低电流，高绩效
NPN硅双极晶体管
技术参数
AT-31011
AT-31033
特点
高性能双极
晶体管优化
低电流，低电压
手术
900 MHz的性能：
AT- 31011 ： 0.9分贝NF ， 13分贝摹
A
AT- 31033 ： 0.9分贝NF ， 11分贝摹
A
特点是终了
生活中使用电池（ 2.7 V ）
SOT -143表面贴装塑料
包
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
惠普的AT- 31011和
AT- 31033顷高性能
有NPN双极晶体管
一直在优化操作
低电压，非常适合
在电池供电的应用
应用在无线市场。
在AT- 31033采用了3领先
SOT -23 ，而AT- 31011的地方
在同一芯片中的更高
性能4引脚SOT -143 。两
包行业标准
高容量兼容
表面贴装
技术。
的3.2微米的发射极 - 发射极
俯仰和减少寄生设计
这些晶体管收益率
极高的性能
可以执行一个mul-产品
tiplicity任务。 10个发射器
手指互相交叉的几何
产生一个非常快的晶体管
低工作电流和
合理的阻抗。
优化的性能，在2.7 V
使这些器件非常适用于使用
在900兆赫， 1.9千兆赫和2.4千兆赫
外形绘图
发射器收藏家
电池供电系统作为
低噪声放大器，增益级，缓冲器，振荡器
或有源混频器。应用程序
包括蜂窝和PCS手持机
以及工业， Scientific-
医疗系统。典型的放大器
在900MHz的设计得到1.3分贝
11分贝以上的噪声系数
在2.7 V ， 1毫安相关增益
偏见。中等输出功率
能力（ +9 dBm的P
1dB
）加上
具有优良的噪声系数
产生高动态范围的
微电流装置。高增益
在1伏的能力，以1mA使得这些
器件非常适合用于900兆赫
寻呼机的应用程序。
在AT -3系列双极晶体管
使用优化的被制造
版惠普的
10 GHz的F
T
30 GHz的F
最大
自
排列晶体管（ SAT ）的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀，性能
和可靠性是由制造
使用离子注入，自
对准技术，和黄金
金属化中的制造
这些设备。
310
BASE
辐射源
SOT -143 （ AT- 31011 ）
集热器
310
BASE
辐射源
SOT- 23 （ AT- 31033 ）
注意：
1.请参阅“带盘式包装
半导体器件“
4-33
5965-8919E
AT- 31011 ， AT- 31033绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对最大
[1]
1.5
11
5.5
16
150
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
jc
= 550 ° C / W
注意事项：
1.操作该设备，这些参数中的任何一个以上的可能会造成永久性的损害。
2. T
安装面
= 25°C.
3.减免1.82毫瓦/°C，对于T
C
> 67.5 ℃。
电气规格，T
A
= 25
°
C
AT-31011
符号
NF
G
A
h
FE
I
CBO
I
EBO
参数和测试条件
噪声系数
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
相关的增益
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
正向电流
传输比
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
V
CE
= 2.7 V
I
C
= 1毫安
V
CB
= 3 V
V
EB
= 1 V
单位
dB
dB
-
A
A
11
[1]
70
0.05
0.1
民
典型值
0.9
[1]
13
[1]
300
0.2
1.5
最大
1.2
[1]
9
[2]
70
0.05
0.1
民
AT-31033
典型值
最大
0.9
[2]
1.2
[2]
11
[2]
300
0.2
1.5
注意事项：
1.测试电路B ，如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。
输入损耗= 0.4分贝;输出损耗= 0.4分贝。
2.测试电路A，如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。
输入损耗= 0.4分贝;输出损耗= 0.4分贝。
V
BB
W = 10 L = 1860
1000 pF的
W = 10 L = 1000
W = 30 L = 100
V
CC
W = 10 L = 1860
25
1000 pF的
W = 10 L = 1025
W = 30 L = 100
测试电路
董事会MATL = 0.062" FR - 4 （ ε = 4.8 ）
在密尔尺寸
测试电路： W = 20 L = 100
测试电路B： W = 20 L = 200 ×2
不按比例
图1.测试电路的噪声系数和相关的增益。该电路是一个
妥协之间的匹配最佳的噪声系数，增益最好，稳定，实用，
可合成的匹配，以及一个电路，它能匹配两者的AT- 305和AT -310的
几何形状。
4-34
表征信息，T
A
= 25
°
C
AT- 31011 AT- 31033
符号
P
1dB
G
1dB
IP
3
|S
21
|
E2
C
CB
参数和测试条件
功率为1 dB增益压缩（ OPT调整）
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 10毫安
增益为1 dB增益压缩（ OPT调整）
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 10毫安
输出三阶截点，
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 10 MA（ OPT调整）
涨幅50
系统; V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
集电极 - 基极电容
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
V
CB
= 3V ， F = 1兆赫
单位
DBM
dB
DBM
dB
pF
典型值
9
15
20
10
0.04
典型值
9
13
20
9
0.04
2.5
放大器的NF
2
噪声系数（dB ）
25
25
20
10毫安
20
10毫安
嘎（分贝）
1
NF MIN 。
1毫安
10毫安
1毫安
10
嘎（分贝）
1.5
15
15
10
1毫安
0.5
5
5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图2： AT- 31011和AT- 31033
最小噪声系数和放大器
NF
[1]
与频率和电流
V
CE
= 2.7 V.
