低电流，高绩效
NPN硅双极晶体管
技术参数
AT-30511
AT-30533
特点
高性能双极
晶体管优化
低电流，低电压
手术
900 MHz的性能：
AT- 30511 ： 1.1分贝NF ， 16分贝摹
A
AT- 30533 ： 1.1分贝NF ， 13分贝摹
A
特点是终了
生活中使用电池（ 2.7 V ）
SOT -23和SOT -143表面贴装
塑料封装
带盘式包装
可用选项
[1]
描述
惠普的AT- 30511和
AT- 30533顷高性能
有NPN双极晶体管
经过优化的最大值Fi
T
at
低电压操作，使得
它们非常适用于电池
无线供电的应用
市场。在AT- 30533采用了3
引脚SOT-23 ，而AT- 30511
放置在同一芯片中的更高
性能4引脚SOT -143 。两
包是行业标准，
并具有高体积兼容
表面贴装
技术。
的3.2微米的发射极 - 发射极
俯仰和减少寄生设计
这些晶体管收益率
极高的性能
可以执行一个多产品
起见任务。 5个发射器
手指互相交叉的几何
产生一个非常快的晶体管
具有高增益和低的操作
电流。
优化的性能，在2.7 V
使这些器件非常适用于使用
在900兆赫兹， 1.8千兆赫，和2.4GHz
电池供电系统作为
低噪声放大器，增益级，缓冲器，振荡器
或有源混频器。典型的放大器
在900MHz的设计得到1.3分贝
13分贝以上的噪声系数
在2.7 V ， 1毫安相关增益
偏见。击穿电压高
足够使用5伏特。高
获得能力在1 V ， 1毫安品牌
这些器件非常适合
900 MHz的寻呼机应用。
在AT -3系列双极晶体管
使用优化的被制造
版本惠普的
10 GHz的F
T
30 GHz的F
最大
自
排列晶体管（ SAT ）的过程。
模具是氮化物钝化为
表面保护。优秀
设备均匀，性能
和可靠性是由制造
使用离子注入，自
对准技术，和黄金
金属化中的制造
这些设备。
外形绘图
发射器收藏家
305
BASE
辐射源
SOT -143 （ AT- 30511 ）
集热器
305
BASE
辐射源
SOT- 23 （ AT- 30533 ）
注意：
1.请参阅“带盘式包装
半导体器件“ 。
4-23
5965-8918E
AT- 30511 ， AT- 30533绝对最大额定值
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
注意事项：
1.操作该设备，这些参数中的任何一个上面，可能会导致永久性的
损害。
2. T
安装面
= 25°C.
3.减免1.82毫瓦/°C，对于T
C
> 95 ℃。
参数
单位
发射极 - 基极电压
V
集电极 - 基极电压
V
集电极 - 发射极电压
V
集电极电流
mA
功耗
[2] [3]
mW
结温
°C
储存温度
°C
绝对最大
1.5
11
5.5
8
100
150
-65到150
[1]
热阻：
θ
jc
= 550 ° C / W
[2]
电气规格，T
A
= 25
°
C
AT-30511
符号
NF
G
A
h
FE
I
CBO
I
EBO
参数和测试条件
噪声系数
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
相关的增益
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
正向电流
传输比
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
V
CE
= 2.7 V
I
C
= 1毫安
V
CB
= 3 V
V
EB
= 1 V
单位
dB
dB
-
A
A
14
[1]
AT-30533
民
典型值
1.1
11
300
[2]
[2]
民
典型值
1.1
16
[1]
最大
1.4
[1]
最大
1.4
[2]
[1]
13
[2]
70
0.03
0.1
70
0.03
0.1
300
0.2
1.5
0.2
1.5
注意事项：
1.测试电路B ，如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。
输入损耗= 0.4分贝;输出损耗= 0.4分贝。
2.测试电路A，如图1。数字反映了设备的性能脱嵌的电路损耗。
输入损耗= 0.4分贝;输出损耗= 0.4分贝。
25
1000 pF的
V
BB
W = 10 L = 1860
1000 pF的
W = 10 L = 1000
W = 30 L = 100
V
CC
W = 10 L = 1860
W = 30 L = 100
W = 10 L = 1025
测试电路
董事会MATL = 0.062" FR - 4 （ ε = 4.8 ）
在密尔尺寸
测试电路： W = 20 L = 100
测试电路B： W = 20 L = 200 ×2
不按比例
图1.测试电路的噪声系数和相关的增益。该电路是一个
妥协之间的匹配最佳的噪声系数，增益最好，稳定，实用，
可合成的匹配，以及一个电路，它能匹配两者的AT -305和
AT- 310的几何形状。
4-24
AT- 30511 ， AT- 30533表征信息，T
A
= 25
°
C
AT- 30511 AT- 30533
符号
P
1dB
G
1dB
IP
3
|S
21
|
E2
C
CB
参数和测试条件
功率为1 dB增益压缩（ OPT调整）
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5毫安
