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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1690页 > AT-41470
高达6 GHz的低噪声
硅双极晶体管
技术参数
AT-41470
特点
低噪声系数：
1.6分贝典型为2.0 GHz的
3.0分贝一般在4.0 GHz的
高相关的增益：
14.5分贝典型为2.0 GHz的
10.5分贝一般在4.0 GHz的
高增益带宽
产品：
8.0 GHz的典型F
T
密封，黄金，陶瓷
微带套餐
手指互相交叉的几何
产生一个中等大小的
晶体管与阻抗的
很容易搭配低噪音
和中等功率应用。
该器件是专为使用
低噪声，宽带放大器，
混频器和振荡器应用
在VHF ，UHF和微波
频率。最佳的噪声
近50比赛
在1 GHz ，使得
该设备易于作为低使用
噪声放大器。
对AT- 41470双极型晶体管是
使用编造惠普的
10 GHz的F
T
自对准三极管
（ SAT）的方法。模具是氮化
钝化的表面保护。
优良的设备均匀，
性能和可靠性是
通过使用离子产生
注入，自对准
技术，和黄金金属化
在此器件的制造。
70万包
描述
惠普公司的AT- 41470是一种
通用NPN双极
晶体管，提供优异的
高频性能。该
AT- 41470安装在一个密封，
高可靠性黄金陶瓷70万
微带包。在4微米
发射极 - 发射极间的间距使
在许多使用这种晶体管
不同的功能。 14个发射器
4-119
5965-8927E
AT- 41470绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.5
20
12
60
500
200
-65 200
热阻
[2,4]
:
θ
jc
= 175 ° C / W
注意事项：
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2. T
例
= 25°C.
3.减免5.7毫瓦/°C，对于T
C
> 113 ℃。
4.该技术导致的小的光斑尺寸更高，虽然更
准确测定
θ
jc
比其他方法。见测量
MENTS节“热阻”的详细信息。
电气规格，T
A
= 25°C
符号
|S
21E
|
2
P
1分贝
G
1分贝
NF
O
参数和测试条件
插入功率增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
功率输出@ 1 dB增益压缩
V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
1分贝压缩增益; V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
最佳的噪声系数： V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 4.0 GHz的
单位
dB
DBM
dB
dB
分钟。
典型值。马克斯。
12.0
6.5
19.0
18.5
15.0
10.5
1.3
1.6
3.0
18.5
14.5
10.5
8.0
30
150
300
0.2
1.0
1.9
G
A
增益@ NF
O
; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
dB
13.0
GHz的
—
A
A
pF
f
T
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
CB
增益带宽积： V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
正向电流传输比; V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
集电极截止电流; V
CB
= 8 V
发射极截止电流; V
EB
= 1 V
集电极电容基地
[1]
: V
CB
= 8 V ， F = 1兆赫
0.2
注意：
一，在本试验中，发射极接地。
4-120
AT- 41470的典型表现，T
A
= 25°C
24
21
18
G
A
24
16
P
1分贝
（ dBm的）
20
增益（dB ）
15
14
13
12
G
A
10 V
6V
4V
2.0 GHz的
4.0 GHz的
P
1dB
增益（dB ）
15
12
9
6
NF
50
16
8
6
12
2.0 GHz的
4
G
1dB
NF
O
4V
6V
10 V
G
1分贝
（ dB）的
4
NF
O
3
2
1
8
3
0
0.5
1.0
2.0
2
0
3.0 4.0 5.0
4
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
频率（GHz ）
I
C
（MA ）
I
C
（MA ）
图1.噪声系数和相关
增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安。
图2.输出功率和1分贝
压缩增益与集电极
电流和频率。 V
CE
= 8 V.
图3.最佳的噪声系数和
相关增益与集电极电流
和集电极电压。 F = 2.0千兆赫。
16
40
2.0 GHz的
20
增益（dB ）
14
12
35
30
味精
16
|S
21E
|
2
增益（dB ）
1.0 GHz的
增益（dB ）
10
8
G
A
4.0 GHz的
25
20
15
10
5
0
0.1
0.3 0.5
1.0
3.0
6.0
频率（GHz ）
|S
21E
|
2
MAG
12
2.0 GHz的
4
NF
O
2.0 GHz的
NF
O
（ dB）的
4.0 GHz的
6
8
4.0 GHz的
4
2
0
10
20
30
40
0
0
0
10
20
30
40
I
C
（MA ）
I
C
（MA ）
图4.最佳的噪声系数和
相关增益与集电极电流
和频率。 V
CE
= 8 V.
