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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1410页 > AT-36408
4.8 V NPN型共发射极
输出功率晶体管
对于GSM IV级手机
技术参数
AT-36408
特点
4.8伏脉冲操作
(脉冲宽度= 577
微秒,
占空比= 12.5 % )
35.0 dBm的P
OUT
@ 900兆赫,
典型值。
65%的集热效率
@ 900 MHz的典型值。
9分贝功率增益@ 900 MHz时,
典型值。
内部输入预匹配
方便级联
SOIC - 8表面贴装
塑料包装
大纲P8
描述
惠普公司的AT- 36408
结合内部输入预
具有成本低, NPN型匹配
功率硅双极结
采用SOIC - 8表面晶体管
贴装塑料封装。这
设备被设计用于作为
输出设备为GSM IV类
手机。在4.8伏时,器件
特点+35 dBm的输出脉冲
动力,卓越的动力补充
效率,出色的增益,
使得AT- 36408极好
电池供电的选择
系统。
在AT- 36408是用纤维制作
惠普的10 GHz的F
t
排列晶体管( SAT )的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀,性能
和可靠性是由制造
使用离子注入,自
对准技术,和黄金
金属化中的制造
这些设备。
引脚配置
BASE
辐射源
1
2
3
4
8
7
6
5
BASE
辐射源
集热器
辐射源
应用
输出功率器件
GSM IV级手机
集热器
辐射源
4-81
5965-5960E
AT- 36408绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
[2]
峰值功耗
[2, 3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
绝对
最大
[1]
1.4
16.0
9.5
1.7
8.6
150
-65到150
热阻
[4]
:
θ
jc
= 60 ° C / W
注意事项:
如果任何超出这些限制可能会出现1永久性损坏。
2.脉冲操作,脉冲宽度= 577
微秒,
占空比= 12.5 % 。
3.在降额133.3毫瓦/°C,对于T
C
> 85
°C.
T
C
被定义为温度
集电极插针3和6中,在其中引线接点的电路板。
4.使用液晶技术,V
CE
= 4.5 V,I
c
= 100毫安,T
j
=150°C, 1- 2
m
“热点”的决议。
电气规格,T
C
= 25°C
符号
参数和测试条件
频率。 = 900兆赫,V
CE
= 4.8 V,I
CQ
= 50毫安,脉冲操作,脉冲宽度=
577
微秒,
占空比= 12.5 % ,测试电路A,除非另有说明
单位
分钟。
典型值。马克斯。
P
OUT
η
C
H2
H3
输出功率
[1]
收藏家EF网络效率
[1]
二阶谐波
[1]
第三谐波
[1]
不匹配公差,无损伤
[1]
P
in
= +26 dBm的
P
in
= +26 dBm的
F
0
= 900兆赫
F
0
= 900兆赫
P
OUT
= +35 dBm的
任何阶段, 2秒的持续时间
I
E
= 0.8毫安,开路集电极
I
C
= 4.0毫安,发射极开路
I
C
= 20.0毫安,开基
V
CE
= 3 V,I
C
= 180毫安
V
首席执行官
= 5 V
DBM
%
dBc的
dBc的
+34.0
55
+35.0
65
-50
-40
7:1
BV
EBO
BV
CBO
BV
首席执行官
h
FE
I
首席执行官
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
正向电流传输比
收藏家泄漏电流
V
V
V
A
1.4
16.0
9.5
80
150
330
50
注意:
1.外部匹配输入和输出,在50欧姆的环境中进行测试。请参考测试电路A( GSM ) 。
4-82
AT- 36408的典型表现,T
C
= 25°C
频率为900兆赫,V
CE
= 4.8 V,I
CQ
= 50毫安,脉冲操作,脉冲宽度= 577
微秒,
占空比= 12.5 % ,
测试电路A( GSM ) ,除非另有说明。
38
34
30
26
22
18
14
集热效率( % )
集热效率( % )
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
P
OUT
95
80
65
50
38
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
80
70
60
50
40
30
20
10
0
6
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
输出功率(dBm )
输出功率(dBm )
33
28
η
c
23
3.6 V
4.8 V
6.0 V
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
输入功率(dBm )
35
20
18
13
3.6 V
4.8 V
6.0 V
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
输入功率(dBm )
6
5
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
输入功率(dBm )
图1.输出功率和集电极
效率与输入功率。
图2.输出功率与输入
权力的偏置电压。
P
in
= +26 dBm的
图3.集电极效率与
输入功率过偏置电压。
36
35
输出功率(dBm )
34
33
32
31
30
29
28
27
15
集热效率( % )
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
输出功率(dBm )
36.0
35.8
35.6
35.4
35.2
35.0
34.8
34.6
34.4
34.2
27 28
34.0
880
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
P
OUT
75
0
输出R.L.