增益为1 dB增益压缩（ OPT调整）
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5毫安
输出三阶截点，
V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5 MA（ OPT调整）
涨幅50
系统; V
CE
= 2.7 V，I
C
= 1毫安
集电极 - 基极电容
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
V
CB
= 3V ， F = 1兆赫
单位
DBM
dB
DBM
dB
pF
典型值
7
16.5
17
10
0.04
典型值
7
15
17
9
0.04
典型性能
2.5
25
25
2.0
噪声系数（dB ）
放大器的NF
20
5毫安
嘎（分贝）
20
5毫安
嘎（分贝）
15
1.5
15
1.0
NF MIN 。
10
1毫安
5
10
1毫安
5
0.5
1毫安
5毫安
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图2： AT- 30511和AT- 30533
最小噪声系数和放大器
NF
[1]
与频率和电流
V
CE
= 2 .7 V.
10
图3. AT- 30511相关增益
最佳噪声匹配与频率的关系
而目前在V
CE
= 2 .7 V.
图4. AT- 30533相关增益
最佳噪声匹配与频率的关系
而目前在V
CE
= 2 .7 V.
25
25
8
20
摹1分贝（ DBM）
摹1分贝（ DBM）
20
P 1分贝（ DBM）
5毫安
6
5毫安
15
2毫安
10
15
5毫安
4
2毫安
2
10
2毫安
5
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图5. AT- 30511和AT- 30533
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 2.7 V.
图6. AT - 30511 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 2.7 V.
图7. AT - 30533 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 2.7 V.
注意：
1.放大器NF代表的噪声系数，可以预见，在实际电路较合理的反射系数和
包括电路损失。
4-25
AT- 30511 ， AT- 30533的典型表现，
持续
10
25
25
8
P 1分贝（ DBM）
摹1分贝（ DBM）
20
5毫安
20
摹1分贝（ DBM）
5毫安
15
2毫安
5毫安
6
15
2毫安
10
4
2毫安
2
10
5
5
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图8. AT- 30511和AT- 30533
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 5 V.
6
图9. AT - 30511 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 5 V.
25
图10. AT - 30533 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 5 V.
25
4
5毫安
摹1分贝（ DBM）
20
5毫安
15
2毫安
20
摹1分贝（ DBM）
P 1分贝（ DBM）
2
5毫安
15
0
2毫安
-2
10
10
2毫安
5
5
-4
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
图11. AT- 30511和AT- 30533
功率为1 dB增益压缩与
频率和电流在V
CE
= 1 V.
图12. AT - 30511 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 1 V.
图13. AT - 30533 1分贝压缩
增益与频率和电流
V
CE
= 1 V.
0
IM3 （ DBC）
IM5 （ DBC）
IM7 （ DBC）
25
2.5
25
2.5
20
Ga
嘎（ DBM）
2.0
噪声系数（dB ）
20
Ga
2.0
15
1.5
IM3 （ DBC）
嘎（ DBM）
15
1.5
噪声系数（dB ）
-20
-40
10
NF
5
1.0
10
NF
5
1.0
0.5
0.5
-60
0
-50
0
50
0
100
0
-50
0
50
0
100
-80
-9
-6
-3
0
3
6
温度（℃）
温度（℃）
电源PER TONE （ DBM）
图14. AT- 30511噪声系数和
在V相关的增益
CE
= 2.7 V,
I
C
= 1毫安与在试验温度
电路，如图1 （电路损耗
脱嵌）
图15. AT- 30533噪声系数和
在V相关的增益
CE
= 2.7 V,
I
C
= 1毫安与在试验温度
电路，如图1 （电路损耗
脱嵌）
图16. AT- 30511和AT- 30533
互调产物与输出
功率在V
CE
2 = 0.7 V，I
C
= 10毫安，
900 MHz的优化调整。
4-26
QQ：2880707522 复制
