砷化镓50分贝IC电压变
双控制衰减器DC- 3 GHz的
AT002N5-11
特点
I
双控制电压
I
低插入损耗
I
8引脚密封表面贴装封装
I
能够满足MIL -STD的
需求
5
-11
方向
标志
0.180 (4.57 mm)
SQ 。 MAX 。
0.150
(3.81 mm)
0.017 (0.43 mm)
0.013 (0.33 mm)
0.050
(1.27 mm)
典型值。
0.400 (10.16 mm)
0.380 (9.65 mm)
描述
该AT002N5-11是GaAs FET的IC吸收
衰减器。该器件可提供高达50 dB可调
衰减的DC - 3 GHz的。衰减可以是
通过改变每两个控制偏压的控制
从0到-5 V.该衰减器被推荐用于快
在商业和高可靠性的响应的AGC电路
应用程序。
0.070 (1.78 mm)
0.040 (1.02 mm)
0.075
(1.91 mm)
马克斯。
0.006 (0.15 mm)
0.004 (0.10 mm)
0.250 (6.35 mm)
0.200 (5.08 mm)
电气规格在25℃
参数
1
插入
损失
2
频率
4
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
50
45
40
分钟。
典型值。
1.2
1.4
1.7
52
48
42
1.2:1
1.4:1
1.6:1
1.3:1
1.5:1
1.8:1
马克斯。
1.4
1.8
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
衰减范围
VSWR （ I / O）
工作特性在25℃
参数
开关特性
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
3
对于所有的衰减水平
V
低
= 0 -0.2 V @ 20
A
马克斯。
V
高
= -5 V @ 100
A
马克斯。
0.5-3 GHz的
0.05 GHz的
频率
分钟。
典型值。
10
15
20
0
-3
马克斯。
单位
ns
ns
mV
DBM
DBM
输入功率为1 dB压缩
控制电压
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
0.003分贝/ ℃， 2插入损耗变化。
与1 ns的测量3.视频馈通脉冲的上升时间和500 MHz的带宽。
4， DC = 300千赫。
5.看看质量/可靠性节。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
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规格如有变更，恕不另行通知。 6 / 00A
1
砷化镓50分贝IC电压双可变衰减器控制DC- 3 GHz的
AT002N5-11
典型性能数据
2.4
2.0
60
50分贝± 4分贝
50
插入损耗（dB ）
衰减（dB ）
1.6
1.2
+85C
40分贝± 2分贝
40
30分贝± 1分贝
30
20分贝± 0.5分贝
20
10分贝± 0.2分贝
10
DC
-55C
0.8
0.4
DC
1
2
3
1
2
3
频率（GHz ）
频率（GHz ）
插入损耗与频率
衰减（由国家）与频率的关系
典型的传输曲线
P
IN
在1.0分贝压缩（ dBm的）
F = 1千兆赫，V
P1
= 3.5 V
0
F = 500 MHz的
20
15
10
5
0
-5
0
5
10
15
20
25
30
V
1
V
2
控制电压（V）的
-1.0
-2.0
-3.0
V
2
（分流）
-4.0
-5.0
DC
V
1
（系列）
10
20
30
40
50
60
相对衰减（ dB）的
衰减（dB ）
相对衰减与控制电压
1. V
P
= FET夹断电压。
衰减与1.0分贝压缩点
真值表
绝对最大额定值
特征
RF输入功率（ RF输入）
控制电压（V
C
)
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
热阻（ θ
JC
)
价值
10毫瓦> 500兆赫0 / -8 V控制
4毫瓦50兆赫-8 V控制
+0.2 V, -10 V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
GND
J
1
GND
V
1
GND
J
2
GND
V
2
V
1
0
-5
V
2
-5
0
衰减
J
1
–J
2
插入损耗
全衰减
引脚输出
2
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