ASRD 800系列
表面贴装阶跃恢复二极管
描述：
该
ASRD 800
一系列的步骤
恢复二极管是专为
合成器和采样器的应用
需要高性能到
性价比。
功能包括：
转换时间低至
70 PS
表面贴装
SOD323
包
封装形式SOD- 323
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
50毫安
上升到额定
V
BR
O
O
100毫瓦
-55 + 150℃
-55 + 150℃
1.25 C /毫瓦
T
C
= 25
O
O
静态电气特性
符号
V
BR
I
R
= 10
A
C
测试条件
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
F = 1 MHz的
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
最小典型最大
15
20
25
40
50
60
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.5
0.4
0.8
1.0
1.7
2.5
3.5
单位
V
C
J6
V
R
= 6 V
pF
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/3
ASRD 800系列
表面贴装阶跃恢复二极管
动态电气特性
符号
τ
I
F
= 10毫安
T
C
= 25
O
C
测试条件
I
R
= 6毫安
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
最小典型最大
8
10
25
45
55
80
10
12
30
60
70
100
70
85
90
110
200
250
85
100
110
135
250
300
单位
nS
T
t
V
R
= 7 V
I
F
= 3毫安
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
pS
订货信息：
ASRD 8XXX -XX
TR
= TAPE &举步为艰
（可选）
D =
SOD 323
T =
SOT 23
03
06
08
14
20
30
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
2/3
ASRD 800系列
表面贴装阶跃恢复二极管
ASRD 830
ASRD 814
ASRD 808
ASRD 806
ASRD 803
封装形式SOT- 23
1 =阳极
2 - NC
3 =阴极
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
2/3
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表面贴装阶跃恢复二极管
描述：
该
ASRD 800
一系列的步骤
恢复二极管是专为
合成器和采样器的应用
需要高性能到
性价比。
功能包括：
转换时间低至
70 PS
表面贴装
SOD323
包
封装形式SOD- 323
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
50毫安
上升到额定
V
BR
O
O
100毫瓦
-55 + 150℃
-55 + 150℃
1.25 C /毫瓦
T
C
= 25
O
O
静态电气特性
符号
V
BR
I
R
= 10
A
C
测试条件
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
F = 1 MHz的
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
最小典型最大
15
20
25
40
50
60
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.5
0.4
0.8
1.0
1.7
2.5
3.5
单位
V
C
J6
V
R
= 6 V
pF
先进的半导体， INC 。
7525埃塞尔大道北好莱坞，加利福尼亚州91605 USA
联系电话： （ 818 ） 982-1200 （ 800 ） 423-2354 传真： （ 818 ） 765-3004
电子邮件： sales@adsemi.com网络： www.adsemi.com
ASRD 800系列
表面贴装阶跃恢复二极管
动态电气特性
符号
τ
I
F
= 10毫安
T
C
= 25
O
C
测试条件
I
R
= 6毫安
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
最小典型最大
8
10
25
45
55
80
10
12
30
60
70
100
70
85
90
110
200
250
85
100
110
135
250
300
单位
nS
T
t
V
R
= 7 V
I
F
= 3毫安
ASRD 803
ASRD 806
ASRD 808
ASRD 814
ASRD 820
ASRD 830
pS
订货信息：
ASRD 8XXX -XX
TR
= TAPE &举步为艰
（可选）
D =
SOD 323
T =
SOT 23
03
06
08
14
20
30
先进的半导体， INC 。
7525埃塞尔大道北好莱坞，加利福尼亚州91605 USA
联系电话： （ 818 ） 982-1200 （ 800 ） 423-2354 传真： （ 818 ） 765-3004
电子邮件： sales@adsemi.com网络： www.adsemi.com
ASRD 800系列
表面贴装阶跃恢复二极管
ASRD 830
ASRD 814
ASRD 808
ASRD 806
ASRD 803
封装形式SOT- 23
1 =阳极
2 - NC
3 =阴极
先进的半导体， INC 。
7525埃塞尔大道北好莱坞，加利福尼亚州91605 USA
联系电话： （ 818 ） 982-1200 （ 800 ） 423-2354 传真： （ 818 ） 765-3004
电子邮件： sales@adsemi.com网络： www.adsemi.com
QQ：2881677436 复制
