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ASMT - QWBG / ASMT - QWBH / ASMT- QWBJ
0.5W冷白电PLCC4
表面贴装LED
数据表
注意事项:
静电敏感器件。请遵守处理和加工过程中适当的预防措施。
描述
在0.5W冷白电PLCC4 SMT LED使用的InGaN芯片技术。该包可以以高电流驱动,因为它
卓越的包装设计。该产品能够更有效地散热。这些LED产生更高的光输出具有更好的
光通量性能。
在0.5W冷白电PLCC4 SMT LED在设计上具备更高的可靠性,更好的性能,并且在很宽范围内工作
的环境条件。
以方便取放和组装,这些LED被封装在符合EIA标准的带子和卷轴。每个卷轴的单项强度
色箱,以保持统一性。
特点
( 1 ) 4000K到8000K CCT
( 2 ) ANSI斌
( 3 )广视角120 °
( 4)高可靠性封装具有增强的有机硅树脂封装
应用
(1 )荧光替换
( 2 )在橱柜照明
( 3 )面板灯
( 4 )零售展示照明
封装图
1.
2.
尺寸(mm) 。
端子表面处理:镀Ag 。
设备选型指南(T
J
= 25 °C)
颜色
产品型号
CCT ( K)
中国国际广播电台
典型值
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
ASMT-QWBG-NFH0E
ASMT- QWBG - NFHAE
ASMT- QWBG - NFHBE
ASMT- QWBG - NFHCE
ASMT- QWBG - NFHDE
ASMT- QWBG - NFHEE
ASMT- QWBG - NFHFE
ASMT-QWBH-NGJ0E
ASMT- QWBH - NGJAE
ASMT- QWBH - NGJBE
ASMT- QWBH - NGJCE
ASMT- QWBH - NGJDE
ASMT- QWBH - NGJEE
ASMT- QWBH - NGJFE
ASMT-QWBJ-NGJ0E
4000 ~ 8000
8000
6500
5700
5000
4500
4000
4000 ~ 8000
8000
6500
5700
5000
4500
4000
4000 ~ 8000
85
85
85
85
85
85
85
75
75
75
75
75
75
75
60
光通量(lm )
1,2
45.7
45.7
45.7
45.7
45.7
45.7
45.7
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
典型值
48.0
48.0
48.0
48.0
48.0
48.0
48.0
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
最大
62.0
62.0
62.0
62.0
62.0
62.0
62.0
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
TEST
当前
(MA )
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
芯片
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
冷白
1.
2.
ASMT- QWBJ - NGJAE
ASMT- QWBJ - NGJBE
ASMT- QWBJ - NGJCE
ASMT- QWBJ - NGJDE
ASMT- QWBJ - NGJEE
ASMT- QWBJ - NGJFE
8000
6500
5700
5000
4500
4000
60
60
60
60
60
60
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
51.7
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
54.3
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
67.2
150
150
150
150
150
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
150
光通量为作为测定用积分球,在单脉冲条件下的总光通量输出。
公差± 12 % 。
部分编号系统
一个S M牛逼 - Q X
1
B X - N X
2
X
3
X
4
X
5
包装选项
颜色斌
最大流量斌
最小光通量斌
颜色
W - 冷白
- 暖白
绝对最大额定值(T
A
= 25 °C)
参数
直流正向电流
峰值正向电流( D = 10 % , F = 1kHz时)
功耗
反向电压
结温
工作温度
储存温度
等级
180
300
640
不推荐
125
-40至100
-40至100
单位
mA
mA
mW
V
°C
°C
°C
光/电特性(T
J
= 25 °C)
参数
可视角度2θ
1/2 1
正向电压V
F 2
热阻
RTH
1.
2.
I
F
= 150毫安
结引脚
测试条件
典型值
120
3.4
40
3.6
最大
单位
V
° C / W
½
是离轴角,光强是& frac12 ;的峰强度。
公差± 0.1V 。
1.8
1.6
相对光通量
(归一150毫安)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
50
100
150
200
250
300
正向直流电流 - 毫安
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
正向电压 - V
相对光通量与正向电流
正向电流与正向电压
1
归一化强度
0.75
0.5
0.25
0
-90
-60
-30
0
30
60
90
角位移 - 学位
辐射方向图
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
相对发光强度
正向电流 - 毫安
中国国际广播电台60
CRI 75
CRI 85
430
480
530
580
波长纳米
630
680
730
780
频谱分布
1.200
相对光输出
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
-40
-20
0
20
40
60
80
100
TJ-摄氏度
相对光输出
0.200
0.180
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度,摄氏度
正向电流降额曲线。 RTHja 130 ° C / W 。
推荐无铅回流焊温度曲线
正向电流-A
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联系人:朱小姐
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