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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第601页 > AT-42070
高达6 GHz的中等功率
硅双极晶体管
技术参数
AT-42070
特点
高输出功率:
21.0 dBm的典型P
1分贝
在2.0 GHz的
20.5 dBm的典型P
1分贝
在4.0 GHz的
高增益1分贝
压缩:
15.0分贝通常g
1分贝
在2.0 GHz的
10.0分贝通常g
1分贝
在4.0 GHz的
低噪声系数:
1.9分贝典型的NF
O
在2.0 GHz的
高增益带宽
产品:
8.0 GHz的典型F
T
密封金陶瓷
微带套餐
不同的功能。 20个发射器
手指互相交叉的几何
产生了一个中等大小的晶体管
用阻抗,很容易
匹配低噪声和中
电源应用。该装置是
设计用于低噪声使用,
宽带放大器,混频器和
振荡器应用在VHF ,
UHF和微波频率。
附近的最佳噪声匹配
50
高达1 GHz ,使得这
设备很容易作为一个低噪声用
放大器。
对AT- 42070双极型晶体管是
使用编造惠普的
10 GHz的F
T
自对准三极管
( SAT)的方法。模具是氮化
钝化的表面保护。
优良的设备均匀,
性能和可靠性是
通过使用离子产生
注入,自对准
技术,和黄金金属化
在此器件的制造。
70万包
描述
惠普公司的AT- 42070是一种
通用NPN双极
晶体管,提供优异的
高频性能。该
AT- 42070安装在一个密封,
高可靠性黄金陶瓷70万
微带包。在4微米
发射极 - 发射极间的间距使
在许多使用这种晶体管
5965-8912E
4-164
AT- 42070绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
20
12
80
600
200
-65 200
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 150 ° C / W
注意事项:
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
= 25°C.
3.减免为6.7毫瓦/°C,对于T
C
> 110 ℃。
4.此技的小光斑尺寸
在一个较高的,虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
测量部分
“热阻”的详细
信息。
电气规格,T
A
= 25°C
符号
|S
21E
|
2
P
1分贝
G
1分贝
NF
O
G
A
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
参数和测试条件
[1]
插入功率增益; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
最佳的噪声系数: V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
增益带宽积: V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[1]
: V
CB
= 8 V , F = 1兆赫
单位
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
dB
DBM
dB
dB
dB
GHz的
A
A
pF
分钟。
10.5
典型值。马克斯。
11.5
5.5
21.0
20.5
15.0
10.0
1.9
3.0
14.0
10.5
8.0
30
150
270
0.2
2.0
0.28
注意:
一,在本试验中,发射极接地。
4-165
AT- 42070的典型表现,T
A
= 25°C
20
P
1分贝
( dBm的)
1.0 GHz的
24
2.0 GHz的
24
P
1分贝
( dBm的)
10 V
6V
4V
20
16
12
P
1dB
16
|S
21E
|
2
增益(dB )
2.0 GHz的
20
4.0 GHz的
P
1dB
2.0 GHz的
12
16
8
G
1分贝
( dB)的
4.0 GHz的
12
G
1分贝
( dB)的
G
1dB
16
4.0 GHz的
10 V
6V
4V
4
8
14
G
1dB
12
10
0
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
0
0
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
4
0
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
图1.插入功率增益与
集电极电流和频率。
V
CE
= 8 V.
