添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第855页 > AT-42000
高达6 GHz的中等功率
硅双极晶体管芯片
技术参数
AT-42000
特点
高输出功率：
21.0 dBm的典型P
1分贝
在2.0 GHz的
20.5 dBm的典型P
1分贝
在4.0 GHz的
高增益1分贝
压缩：
15.0分贝通常g
1分贝
在2.0 GHz的
10.0分贝通常g
1分贝
在4.0 GHz的
低噪声系数：
1.9分贝
典型的NF
O
在2.0 GHz的
高增益带宽
产品：
9.0 GHz的典型F
T
该器件是专为使用
低噪声，宽带放大器，
混频器和振荡器应用
在VHF ，UHF和微波
频率。最佳的噪声
近50比赛
高达1 GHz ，
使该器件很容易的使用
低噪声放大器。
对AT- 42000双极型晶体管是
使用编造惠普的
10 GHz的F
T
自对准三极管
（ SAT）的方法。模具是氮化
钝化的表面保护。
优良的设备均匀，
性能和可靠性是
通过使用离子产生
注入，自对准
技术，和黄金金属化
在此器件的制造。
推荐汇编
程序是金晶模
附加在400
o
C和楔形两种
或用0.7万金丝球焊
线。参见应用部分，
“芯片使用” 。
芯片大纲
描述
惠普的AT- 42000是一种
通用NPN双极
晶体管芯片，提供excel-
借出的高频性能。
在4微米发射极 - 发射极
间距使得该晶体管是
在许多不同的功能一起使用。
20个发射器的手指相互交叉的
几何尺寸产生的媒介
晶体管与阻抗的
很容易搭配低噪音
和中等功率应用。
4-149
5965-8909E
AT- 42000绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
20
12
80
600
200
-65 200
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 70 ° C / W
注意事项：
如果可能发生1.永久伤害
任何超出这些限制。
2. T
安装面
= 25°C.
3.减免14.3毫瓦/ ℃，
T
安装面
> 158 ℃。
4.此技的小光斑尺寸
在一个较高的，虽然NIQUE结果
更精确地确定
θ
jc
比其他方法。看
测量部分
“热阻”的详细
信息。
产品型号订购信息
产品型号
AT-42000-GP4
设备每盘
100
电气规格，T
A
= 25°C
符号
|S
21E
|
2
P
1分贝
G
1分贝
NF
O
G
A
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
参数和测试条件
[1]
插入功率增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
最佳的噪声系数： V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
增益带宽积： V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[2]
: V
CB
= 8 V ， F = 1兆赫
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
dB
GHz的
—
A
A
pF
30
分钟。
典型值。马克斯。
11.5
5.5
21.0
20.5
15.0
10.0
1.9
3.0
14.0
10.5
9.0
150
270
0.2
2.0
0.23
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定和检验每片晶圆的10台设备。
2.在本试验中，发射极接地。
4-150
AT- 42000的典型表现，T
A
= 25°C
24
P
1分贝
（ dBm的）
2.0 GHz的
24
P
1分贝
（ dBm的）
10 V
6V
20
1.0 GHz的
20
16
12
P
1dB
20
4.0 GHz的
P
1dB
2.0 GHz的
16
|S
21E
|
2
增益（dB ）
4V
16
12
2.0 GHz的
12
G
1分贝
（ dB）的
G
1分贝
（ dB）的
G
1dB
16
4.0 GHz的
10 V
6V
4V
G
1dB
8
8
14
12
10
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
4
4.0 GHz的
4
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
50
50
0
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
50
图1.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图2.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和电压。 F = 2.0千兆赫。
图3.插入功率增益与
集电极电流和频率。
V
CE
= 8 V.
