包装尺寸
10.00
1
2
3
阳极
阴极
阳极
3.30
8.50
合金弹头
3
1.27
5.26
10.60
8.50
8.00
1.30
1
2
2.00
5.25
0.81
5.08
LED
+
–
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。
2.公差为± 0.1毫米除非另有规定。
齐纳
在结温Tj = 25 ℃，设备选型指南
光通量，
f
V[1,2]
（ LM ）
颜色
绿色
蓝
冷白
暖白
产品型号
ASMT-MG00
ASMT-MB00
ASMT-MW00
ASMT-MY00
分钟。
25.5
5.5
43.0
43.0
典型值。
40.0
10.0
60.0
50.0
马克斯。
73.0
19.5
73.0
73.0
测试电流
（MA ）
350
350
350
350
骰子
技术
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
笔记
1.
f
V
是作为测量用积分球，在25毫秒的单脉冲条件下的总光通量输出。
2.流量误差为± 10 ％ 。
2
部分编号系统
ASMT -M X 00 - N X
1
x
2
x
3
0
色选斌
最大流量斌选择
最小光通量斌选择
颜色
B - 蓝
摹 - 格林
W - 冷白
- 暖白
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
参数
直流正向电流
[1]
峰值脉冲电流
[2]
功耗
LED结温
工作环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
注意事项：
1.直流正向电流 - 线性降额根据图5 。
2.脉冲条件占空比= 10 ％ ，频率为1 kHz的。
ASMT-Mx00
350
500
1400
110
-40至+85
-40至+100
参照图8
单位
mA
mA
mW
°C
°C
°C
光学特性（T
A
= 25 °C)
产品型号
ASMT- MG00
ASMT- MB00
颜色
绿色
蓝
峰值波长
l
PEAK
（纳米）
典型值。
519
460
主波长
l
D [1]
（纳米）
典型值。
525
467
视角
2q
1/2 [2]
（度）
典型值。
120
120
视角
2q
½ [2]
（度）
典型值。
110
110
夜光ê FFI效率
（流明/瓦特）
典型值。
32
8
夜光ê FFI效率
（流明/瓦特）
典型值。
48
40
相关色温，
CCT （开尔文）
产品型号
ASMT-MW00
ASMT-MY00
颜色
冷白
暖白
分钟。
4000
2600
马克斯。
10000
4000
注意事项：
1.主波长
l
D
中，从在CIE色度图上来自和表示设备的颜色。
2.
q
1/2
是离轴角，其中所述发光强度为1/2的峰强度。
3
电气特性（T
A
= 25°C)
正向电压
V
F
（伏特） @我
F
= 350毫安
骰子类型
氮化铟镓
典型值。
3.6
马克斯。
4.0
反向电压
V
R
（伏）
马克斯。
5
热阻
Rq
J- MS
（ ° C / W）
[1]
典型值。
10
注意事项：
1. R
QJ- MS
是热阻LED结到金属散热片。
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
430
480
530
580
630
波长 - 纳米
680
730
780
500
绿色
蓝
冷白
暖白
450
正向电流 - 毫安
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.00 0.50 1.00 1.50 2.00 2.50 3.00 3.50 4.00
正向电压 - V
相对强度
图1.相对强度与波长
1.4
图2.正向电流与正向电压
1.0
0.9
0.8
相对强度
相对光通量（ Φ
V
） - LM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
MONO脉冲电流 - 毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-90
-70
-50
-30
绿色
蓝
冷白
暖白
-10
10
30
50
70
90
离轴角（°）
图3.相对光通量与单脉冲电流
400
I
F
- 最大正向电流 - 毫安
图4.辐射图
540
主波长 - 纳米
Rθ
JA
= 50℃ / W
Rθ
JA
= 40℃ / W
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
530
520
510
500
490
480
470
460
450
100
150
200
250
绿色
Rθ
JA
= 30℃ / W
蓝
300
350
400
T
A
- 环境温度 - C
正向电流 - 毫安
图5.最大正向电流与环境温度
降额使用基于T
J
MAX = 110℃， RQ
JA
= 30 ℃/ W， 40℃/ W和50℃ / W的
图6.主波长与正向电流 - 氮化铟镓的设备
4
0.016
0.014
0.012
Y坐标
百毫安
150毫安
温度
10 - 30秒。
255 - 260 C
217 C
200 C
150 C
3 C /秒。 MAX 。
60 - 120秒。
100秒。 MAX 。
3 C /秒。 MAX 。
-6 ℃/秒。 MAX 。