图2.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图3.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和电压。 F = 2.0千兆赫。
40
35
30
味精
24
21
18
增益(dB )
G
A
增益(dB )
25
20
15
10
5
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
频率(GHz )
MAG
|S
21E
|
2
15
12
9
6
NF
O
4
3
2
1
1.0
2.0
0
3.0 4.0 5.0
NF
O
( dB)的
3
0
0.5
频率(GHz )
图4.插入功率增益,
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V,I
C
= 35 mA的电流。
图5.噪声系数和相关
增益与频率。
V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安。
4-166
AT- 42070典型的散射参数,
共射,Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C,V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.70
-49
28.5
26.56
154
0.5
.69
-137
21.5
11.85
105
1.0
.69
-165
16.0
6.34
85
1.5
.68
-179
12.7
4.33
72
2.0
.69
169
10.3
3.26
62
2.5
.69
164
8.5
2.64
56
3.0
.70
157
6.9
2.22
48
3.5
.70
151
5.6
1.91
39
4.0
.69
144
4.5
1.68
30
4.5
.68
137
3.5
1.50
22
5.0
.68
128
2.7
1.37
14
5.5
.68
117
2.0
1.26
5
6.0
.70
107
1.2
1.15
-3
dB
-36.0
-29.6
-27.2
-27.4
-25.6
-25.4
-23.8
-22.4
-21.4
-20.4
-19.4
-18.3
-17.6
S
12
MAG 。
.016
.033
.044
.043
.052
.054
.065
.076
.085
.096
.107
.121
.132
S
22
ANG 。
77
34
29
37
42
46
52
51
55
49
50
45
44
MAG 。
.91
.50
.40
.38
.37
.37
.39
.41
.43
.46
.48
.48
.48
ANG 。
-18
-41
-44
-48
-54
-55
-63
-71
-77
-83
-87
-91
-98
AT- 42070典型的散射参数,
共射,Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C,V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.52
-95
33.4
46.52
139
0.5
.66
-163
23.1
14.33
95
1.0
.67
179
17.3
7.36
80
1.5
.67
169
13.9
4.97
69
2.0
.68
160
11.4
3.74
60
2.5
.69
157
9.6
3.04
55
3.0
.69
151
8.1
2.55
47
3.5
.69
145
6.8
2.20
39
4.0
.68
139
5.7
1.93
20
4.5
.67
132
4.7
1.74
22
5.0
.67
123
4.0
1.59
13
5.5
.67
113
3.2
1.46
5
6.0
.69
103
2.5
1.34
-4
可在设备型号部分的模型此设备。
dB
-40.0
-34.4
-29.6
-28.0
-27.3
-23.8
-22.8
-21.4
-20.2
-19.3
-18.0
-17.2
-16.4
S
12
MAG 。
.010
.019
.033
.040
.053
.065
.072
.086
.097
.109
.126
.138
.152
S
22
ANG 。
50
46
51
59
59
65
65
59
60
54
50
46
40
MAG 。
.77
.34
.28
.27
.27
.28
.28
.30
.33
.36
.38
.39
.38
ANG 。
-29
-42
-41
-44
-51
-53
-62
-72
-80
-85
-90
-94
-102
AT- 42070的噪声参数:
V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
频率。
GHz的
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.0
1.1
1.5
1.9
3.0
Γ
选择
MAG
.05
.06
.10
.23
.45
15
75
126
172
-145
R
N
/50
0.13
0.13
0.12
0.11
0.17
4-167
70密耳封装尺寸
.040
1.02
4
辐射源
.020
.508
BASE
1
集热器
3
2
辐射源
.004
±
.002
.10
±
.05
.070
1.70
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸单位:
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.495
±
.030
12.57
±
.76
.035
.89
4-168
AT-42070
高达6 GHz的中等功率硅双极晶体管
数据表
描述
Avago的AT- 42070是一种通用NPN双极
晶体管,提供了优异的高频性能。
The AT-42070 is housed in a hermetic, high reliability gold-
陶瓷70万微带包。在4微米的发射极
极 - 发射极的间距使得该晶体管在许多使用
不同的功能。 20个发射器的手指相互交叉的
几何产生阻抗与一个中等规模的晶体管
这是容易搭配的低噪声和中等功率
应用程序。该器件是专为低噪音的使用,
在宽带放大器,混频器和振荡器应用