13
12
|S
21E
|
2
增益（dB ）
40
35
10 V
24
21
G
A
味精
30
增益（dB ）
18
增益（dB ）
11
10
9
8
7
0
10
20
30
I
C
（MA ）
40
6V
4V
25
20
15
10
5
0
MAG
|S
21E
|
2
15
12
9
6
3
NF
O
4
3
2
1
1.0
2.0
0
3.0 4.0 5.0
NF
O
（ dB）的
50
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
0
0.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图4.插入功率增益与
集电极电流和电压。
F = 2.0千兆赫。
图5.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 35 mA的电流。
图6.噪声系数和相关
增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安。
4-151
AT- 42000典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.70
-50
28.0
25.19
155
0.5
.67
-136
20.9
11.04
108
1.0
.66
-166
15.7
6.08
90
1.5
.66
-173
12.1
4.02
86
2.0
.66
179
9.8
3.09
82
2.5
.67
170
7.8
2.46
74
3.0
.67
165
6.3
2.08
68
3.5
.70
157
5.1
1.80
61
4.0
.70
151
3.9
1.56
57
4.5
.71
145
2.9
1.40
51
5.0
.73
138
1.9
1.24
41
5.5
.74
132
1.2
1.15
36
6.0
.76
129
0.2
1.02
32
dB
-37.7
-30.5
-28.9
-28.2
-27.5
-26.0
-24.7
-23.4
-21.8
-20.7
-19.3
-17.2
-16.3
S
12
MAG 。
.013
.030
.036
.039
.042
.050
.058
.068
.081
.092
.109
.138
.154
S
22
ANG 。
71
43
47
52
57
66
72
77
82
86
87
88
87
MAG 。
.92
.57
.50
.48
.47
.47
.47
.47
.48
.50
.51
.51
.53
ANG 。
-14
-27
-24
-23
-23
-23
-26
-28
-30
-34
-38
-50
-56
AT- 42000典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 35毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.49
-96
33.0
44.61
143
0.5
.62
-163
22.8
13.87
98
1.0
.63
179
17.2
7.25
86
1.5
.63
171
13.5
4.74
78
2.0
.65
163
11.2
3.62
72
2.5
.65
159
9.3
2.90
67
3.0
.68
154
7.8
2.44
60
3.5
.67
148
6.5
2.12
57
4.0
.69
144
5.3
1.83
51
4.5
.70
139
4.4
1.65
47
5.0
.70
137
3.3
1.46
43
5.5
.72
131
2.7
1.36
38
6.0
.74
128
1.7
1.22
34
可在设备型号部分的模型此设备。
dB
-40.9
-34.4
-30.5
-27.7
-25.4
-23.6
-22.1
-20.6
-19.7
-18.3
-17.5
-16.5
-15.7
S
12
MAG 。
.009
.019
.030
.041
.054
.066
.079
.093
.104
.121
.133
.149
.164
S
22
ANG 。
65
58
70
76
79
82
82
84
86
86
85
86
85
MAG 。
.79
.42
.38
.38
.38
.38
.38
.39
.40
.41
.42
.41
.44
ANG 。
-24
-26
-22
-23
-25
-27
-29
-32
-34
-40
-44
-48
-55
AT- 42000的噪声参数：
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
GHz的
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.0
1.1
1.5
1.9
3.0
Γ
选择
MAG
.04
.05
.09
.23
.47
昂
13
69
127
171
-154
R
N
/50
0.13
0.13
0.12
0.11
0.14
4-152
AT- 42000芯片尺寸
30
m
迪亚
1.18万
基垫
90
m
3.54万
305
m
12万
发射极焊盘
305
m
12万
注意：模厚度为5 6密耳。
4-153
查看更多AT-42000PDF信息
推荐型号
AME8500BEEVBF40
AM29LV200BT30DFI1
AR2508L
AM42DL3244GT55IT
AIC1714-30CZ
AS7C251MPFD32A
AT24C02-10PI
AD7537TQ
AD51F12KEC
AT42000
AB-015SW0-12V0-M00-B
A22L-TY-12A-11A
AM28F256-90PE
AME8501CEEVBF44
ADS1250
AM3531C
AM2764A-3DC
APTB1615SYKCGKC-F01
AS7C33256PFS18B-133TQCN
AP3844N8L
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AT-42000
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京上用科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AT-42000
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8983
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AT-42000
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8972
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多AT-42000供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！