AT-41535
高达6 GHz的低噪声硅双极晶体管
数据表
说明/应用
在AT- 41535 Avago的TECHOLOGIES的是一般用途
构成NPN双极型晶体管，提供优异的
高频性能。在AT- 41535的房子成本
有效的表面贴装100万微-X封装。 4
微米发射极 - 发射极间的间距使得该晶体管
在许多不同的功能中使用。 15个发射器
手指互相交叉的几何形状产生一个中间
与阻抗，易于搭配小型晶体管
对于低噪声和中等功率应用。这
设备被设计用于低噪声，宽带扩增
费里，在VHF ， UHF混频器和振荡器应用，
和微波频率。最佳噪声匹配
近50 ??为1GHz的处理器，使得该器件易于为低使用
噪声放大器。
对AT- 41535双极晶体管使用Avago的制造
科技公司的10 GHz的fT的自对准晶体管（ SAT ）亲
塞斯。模具是氮化物钝化的表面保护。
优良的器件均匀性，性能和可靠性
通过利用离子注入产生的自对齐
精神疾病的技术，并在fabrica-镀金
化这个设备的。
特点
低噪声系数：
- 1.7 dB（典型） ，在2.0 GHz的
- 4.8 dB（典型） ，在4.0 GHz的
高增益相关
- 14.0分贝典型为2.0GHz
- 10.0 dB，典型值在4.0 GHz的
高增益带宽积
- 8.0 GHz的典型的fT
高性价比陶瓷微带封装
35微-X包
表1.绝对最大额定值
[1]
在Tc = + 25°C
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
Tj
TSTG
QJC
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2]
结温
储存温度
热阻
[5]
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
° C / W
最高评级
1.5
20
12
60
500
150
-60至150
125
注意事项：
1.操作超过这些条件的任何一个可能导致器件的永久性损坏。
2. T- CASE = 25°C
3.减免8毫瓦/ ℃， Tc>87.5 ℃。
4.存储高于+ 150℃，可能会损害这种封装的引线使其难以焊接到电路。
5.热电阻是利用红外显微镜法测定。
表2.电气规格在Tc = + 25 ° C，V
CE
=8V
符号
|S
21E
|
2
P1dB
G1dB
NFO
参数和测试条件
插入功率增益; V
CE
= 8V ， IC = 25毫安
功率输出@ 1分贝增益压缩：
V
CE
= 8V ， IC = 25毫安
1分贝压缩增益：
V
CE
= 8V ， IC = 25毫安
最佳的噪声系数：
V
CE
= 8V ， IC = 10毫安
获得@ NFO ;
V
CE
= 8V ， IC = 10毫安
增益带宽积： IC = 25毫安
正向电流传输比：
V
CE
= 8V ， IC = 10毫安
集电极截止电流： V
CB
= 8 V
发射极截止电流： V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[1]
:
V
CB
=8V,F=1MHz
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。
11.0
5.5
19.0
18.5
14.0
9.0
1.30
1.70
3.00
13.0
18.0
14.0
10.0
8.0
30
180
270
0.2
1.0
0.20
2.0
马克斯。
G
A
dB
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CBO
GHz的
-
uA
uA
pF
注意事项：
一，在本试验中，发射极接地。
2
典型性能曲线在Tc = + 25°C
24
21
18
16
14
12
P1dB的（ DBM）
20
16
12
G1dB
8
4
0
10
20
IC （MA ）
30
40
50
4.0GHz
24
2.0GHz
4.0GHz
增益（dB ）
15
12
9
6
3
0
0
1
8
6
NF
50
NFO
4
2
0
2
3
频率（GHz ）
4
5
NF（ dB）的
Ga
10
P1dB
2.0GHz
图1.噪声系数和相关的增益与频率。
VCE = 8V ， IC = 10毫安
图2.输出功率和1dB压缩增益与集电极电流和频
昆西。 VCE = 8V 。
增益（dB ）
16
15
14
13
增益（dB ）
12
11
10
9
8
7
0
10
20
IC （MA ）
30
40
50
NFO
4V
6V
10V
Ga
10V
6V
4V
9
8
7
6
增益（dB ）
5
4
3
2
1
0
NFO （分贝）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
IC （MA ）
40
50
NFO
Ga
4.0GHz
4.0GHz
2.0GHz
2.0GHz
16
14
12
NFO （分贝）
50
10
8
6
4
2
0
图3.最佳的噪声系数和相关增益与集电极电流和同事
讲师电压。 F = 2.0GHz的。
40
35
30
增益（dB ）
25
20
15
10
5
0
0.1
1
频率（GHz ）
10
|S
21E
|
2
图4.最佳的噪声系数和相关增益与集电极电流和频
昆西。 VCE = 8V 。
20
18
1.0 GHz的
味精
16
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
10
20
IC （MA ）
30
40
2.0 GHz的
MAG
4.0 GHz的
图5.插入功率增益，最大可用增益和最大稳定增益
与频率。 VCE = 8V ， IC = 25毫安