VHF,UHF和微波频率。最佳的噪声
match near 50Ω up to 1 GHz, makes this device easy to use
作为低噪声放大器。
特点
高输出功率:
21.0 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz
20.5 dBm Typical P1 dB at 4.0 GHz
高增益在1 dB压缩:
15.0 dB Typical G1 dB at 2.0 GHz
10.0 dB Typical G1 dB at 4.0 GHz
低噪声系数为1.9 dB的典型NFO为2.0 GHz的
高增益带宽积: 8.0 GHz的典型的fT
密封金陶瓷微带封装
The AT-42070 bipolar transistor is fabricated using Avago’s
70万包
10 GHz f
T
自对准三极管( SAT)的方法。模具是
氮化物钝化的表面保护。优良的设备
均匀性,性能和可靠性是由制造
使用离子注入,自对准技术,
和金的金属化在这个器件的制造。
AT- 42070绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
0
1
80
600
00
-65 ? 00
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 150 ° C / W
注意事项:
如果任何一永久性损坏,可能会出现
超出这些限制。
2.温度上限为25 ℃。
3.减免为6.7毫瓦/ ℃,锝> 110 ℃。
4.该技术的小光点尺寸
导致较高,尽管更精确的
确定θJC比交替做
的方法。见测量部分
“热阻”的详细信息。
电气规格,T
A
= 25°C
符号
|S
1E
|

P
1分贝
G
1分贝
NF
O
G
A
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
参数和测试条件
[1]
插入功率增益; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
最佳的噪声系数: V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
增益带宽积: V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[1]
: V
CB
= 8 V , F = 1兆赫
F = ? 0.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = ? 0.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = ? 0.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = ? 0.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = ? 0.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
dB
GHz的
A
A
pF
30
分钟。
10.5
典型值。
11.5
5.5
1.0
0.5
15.0
10.0
1.9
3.0
14.0
10.5
8.0
150
70
0.
.0
马克斯。
0.8
注意:
一,在本试验中,发射极接地。

AT- 42070的典型表现,T
A
= 25°C
20
P
1分贝
( dBm的)
1.0 GHz的
24
2.0 GHz的
24
P
1分贝
( dBm的)
20
16
12
P
1dB
10 V
6V
4V
16
|S
21E
|
2
增益(dB )
2.0 GHz的
20
P
1dB
4.0 GHz的
12
16
2.0 GHz的
8
G
1分贝
( dB)的
4.0 GHz的
12
G
1分贝
( dB)的
G
1dB
4.0 GHz的
16
14
12
10
0
G
1dB
10 V
6V
4V
4
8
0
0
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
4
0
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
10
20
30
I
C
(MA )
40
50
图1.插入功率增益与集电极电流
和频率。 V
CE
= 8 V.
图2.输出功率和1分贝压缩增益与
集电极电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图3.输出功率和1分贝压缩增益与
集电极电流和电压。 F = 2.0千兆赫。
40
35
30
增益(dB )
增益(dB )
25
20
15
10
5
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
MAG
|S
21E
|
2
味精
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.5
1.0
2.0
NF
O
G
A
4
3
2
1
NF
O
( dB)的
0
3.0 4.0 5.0
频率(GHz )
频率(GHz )
图4.插入功率增益,最大可用
增益和最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V,I
C
= 35 mA的电流。
图5.噪声系数和相关增益与
频率。 V
CE
= 8 V,I
C
= 10 mA的电流。
3
AT- 42070典型的散射参数,
共射,Z
O
= 50 Ω, T
A
= ? 5 ° C,V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
频率。
S
11
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
0.1
.70
-49
8.5
0.5
.69
-137
1.5
1.0
.69
-165
16.0
1.5
.68
-179
1.7
.0
.69
169
10.3
.5
.69
164
8.5
3.0
.70
157
6.9
3.5
.70
151
5.6
4.0
.69
144
4.5
4.5
.68
137
3.5
5.0
.68
18
.7
5.5
.68
117
.0
6.0
.70
107
1.