图5.插入功率增益，
最高可用增益和
最大稳定增益与频率。
V
CE
= 8 V，I
C
= 25 mA的电流。
图6.插入功率增益与
集电极电流和频率。
V
CE
= 8 V.
4-121
NF
O
（ dB）的
NF（ dB）的
4.0 GHz的
AT- 41470典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
.79
-37
28.4
26.27
157
0.5
.65
-120
22.3
13.05
110
1.0
.61
-155
17.1
7.17
88
1.5
.60
-172
13.9
4.93
76
2.0
.60
176
11.5
3.75
65
2.5
.61
169
9.7
3.06
59
3.0
.62
161
8.3
2.59
51
3.5
.61
154
7.0
2.24
42
4.0
.60
146
5.9
1.97
32
4.5
.60
137
4.9
1.77
24
5.0
.60
127
4.1
1.61
15
5.5
.61
115
3.4
1.47
6
6.0
.64
104
2.6
1.34
-4
dB
-39.2
-30.8
-28.9
-27.5
-26.4
-26.0
-24.7
-23.2
-21.4
-20.1
-19.5
-18.3
-17.4
S
12
MAG 。
.011
.029
.036
.042
.048
.050
.058
.069
.085
.099
.106
.121
.135
S
22
ANG 。
57
40
41
46
46
58
61
63
62
59
59
56
53
MAG 。
.94
.62
.52
.50
.50
.48
.49
.51
.52
.55
.57
.58
.57
ANG 。
-13
-30
-32
-36
-40
-41
-48
-56
-63
-69
-75
-80
-87
AT- 41470典型的散射参数，
共射，Z
O
= 50
,
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 8 V，I
C
= 25毫安
频率。
S
11
S
21
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
MAG 。
ANG 。
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
.64
.61
.61
.60
.61
.61
.62
.62
.62
.61
.60
.61
.64
-62
-146
-170
177
167
163
156
150
142
134
123
112
102
32.5
23.7
18.1
14.7
12.3
10.4
9.0
7.7
6.6
5.6
4.8
4.0
3.2
42.11
15.31
8.00
5.42
4.10
3.32
2.81
2.44
2.13
1.91
1.73
1.59
1.45
147
100
83
72
62
58
50
41
32
24
15
6
-3
dB
-40.9
-34.4
-30.2
-29.1
-27.1
-25.7
-23.6
-22.6
-21.7
-20.1
-18.9
-18.1
-17.3
S
12
MAG 。
.009
.019
.031
.035
.044
.052
.066
.074
.082
.099
.113
.124
.136
S
22
ANG 。
75
47
53
62
60
67
67
67
63
62
59
54
50
MAG 。
.85
.50
.44
.44
.44
.43
.44
.46
.48
.50
.52
.54
.53
ANG 。
-19
-30
-31
-34
-39
-39
-46
-55
-62
-68
-73
-78
-85
可在设备型号部分的模型此设备。
AT- 41470的噪声参数：
V
CE
= 8 V，I
C
= 10毫安
频率。
GHz的
0.1
0.5
1.0
2.0
4.0
NF
O
dB
1.2
1.2
1.3
1.6
3.0
Γ
选择
MAG
.12
.11
.06
.21
.45
昂
5
17
35
160
-150
R
N
/50
0.17
0.17
0.17
0.16
0.20
4-122
70密耳封装尺寸
.040
1.02
4
辐射源
.020
.508
BASE
1
集热器
3
2
辐射源
.004
±
.002
.10
±
.05
.070
1.70
注意事项：
（除非另有规定编）
1.尺寸单位：
mm
2.公差
在.XXX =
±
0.005
毫米.XX =
±
0.13
.495
±
.030
12.57
±
.76
.035
.89
封装标记为“ 414 ”
4-123
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AM3N-2424SH30Z
AM29F002NB-90EI
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    AT-41470
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