图6.插入功率增益与集电极电流和频率。 VCE = 8V 。
在Tc = + 25 ° C典型散射参数
共发射极，V
CE
= 8V ， IC = 10毫安，Z0 = 50欧姆
频率。
GHz的
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
S11
MAG 。
0.780
0.495
0.402
0.388
0.400
0.426
0.461
0.482
0.493
0.494
0.491
0.515
0.581
S21
ANG 。
-32.6
-112.1
-154.7
172.7
162.3
152.3
141.7
134.5
125.8
114.1
104.2
91.9
82.6
S12
MAG 。
25.151
12.446
6.795
4.651
3.536
2.889
2.440
2.113
1.877
1.711
1.548
1.431
1.342
S22
MAG 。
0.010
0.030
0.045
0.059
0.074
0.088
0.108
0.124
0.145
0.171
0.191
0.215
0.240
dB
28.01
21.90
16.64
13.35
10.97
9.21
7.75
6.50
5.47
4.67
3.80
3.11
2.56
ANG 。
156.9
108.0
85.0
71.0
60.2
53.5
43.8
34.2
25.6
14.8
5.7
-3.5
-13.0
dB
-40.00
-30.46
-26.94
-24.58
-22.62
-21.11
-19.33
-18.13
-16.77
-15.34
-14.38
-13.35
-12.40
ANG 。
81.4
52.0
56.0
59.6
59.0
62.6
63.0
60.6
57.1
53.2
50.9
44.8
40.9
MAG 。
0.943
0.635
0.544
0.517
0.497
0.478
0.467
0.467
0.481
0.504
0.517
0.503
0.457
ANG 。
-11.3
-25.3
-27.3
-29.2
-34.1
-36.7
-44.4
-53.4
-61.9
-68.9
-74.3
-79.6
-90.2
在Tc = + 25 ° C典型散射参数
共发射极，V
CE
= 8V ， IC = 25毫安，Z0 = 50欧姆
频率。
GHz的
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
S11
MAG 。
0.586
0.382
0.358
0.362
0.385
0.408
0.442
0.463
0.484
0.476
0.462
0.495
0.563
S21
ANG 。
-53.5
-140.8
-174.2
167.6
152.4
145.5
137.0
130.0
121.4
110.5
101.3
90.1
80.5
S12
MAG 。
40.842
14.306
7.416
5.003
3.789
3.086
2.605
2.262
2.003
1.828
1.647
1.537
1.429
S22
MAG 。
0.009
0.025
0.041
0.064
0.079
0.100
0.116
0.137
0.157
0.178
0.197
0.224
0.250
dB
32.22
23.11
17.40
13.98
11.57
9.79
8.32
7.09
6.03
5.24
4.33
3.73
3.10
ANG 。
145.1
98.4
79.6
67.7
57.9
52.3
43.6
34.0
25.4
15.5
6.4
-1.8
-11.6
dB
-40.92
-32.04
-27.74
-23.88
-22.05
-20.00
-18.71
-17.27
-16.08
-14.99
-14.11
-13.00
-12.04
ANG 。
82.1
61.9
68.9
67.4
64.8
64.8
65.9
61.2
58.4
52.2
48.1
42.8
36.9
MAG 。
0.850
0.528
0.487
0.467
0.448
0.428
0.418
0.426
0.431
0.461
0.466
0.454
0.396
ANG 。
-17.4
-22.8
-23.2
-27.4
-31.4
-34.7
-43.2
-52.3
-60.8
-68.6
-72.8
-79.2
-89.2
4
在Tc = + 25 ° C典型噪声参数
V
CE
= 8V ， IC = 10毫安，Z0 = 50欧姆
Gopt
Freq.GHz
0.1
0.5
1
2
4
NfodB
1.30
1.33
1.42
1.73
2.92
MAG
0.184
0.206
0.107
0.328
0.557
昂
-4.1
9.5
15.8
-165.5
-128.3
RN/50
0.22
0.21
0.20
0.18
0.27
产品型号订购信息
产品型号
AT-41535G
没有设备的
100
35微-X封装尺寸
.085
2.15
4
辐射源
0.083 DIA 。
2.11
BASE
1
集热器
3
.020
.508
2
辐射源
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX = ± 0.005
毫米.XX = ± 0.13
.057 ± .010
1.45 ± .25
.100
2.54
.022
.56
.455 ± .030
11.54 ± .75
.006 ± .002
.15 ± .05
415
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