20
A最大待机
- 10mA以下。活跃在5MHz的V
CC
= 3.6V
JEDEC标准封装
- 44引脚PLCC
- 44引脚SOIC封装（ SOP ）
- 48引脚TSOP （12毫米× 20毫米）
高可靠性的CMOS技术
- 2000 ESD保护
- 200毫安闭锁免疫
快速
编程算法 - 50
S /字（典型值）
CMOS和TTL兼容输入和输出
- JEDEC标准LVTTL和LVBO
综合产品标识代码
商用和工业温度范围
描述
该AT27BV400是一款高性能低功耗，低电压4,194,304位一次
可编程只读存储器（ OTP EPROM）作为组织或者256K ×16或
512K ×8比特。它要求3.6V只有一个电源在2.7的范围内正常读
（续）
PLCC
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A17
O0 - O15
O15/A-1
BYTE / V
PP
CE
OE
NC
功能
地址
输出
输出/地址
字节模式/
节目供应
芯片使能
OUTPUT ENABLE
无连接
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
O0
O8
O1
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
6
5
4
3
2
1
44
43
42
41
40
A5
A6
A7
A17
NC
GND
NC
A8
A9
A10
A11
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
O15/A-1
07
O14
O6
4-Megabit
（ 256K ×16或
512K ×8 ）
无管制
电池电压
高速
OTP EPROM
AT27BV400
初步
TSOP
类型1
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE / VPP
GND
015/A-1
O7
O14
O6
O13
O5
O12
O4
VCC
O11
O3
O10
O2
O9
O1
O8
O0
OE
GND
CE
A0
AT27BV400
初步
SOIC （ SOP ）
NC
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
O0
O8
O1
O9
O2
O10
O3
O11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE / VPP
GND
015/A-1
O7
O14
O6
O13
O5
O12
O4
VCC
O9
O2
O10
O3
O11
NC
VCC
O4
O12
O5
O13
18
19
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28
修订版0989A - 03 / 98
1
模式的操作。在由-16的组织，使这部分
适用于便携式和手持16位和32位的微处理器的
无论是使用的监管或不受监管的BAT-处理器系统
tery力量。
Atmel创新的设计技术提供快速的速度
那对手5V的部分，同时保持低的功耗
化的3V电源。在V
CC
= 2.7V ，任何词可以
在小于120ns的访问。一个典型的功率耗散
重刑只有10毫瓦在5MHz和V
CC
= 3V时， AT27BV400
消耗标准5V小于五分之一的功率
EPROM 。
待机模式下电源电流通常小于1毫安
3V 。该AT27BV400简化了系统设计，并
通过消除延伸电池寿命进一步
需要电源调节。
该AT27BV400可以组织成任何文字性的或
字节宽。该组织是通过字节/ V选择
PP
引脚。当字节/ V
PP
被置为高电平（V
IH
），字宽
组织选择和O15 / A - 1引脚用于
O15数据输出。当字节/ V
PP
为低电平（V
IL
），则
字节宽的组织选择和O15 / A - 1引脚
使用的地址引脚A-1 。当AT27BV400是的Logical
美云看作是X16 （字宽） ，但读的字节级
宽屏幕模式，然后用A-1 = V
IL
的低8位，16位的
单词选择与A-1 = V
IH
高8位的16位的
位的字被选择。
该AT27BV400是行业标准提供JEDEC-
批准的一次性可编程（ OTP ） PLCC ， SOIC
（SOP） ，和TSOP封装。该器件具有两行
控制（ CE ， OE ），以消除总线争用。
高密度256K字或512K字节的存储capabil-
性，该AT27BV400允许固件是要被存储可靠性
巧妙地，也可以通过在系统中，而延迟访问
的大容量存储介质。
该AT27BV400与V操作
CC
在3.0V TTL生产
电平输出的是标准的TTL逻辑兼容
器件在V操作
CC
= 5V 。在V
CC
= 2.7V ，该器件
符合JEDEC兼容的批准低压电池能操作
通报BULLETIN （ LVBO ）接口规范。该装置还
可进行标准的5伏的操作使得它非常适合
双电源电压范围的系统或卡产品是
可插拔在两个3伏和5伏的主机。
Atmel的AT27BV400具有附加功能，确保
优质，高效的生产使用。快速
TM
亲
编程算法减少了编程所需的时间
的一部分，并保证可靠的编程。编程
明的时间通常只有50微秒/字。集成的精良
UCT识别码电子识别装置
和制造商。此功能是通过使用行业标准
编程设备来选择合适的编程
设备和电压。该AT27BV400方案
完全相同的方式作为标准5V AT27C400和
使用相同的编程设备。
系统注意事项
通过主备状态之间切换
芯片使能引脚可产生瞬时电压偏移。
除非容纳由系统设计中，这些转录
sients可能会超出数据表的限制，造成设备
不符合。至少，一个0.1
F
高频率，
固有的低电感，陶瓷电容应泌尿道感染
lized每个设备。该电容应连接
在V之间
CC
和接地装置的终端，如
靠近器件成为可能。另外，为了稳定
在印刷电路板上的大电源电压电平
EPROM阵列， 4.7
F
大容量电解电容应
被利用，再连接在V之间
CC
和地面
终端。该电容的位置应尽可能靠近
能够在电源被连接在点
到阵列中。
框图
2
AT27BV400
AT27BV400
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
相对于地面..................................- 2.0V至+ 7.0V
(1)
电压与A9
对于地面......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
注意：
V
PP
与电源电压
对于地面.......................................- 2.0V至+ 14.0V
(1)
1.
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间会影响器件的条件
可靠性。
最低电压为-0.6V DC这下冲
到-2.0V为小于20纳秒的脉冲。最大
输出引脚电压VCC + 0.75V DC这可能
过冲至+ 7.0V为小于20纳秒的脉冲。
操作模式
输出
模式/针
读字宽
读字节宽度上
读字节宽度低
输出禁用
待机
快速程序
(3)
PGM验证
PGM禁止
产品标识
(5)
注意事项：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.读取，输出禁止和待机模式需要， 2.7V
≤
V
CC
≤
3.6V ， 4.5V或
≤
V
CC
≤
5.5V.
3.参考编程特性表中该数据表。
4. V
H
= 12.0
±
0.5V.
5.两个标识符单词可能被选中。所有的爱都投入保持低电平（V
IL
）除了A9 ，其被设定为V
H
和A0 ，其已切换
LOW （V
IL
）选择制造商的标识字和高（V
IH
）选择器件代码字。
6.待机V
CC
电流（I
SB
）指定了V
PP
= V
CC
. V
CC
＆ GT ; V
PP
会导致我略有增加
SB 。
CE
V
IL
V
IL
V
IL
X
(1)
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IL
OE
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
Ai
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
X
(1)
Ai
Ai
X
(1)
A9 = V
H(4)
A0 = V
IH
或V
IL
A1 - A17 = V
IL
BYTE / V
PP
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
(6)
V
PP
V
PP
V
PP
V
IH
O
0
-O
7
D
OUT
D
OUT
D
OUT
O
8
-O
14
D
OUT
高Z
高Z
高Z
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
Identi科幻阳离子码
O
15
/A-1
D
OUT
V
IH
V
IL
3
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