71
-5
回波损耗(分贝)
67
-10
η
c
63
-15
输入R.L.
-20
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= –40°C
17
19
21
23
25
59
890
900
910
55
920
-25
800
Γ
来源
= 0.88
-171
Γ
负载
= 0.85
+172
850
900
950
1000
频率(MHz)
输入功率(dBm )
频率(MHz)
图4.输出功率与输入
功率在整个温度。
图5.输出功率和
集热效率与频率。
注意:
调谐在900MHz ,然后漫过频。
图6.输入和输出回波
损耗与频率。
4-83
AT- 36408的典型大信号阻抗
V
CE
= 4.8 V,I
CQ
= 50毫安,脉冲操作,P
OUT
= 35.0 dBm的
建行(PF )
20
19
18
频率。
兆赫
880
890
900
910
915
920
Γ
MAG 。
0.882
0.885
0.887
0.890
0.891
0.893
来源
Γ
ANG 。
MAG 。
0.847
0.849
0.851
0.853
0.854
0.855
负载
ANG 。
172.7
172.2
171.6
171.1
168.4
168.2
17
16
15
14
13
12
0
2
4
6
8
10
-170.0
-170.5
-171.1
-171.4
-169.0
-168.4
VCB ( V)
图7.集电极 - 基极电容
与集电极 - 基极电压( DC测试) 。
SPICE模型参数
模具模型
CPAD
C
CPAD
B
RLead
LLead
Cpkg2
Cpkg1
R= 1
Lwbase
Rwbase
LLead
CBase类
L=0
Cpkg1
Cpkg2
R=1
LLead
Lwbb
Rwbb
LE1
DIE
LE2
Lwbb
Rwbb
LE1
LE2
包装型号
Lwire
的Rwire
Lwire
的Rwire
Lwbase
Rwbase
Lwbase
CBase类Rwbase
Lwbase
Rwbase
L=0
Lwbb
Rwbb
LE1
DIE
LE2
CPAD
B
芯片面积= 1.2
CPAD = 0.3 pF的
LABEL
BF
IKF
ISE
NE
VAF
NF
TF
XTF
VTF
创新及科技基金
PTF
XTB
BR
IKR
ISC
NC
变种
NR
价值
280
299.9
9.9E-11
2.399
33.16
0.9935
1.6E-11
0.006656
0.02785
0.001
23
0
54.61
81
8.7E-13
1.587
1.511
0.9886
DIE
E1
LABEL
TR
EG
IS
XTI
CJC
VJC
MJC
XCJC
FC
CJE
VJE
MJE
RB
IRB
RBM
RE
RC
价值
1E-9
1.11
3.598E-15
3
0.8E-12
0.4831
0.2508
0.001
0.999
6.16E-12
1.186
0.5965
0.752
0
0.01
1.27
0.107
E2
RLead
E1
RLead
C
Cpkg1
RLead
E2
Cpkg2
LLead
DIE
LE1
LE2
LABEL
RLead
LLead
的Rwire
Lwire
Cpkg1
Cpkg2
LE1
价值
0.63
1.45 nH的
1.3
0.52 nH的
0.4 pF的
1.2 pF的
0.3 nH的
LABEL
LE2
CBase类
Rwbase
Lwbase
Rwbb
Lwbb
价值
0.00064 nH的
46.0 pF的
0.2
1.19 nH的
0.1
0.1 nH的
4-84
AT- 36408典型的散射参数,共发射极,Z
O
= 50
V
CE
= 3.6 V,I
c
= 200毫安,T
c
= 25°C
频率。
S
11
GHz的
MAG 。
ANG 。
dB
0.05
0.96
-175
22.3
S
21
MAG 。
13.08
ANG 。
93
dB
-38.4
S
12
MAG 。
0.012
S
22
ANG 。
11
MAG 。
0.74
ANG 。
-169
0.10
0.25
0.50
0.75
0.90
1.00
1.25
1.50
0.96
0.96
0.94
0.90
0.84
0.79
0.92
0.97
-178
177
173
169
168
170
175
169
16.4
8.8
4.2
3.4
4.2
4.6
-1.2
-9.6
6.61
2.76
1.63
1.49
1.63
1.70
0.87
0.33
13.42
6.79
2.83
1.66
1.51
1.64
1.71
0.89
0.34
13.60
6.88
2.87
1.68
1.52
1.64
1.70
0.90
0.35
88
80
66
46
24
0
-68
-98
93
88
80
66
46
24
0
-67
-97
93
88
79
65
45
23
0
-67
-97
-37.7
-36.5
-34.4
-32.0
-32.0
-34.0
-37.1
-30.2
-37.7
-37.7
-36.5
-34.4
-32.4
-32.0
-34.0
-37.1
-30.2
-37.7
-37.1
