AT-110
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5 - 2.0 GHz的
特点
单正电压控制： 0到+5伏
30分贝可变电压衰减
± 2分贝线性从BSL
低DC功耗
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
SOIC - 8塑料包装
磁带和卷轴包装可用
开关速度快
牧师V5
功能原理图
3,4,5
8
7
6
5
描述
M / A-COM公司的AT- 110是GaAs MMIC电压
在一种低成本的SOIC 8-可变衰减器的吸收
引脚表面贴装塑料封装。在AT- 110
更快的开关速度比AT- 108和AT -109 。
对AT- 110非常适合于使用其中线性
衰减微调和非常低的功耗
消费是必需的。
典型的应用包括无线，蜂窝，全球定位系统
设备和自动增益/电平控制电路。
对AT- 110被制造为具有单片砷化镓
MMIC采用了成熟的1微米工艺。该
工艺特点全芯片钝化增加
性能和可靠性。
1
2
3
4
3， VCC = + 5VDC ± 0.5 VDC @ 300 μA最大值。
4. VC = 0 VDC至+5 VDC @ 6毫安最大。
5.外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
引脚配置
PIN号
1
2
3
功能
地
地
RF端口
V
CC
PIN号
5
6
7
8
功能
V
C
地
RF端口
地
订购信息
产品型号
AT-110
AT-110TR
AT-110SMB
1,2
包
散装包装
正向磁带和卷轴
样品板
4
绝对最大额定值
6
参数
输入功率
电源电压V
CC
控制电压V
C
工作温度
储存温度
绝对最大
+21 dBm的
-1 V < V
CC
< +8 V
-1 V < V
C
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
1.参考应用笔记M513的卷大小信息。
2.所有样品板包括5个零件松动。
6.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
AT-110
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5 - 2.0 GHz的
电气规格
7
: T
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
参数
插入损耗
衰减
平整度
（峰到峰）
VSWR
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
—
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，50％控制在10％的射频
带内
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
S
S
mV
分钟。
—
—
30
25
—
—
—
—
—
—
典型值。
2.8
3.3
—
—
± 0.5
± 1.2
2:1
0.2
0.2
70
马克斯。
3.0
3.6
—
—
± 0.8
± 1.5
—
—
—
—
牧师V5
7.射频端口必须包从地面或任何其它电压的外面被阻止。
SOIC-8
符合JEDEC湿度敏感度等级1要求。
办理程序
请遵循以下注意事项，以避免损害：
静电灵敏度
砷化镓集成电路对静电放电（ESD）敏感，并且可以通过静电损坏
电力。操作这些设备的时候适当的ESD控制技术应该被使用。
2
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
AT-110
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5 - 2.0 GHz的
典型性能曲线@ 25°C
衰减与控制电压
F = 900 ， 1800 MHz的
0
牧师V5
衰减与温度的关系
归一化到+ 25° C，F = 900兆赫
3
-40°C
1800
900
2
+85°C
-10
1
-20
0
-1
-30
-2
-40
5
4
3
2
1
0
-3
5
4
3
2
1
0
控制电压（V）
控制电压（V）
插入损耗与频率
4
回波损耗与控制电压， F = 900兆赫
0
3
-10
2
-20
1
-30
0
0.5
-40
1.0
1.5
2.0
5
4
3
2
1
0
频率（GHz ）
控制电压（V）
1 dB压缩与控制电压， F = 900兆赫
40
IP3与控制电压
40
30
30
20
20
400兆赫
900兆赫
10
10
0
5
4
3
2
1
0
0
5
4
3
2
1
0
控制电压（V）
控制电压（V）
3
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5-2.0 GHz的
特点
单正电压控制： 0到+5伏
30分贝可变电压衰减
± 2分贝线性从BSL
低DC功耗
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
SOIC - 8塑料包装
磁带和卷轴包装可用
开关速度快
AT-110
V4
功能原理图
1,2,3
8
7
6
5
描述
M / A-COM公司的AT- 110是GaAs MMIC电压
在一种低成本的SOIC 8-可变衰减器的吸收
引脚表面贴装塑料封装。在AT- 110
更快的开关速度比AT- 108和AT -109 。
对AT- 110非常适合于使用其中线性
衰减微调和非常低的功耗
消费是必需的。
典型的应用包括无线，蜂窝，全球定位系统
设备和自动增益/电平控制电路。
对AT- 110被制造为具有单片砷化镓
MMIC采用了成熟的1微米工艺。该
工艺特点全芯片钝化增加
性能和可靠性。
1
2
3
4
1. V
CC
= + 5VDC ± 0.5 VDC @ 300 μA最大值。
2. V
C
= 0 VDC至+5 VDC @ 6毫安最大。
3.外部隔直流电容器所需的所有RF上
端口。
引脚配置
PIN号
1
2
3
功能
地
地
RF端口
V
CC
PIN号
5
6
7
8
功能
V
C
地
RF端口
地
订购信息
产品型号
AT-110
AT-110TR
包
SOIC 8引脚塑料封装
正向磁带和卷轴
4
绝对最大额定值
4
参数
输入功率
电源电压V
CC
控制电压V
C
工作温度
储存温度
绝对最大
+21 dBm的
-1 V < V
CC
< +8 V
-1 V < V
C