10
10毫安
8
图3. AT- 31011相关增益
最佳噪声匹配与频率的关系
而目前在V
CE
= 2.7 V.
图4. AT- 31033相关增益
最佳噪声匹配与频率的关系
而目前在V
CE
= 2.7 V.
20
16
16
摹1分贝（分贝）
12
P 1分贝（ DBM）
6
12
摹1分贝（分贝）
5毫安
8
4
2毫安
2
2毫安
5毫安
10毫安
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
8
2毫安
5毫安
10毫安
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
4
2毫安
5毫安
10毫安
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
4
0
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图5. AT- 31011和AT- 31033
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 2.7 V.
图6. AT - 31011 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 2.7 V.
图7. AT - 31033 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 2.7 V.
注意：
1.放大器NF代表的噪声系数，可以预见，在实际电路较合理的反射系数和
包括电路损失。
4-35
AT- 31011 ， AT- 31033的典型表现
15
20
20
12
10毫安
P 1分贝（ DBM）
16
16
摹1分贝（分贝）
2毫安
5毫安
10毫安
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
9
5毫安
摹1分贝（分贝）
12
12
6
2毫安
3
2毫安
5毫安
10毫安
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
8
8
2毫安
5毫安
10毫安
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
4
4
0
0
0
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图8. AT- 31011和AT- 31033
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 5 V.
图9. AT - 31011 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 5 V.
图10. AT - 31033 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 5 V.
4
20
20
5毫安
2
P 1分贝（ DBM）
16
5毫安
摹1分贝（分贝）
16
5毫安
摹1分贝（分贝）
12
2毫安
8
12
0
2毫安
-2
8
2毫安
4
4
-4
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图11. AT- 31011和AT- 31033
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 1 V.
图12. AT - 31011 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 1 V.
图13. AT - 31033 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 1 V.
25
2.5
25
2.5
0
IM3 （ DBC）
IM5 （ DBC）
IM7 （ DBC）
20
Ga
嘎（ DBM）
2.0
噪声系数（dB ）
20
2.0
嘎（ DBM）
IM3 （ DBC）
15
1.5
15
Ga
10
NF
5
1.5
噪声系数（dB ）
-20
-40
10
NF
5
1.0
1.0
0.5
-60
0.5
-80
-9
0
-50
0
50
0
100
0
-50
0
50
0
100
-6
-3
0
3
6
温度（℃）
温度（℃）
电源PER TONE （ DBM）
图14. AT- 31011噪声系数和
在V相关的增益
CE
= 2.7 V,
I
C
= 1毫安与在试验温度
电路，如图1 （电路损耗
脱嵌）
图15. AT- 31033噪声系数和
在V相关的增益
CE
= 2.7 V,
I
C
= 1毫安与在试验温度
电路，如图1 （电路损耗
脱嵌）
图16. AT- 31011和AT- 31033
互调产物与输出
功率在V
CE
= 2.7 V，I
C
= 10毫安，
900 MHz的优化调整。
4-36
QQ：2881677436 复制