-35.9
-34.0
-32.0
-32.0
-34.0
-37.7
-30.2
0.013
0.015
0.019
0.025
0.025
0.020
0.014
0.031
0.013
0.013
0.015
0.019
0.024
0.025
0.020
0.014
0.031
0.013
0.014
0.016
0.020
0.025
0.025
0.020
0.013
0.031
13
24
33
27
10
-14
126
97
11
13
23
32
26
9
-14
126
97
12
14
23
30
24
8
-14
125
96
0.74
0.75
0.73
0.71
0.72
0.81
1.01
0.96
0.74
0.73
0.74
0.72
0.70
0.72
0.81
1.01
0.96
0.73
0.72
0.73
0.71
0.69
0.72
0.81
1.01
0.95
-174
-177
-177
-172
-165
-160
-172
-177
-169
-174
-177
-176
-172
-164
-160
-171
-177
-169
-174
-177
-176
-171
-164
-159
-171
-177
V
CE
= 4.8 V,I
c
= 200毫安,T
c
= 25°C
0.05
0.96
-174
22.6
0.10
0.96
-178
16.6
0.25
0.96
178
9.0
0.50
0.94
173
4.4
0.75
0.90
169
3.6
0.90
0.84
168
4.3
1.00
0.80
170
4.6
1.25
0.92
175
-1.0
1.50
0.97
169
-9.4
V
CE
= 6.0 V,I
c
= 200毫安,T
c
= 25°C
0.05
0.96
-174
22.7
0.10
0.96
-178
16.7
0.25
0.96
178
9.2
0.50
0.94
173
4.5
0.75
0.90
169
3.7
0.90
0.85
168
4.3
1.00
0.80
170
4.6
1.25
0.92
175
-1.0
1.50
0.97
169
-9.2
典型性能
35
30
25
20
味精
MAG
35
30
25
味精
20
味精
MAG
35
30
25
味精
20
味精
MAG
味精
增益(dB )
增益(dB )
15
10
5
0
-5
-10
0.05 0.10 0.25 0.50 0.75 0.90 1.00 1.25 1.50
频率(GHz )
|S
21
|
2
15
10
5
0
-5
-10
0.05 0.10 0.25 0.50 0.75 0.90 1.00 1.25 1.50
频率(GHz )
|S
21
|
2
增益(dB )
15
10
5
0
-5
-10
0.05 0.10 0.25 0.50 0.75 0.90 1.00 1.25 1.50
频率(GHz )
|S
21
|
2
图8.插入功率增益,
最高可用增益和最大
稳定的增益与频率。 V
CE
= 3.6V,
IC = 200 mA的电流。
图9.插入功率增益,
最高可用增益和最大
稳定的增益与频率。 V
CE
= 4.8V,
IC = 200 mA的电流。
图10.插入功率增益,
最高可用增益和最大
稳定的增益与频率。 V
CE
= 6.0V,
IC = 200 mA的电流。
4-85
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AT-36408
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3540513578 复制
电话:135-34090664
联系人:马先生
地址:福田区华强北街道中航路
AT-36408
AGILENT
22+
588888
SMD
ESD管TVS管-可供样品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
AT-36408
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7942
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
AT-36408
AGILENT
21+
21000
SMD
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
▲10/11+
8503
贴◆插
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电话:0755-82778126
联系人:曾先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋317室 ★★诚信经营★★
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21+
21000
原装
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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