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
注：参考应用笔记M513的卷大小
信息。
4.超过任一项的这些限制或组合可能导致
永久性损坏此设备。
1
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5-2.0 GHz的
电气规格
5
: T
A
= 25 ° C，Z
0
= 50
参数
插入损耗
衰减
平整度
（峰到峰）
VSWR
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
AT-110
V4
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
—
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，50％控制在10％的射频
带内
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
比
S
S
mV
民
—
—
30
25
—
—
—
—
—
—
典型值
2.8
3.3
—
—
± 0.5
± 1.2
2:1
0.2
0.2
70
最大
3.0
3.6
—
—
± 0.8
± 1.5
—
—
—
—
5.射频端口必须包从地面或任何其它电压之外被堵塞。
SOIC-8
2
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
可变电压衰减器吸收
30分贝， 0.5-2.0 GHz的
典型性能曲线@ 25°C
衰减与控制电压
F = 900 ， 1800 MHz的
0
1800
900
AT-110
V4
衰减与温度的关系
归一化到+ 25° C，F = 900兆赫
3
-40°C
2
+85°C
-10
1
-20
0
-1
-30
-2
-40
5
4
3
2
1
0
-3
5
4
3
2
1
0
控制电压（V）
控制电压（V）
插入损耗与频率
4
回波损耗与控制电压
F = 900兆赫
0
3
-10
2
-20
1
-30
0
0.5
1.0
1.5
2.0
-40
5
4
3
2
1
0
频率（GHz ）
控制电压（V）
1 dB压缩与控制电压
F = 900兆赫
40
40
IP3与控制电压
30
30
20
20
400兆赫
900兆赫
10
10
0
5
4
3
2
1
0
0
5
4
3
2
1
0
控制电压（V）
控制电压（V）
3
M / A - COM公司及其附属公司保留随时更改的权利
产品（S ）或包含，恕不另行通知信息。 M / A- COM使
关于是否适合任何保证，声明或保证其
产品用于任何特定目的，也没有M / A - COM承担任何责任
由此产生的任何产品（S）的使用或应用的任何或
信息。
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
可变电压衰减器吸收， 30分贝
0.5 - 2 GHz的
AT-110
V 2.00
特点
q
q
q
q
q
q
q
q
SO-8
单正电压控制0到+5伏
30分贝可变电压衰减
± 2分贝线性从BSL
低DC功耗
温度范围： -40 ° C至+ 85°C
低成本SOIC 8塑料包装
磁带和卷轴包装可用
开关速度快
描述
M / A-COM公司的AT- 110是一种线性的GaAs MMIC电压
在一种低成本的SOIC可变衰减器的吸收
8引脚表面贴装塑料封装。在AT- 110
更快的开关速度比AT- 108和AT -109 。
对AT- 110非常适合于使用其中线性
衰减微调和极低功耗的COM
消耗是必需的。典型的应用包括
广播，
手机， GPS设备和自动增益/电平
控制电路。
对AT- 110被制造为具有单片砷化镓
MMIC采用了成熟的1微米工艺。过程
功能全面的芯片钝化，增加perfor-
曼斯和可靠性。
订购信息
产品型号
AT-110
AT-110TR
AT-110RTR
包
SOIC 8引脚塑料封装
正向磁带&卷轴*
反向磁带&卷轴*
*
如果特定网络盘尺寸为必填项，请咨询工厂的零件号
分配。
典型的电连接特定的阳离子
1
, T
A
= +25°C
参数
插入损耗
衰减
平整度
（峰 - 峰值）
VSWR
素养， TFALL
吨， Toff的
瞬变
10 ％至90％的射频，90％至10％的射频
50 ％对照，以90％的射频，控制到10％的射频
带内
S
S
mV
测试条件
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
0.5 - 16 GHz的
1.0 - 26 GHz的
0.5 - 1.0 GHz的
1.0 - 2.0 GHz的
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
分钟。
典型值。
2.8
3.3
马克斯。
3.0
3.6
30
25
±0.5
±1.2
2:1
0.2
0.2
70
±0.8
±1.5
1.在1 GHz的50Ω系统所有的测量，除非另有specified.The RF端口必须被包外阻塞
从地面或任何其它电压。
可变电压衰减器吸收， 30分贝
AT-110
V 2.00
绝对最大额定值
1
参数
最大输入功率
电源电压VCC
控制电压VC
工作温度
储存温度
功能原理图
绝对最大
+21 dBm的
-1 V, +8 V
-1 V， VCC + 0.5V
-40 ° C至+ 85°C
-65 ° C至+ 150°C
这些参数中的任何一个大于1的操作此设备可能
会造成永久性的损害。
典型性能
相对衰减
@ + 25 ° C，F = 1800兆赫
0
-5
-10
-15
-20
-25
vs
V CC = + 5VDC ± 0.5 VDC @ 300 μA（最大值） 。
VC = 0 VDC至+5 VDC @ 6毫安最大。
外部隔直流电容器所需的所有RF端口。
控制电压
插入损耗
4.0
vs
频率
3.0
2.0
1.0
-30
-35
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
控制电压（伏特）
频率（GHz ）
衰减
vs
控制电压
@ + 25 ° C，F = 900兆赫
0
3
衰减
vs
温度，
归一化到+ 25 ° C，F = 900兆赫
-40°C
-10
2
1
+85°C
-20
0
-1
-2
-30
-40
5
4
3
2
1
0
-3
5
4
3
2
1
0
控制电压（伏特）
控制电压（伏特）
QQ：2881677436 复制