S
21
MAG 。
6.56
11.85
6.34
4.33
3.6
.64
.
1.91
1.68
1.50
1.37
1.6
1.15
ANG 。
154
105
85
7
6
56
48
39
30

14
5
-3
dB
-36.0
-9.6
-7.
-7.4
-5.6
-5.4
-3.8
-.4
-1.4
-0.4
-19.4
-18.3
-17.6
S
12
MAG 。
.016
.033
.044
.043
.05
.054
.065
.076
.085
.096
.107
.11
.13
ANG 。
77
34
9
37
4
46
5
51
55
49
50
45
44
MAG 。
.91
.50
.40
.38
.37
.37
.39
.41
.43
.46
.48
.48
.48
S
22
ANG 。
-18
-41
-44
-48
-54
-55
-63
-71
-77
-83
-87
-91
-98
AT- 42070典型的散射参数,
共射,Z
O
= 50 Ω, T
A
= ? 5 ° C,V
CE
= 8 V,I
C
= 35毫安
频率。
S
11
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
0.1
.5
-95
33.4
0.5
.66
-163
3.1
1.0
.67
179
17.3
1.5
.67
169
13.9
.0
.68
160
11.4
.5
.69
157
9.6
3.0
.69
151
8.1
3.5
.69
145
6.8
4.0
.68
139
5.7
4.5
.67
13
4.7
5.0
.67
13
4.0
5.5
.67
113
3.
6.0
.69
103
.5
可在设备型号部分的模型此设备。
S
21
MAG 。
46.5
14.33
7.36
4.97
3.74
3.04
.55
.0
1.93
1.74
1.59
1.46
1.34
ANG 。
139
95
80
69
60
55
47
39
0

13
5
-4
dB
-40.0
-34.4
-9.6
-8.0
-7.3
-3.8
-.8
-1.4
-0.
-19.3
-18.0
-17.
-16.4
S
12
MAG 。
.010
.019
.033
.040
.053
.065
.07
.086
.097
.109
.16
.138
.15
ANG 。
50
46
51
59
59
65
65
59
60
54
50
46
40
MAG 。
.77
.34
.8
.7
.7
.8
.8
.30
.33
.36
.38
.39
.38
S
22
ANG 。
-9
-4
-41
-44
-51
-53
-6
-7
-80
-85
-90
-94
-10
AT- 42070的噪声参数:
V
CE
= 8 V,I
C
= 10毫安
频率。
GHz的
0.1
0.5
1.0
.0
4.0
NF
O
dB
1.0
1.1
1.5
1.9
3.0
Γ
选择
MAG
.05
.06
.10
.3
.45
15
75
16
17
-145
R
N
/50
0.13
0.13
0.1
0.11
0.17
4
订购信息
产品型号
AT-4070
设备号
100
70密耳封装尺寸
.040
1.02
4
辐射源
.020
.508
BASE
1
集热器
3
2
辐射源
注意事项:
(除非另有规定编)
1.尺寸单位:
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.004
±
.002
.10
±
.05
.070
1.78
.495
±
.030
12.57
±
.76
.035
.89
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AV0 ? -1 ? 18EN 5月5 ? 008
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AT-42070
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联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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19+
15000
70MIL
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
AT-42070
AVAGO
2425+
11280
70MIL
全新原装!优势现货!
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电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
AT-42070
AVAGO
24+
4000
原厂封装
授权分销 现货热卖
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电话:171-4755-1968(微信同号)
联系人:周小姐171-4755-196微信同号,无线联通更快捷!8
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
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24+
3000
70
★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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24+
10000
70 密耳封装
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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12645
70 密耳封装
全新原装现货,原厂代理。
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24+
9850
原厂原封
官方授权代理商入驻
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AT-42070
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2020+
8700
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全新原装正品,可售样,可开13%增值税
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联系人:林小姐
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22+
16000
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