砷化镓50分贝IC电压变
双控制衰减器DC- 3 GHz的
AT002N5-00
特点
s
50分贝范围
s
低插入损耗
s
快速开关
s
符合MIL -STD- 883筛选
需求
1.230
GND
1.076
芯片大纲
0.349
0.570
0.793
V
1
（ Alt键）。
V
2
（ Alt键）。
0.981
GND
1.072
描述
该AT002N5-00衰减器可提供高达50 dB可调
根据非反射衰减从DC- 3GHz的
条件。衰减可以通过改变每个被控制
两个控制偏压的电压从0到-5 V的控制
电流小于100
A
和衰减器将操作
在0 dBm的带开关的时间，一般为10毫微秒。该芯片是
使用两个“T”衰减器系列中的两个配置
并联。这种装置可以与一个单一的偏压用
(V
1
= 0），但具有减少的衰减和相匹配。
其应用包括快速响应AGC电路要求
高衰减，如用于雷达处理
仪器，并在射频设备矫直机。
0.614
J
1
J
2
0.152
0.000
0.000
0.157
GND
0.159
V
1
0.348
0.569
V
2
0.792
GND
0.981
1.140
电气规格在25℃
参数
1
插入损耗
尺寸以毫米。
所有接合垫是0.1× 0.1mm以下。
芯片厚度= 0.2毫米。
频率
2
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 3.0 GHz的
分钟。
典型值。
1.2
1.6
1.8
马克斯。
1.4
1.8
2.0
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
衰减范围
50
48
45
52
50
48
1.3:1
1.5:1
1.8:1
VSWR （ I / O）
工作特性在25℃
参数
开关特性
条件
上升，下降（10 /90％或90 /10％ RF）
开，关（ 50 ％ CTL 90 /10％ RF）
视频馈通
0–10
11–20
21–30
31–40
41–50
1.0分贝
> 500兆赫
V
低
= 0 -0.2 V @ 20 μA（最大值） 。
V
高
= -5V @ 100 μA（最大值） 。
2， DC = 300千赫。
频率
分钟。
典型值。
10
15
20
马克斯。
单位
ns
ns
mV
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
平整度衰减
的DC- 3GHz的
±0.25
±0.50
±1.00
±2.00
±4.00
-4
0
压缩点为所有
衰减水平
控制电压
为50MHz - 3GHz的
1，一种在50进行的所有测量
制，除非另有说明。
阿尔法工业公司
[781] 935-5150
传真
[617] 824-4579
电子邮件
sales@alphaind.com
www.alphaind.com
规格如有变更，恕不另行通知。 3 / 99A
1
砷化镓50分贝IC电压双可变衰减器控制DC- 3 GHz的
AT002N5-00
典型性能数据
F = 1千兆赫，V
P1
= 3.5 V
V
1
V
2
控制电压（V）的
衰减（由国家） （分贝）
0
-1.0
-2.0
-3.0
V
2
（分流）
-4.0
-5.0
DC
60
- 4分贝
50
- 2分贝
40
- 1分贝
30
± 0.5分贝
20
- 0.2分贝
10
DC
V
1
（系列）
10
20
30
40
50
60
1
2
3
相对衰减（ dB）的
频率（GHz ）
相对衰减与控制电压
1. V
P
= FET夹断电压。
衰减（由国家）与频率的关系
P
IN
在1.0分贝压缩（ dBm的）
F = 50MHz的
20
15
10
5
0
-5
0
5
10
15
20
25
30
绝对最大额定值
特征
RF输入功率（ RF输入）
控制电压（V
C
)
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
热阻（ θ
JC
)
价值
10毫瓦> 500兆赫0 / -8 V控制
4毫瓦50兆赫， -8 V控制
+0.2 V, -10 V
-55 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
25°C/W
芯片布局
V
1
（ Alt键）。
V
2
（ Alt键）。
GND
衰减（dB ）
衰减与1.0分贝压缩点
GND
开关原理
J
1
J
2
J
1
J
2
GND
V
1
V
2
GND
V
1
V
2
2
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