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
0
350毫安
0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.006 0.007 0.008
X坐标
300毫安
250毫安
时间
（符合J- STD- 020C ）
图7.色度偏移与电流
*注： （ X，Y）的值@ 350毫安参考（ 0.0）
图8.推荐的回流焊温度曲线
10.70 ± 0.10
300
相对正向电压漂移（MV ）
250
200
150
100
50
0
-50
-100
-150
-200
-250
-300
-40
-15
10
35
温度 - °C
60
85
8.40 ± 0.10
17.00 ± 0.20
1.00 ± 0.10
3.1 ± 0.10
5.08 ± 0.10
图9.推荐焊接焊盘图形
图10.温度与相对的前向电压漂移
100
90
80
相对LOP （ ％ ）
70
60
50
40
30
20
10
0
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
绿色
蓝
冷白
暖白
95 100 105 110
结温（ ° C）
图11.相对LOP与结温
5
ASMT-Mx00
月长石
TM
1 W功率型LED光源
数据表
描述
月光石
TM
1W大功率LED光源是一种高
高性能的节能器件，可处理
高热量和高驱动电流。裸露焊盘
设计有从包装到优秀的热传导
主板。
冷白光功率型LED的不同颜色可选
温度范围从4000K到10000K和温暖
白光LED功率范围从2600K到4000K 。
由于采用了扁平封装设计适用于广泛
各种应用，尤其是高度一
约束。
该软件包是用回流焊兼容
流程。这将使更多的自由和灵活性
光源设计。
特点
可提供红，黄，绿，蓝，冷白及
暖白色
高效节能
对于优秀的热传导裸露焊盘
适用于回流焊工艺
高电流操作
使用寿命长
广视角
硅胶封装
ESD HBM等级3B级（阈值> 8千伏）
MSL 2A对于InGaN产品
MSL 4的AlInGaP产品
特定网络阳离子
的AllnGaP技术，红色和黄色
2.1V （典型值），在350mA的的AllnGaP
的InGaN技术，绿，蓝，冷白及
暖白
3.2V （典型值），在350mA的氮化铟镓
应用
便携式（闪光灯，自行车前灯）
阅读灯
建筑照明
庭院照明
装饰照明
包装尺寸
10.00
1
阳极
2阴极
3
散热器
3.30
8.50
合金弹头
3
5.26
10.60
8.50
8.00
1.27
LED
+
齐纳
2.00
1.30
1
5.08
2
0.81
5.25
注意事项：
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.公差为± 0.1毫米除非另有规定。
3.金属散热片连接到阳极电非隔离方案。
设备选型指南（T
j
= 25°C)
光通量，
V[1,2]
（ LM ）
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
ASMT-MW00
ASMT-MY00
ASMT-MWB1
ASMT-MYB1
AMBER
绿色
蓝
冷白
暖白
冷白扩散
暖白扩散
颜色
红
分钟。
25.5
33.0
25.5
43.0
11.5
43.0
43.0
43.0
43.0
典型值。
35.0
40.0
35.0
60.0
15.0
60.0
50.0
55.0
46.0
马克斯。
43.0
56.0
43.0
73.0
25.5
73.0
73.0
73.0
73.0
测试电流
（MA ）
350
350
350
350
350
350
350
350
350
骰子
技术
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
氮化铟镓
笔记
1.
V
是作为测量用积分球，在25毫秒的单脉冲条件下的总光通量输出。
2.流量误差为± 10 ％ 。
2
部分编号系统
ASMT -M X XX - X X
1
x
2
x
3
x
4
包装选项
色选斌
最大流量斌选择
最小流量斌选择
骰子类型
N - 氮化铟镓
A - 的AllnGaP
有机硅类型
00 - 用于非二FF
B1 - 迪FF使用
颜色
R =红
A - 琥珀
摹 - 格林
B - 蓝
W - 冷白
- 暖白
注意：
1.请参阅第8页的选择的详细信息。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
参数
直流正向电流
[1]
峰值脉冲电流
[2]
功耗的AllnGaP
功耗对于InGaN
LED结温的AllnGaP
LED结温的InGaN
工作环境温度范围
存储温度范围
反向Volttage
[3]
ASMT - Mx00 / ASMT- MxB1
350
1000
805
1225
125
110
-40至+100
-40到+120
不推荐
单位
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
°C
注意事项：
1.直流正向电流 - 线性降额根据图5的AlInGaP &图11的InGaN 。
2.脉冲条件占空比= 10 ％ ，频率= 1kHz的。
3.不建议反向偏压操作。
3
在350 mA时的光学特性（ TJ = 25 ° C）
峰波长，
λ
PEAK
（纳米）
产品型号
ASMT-MR00-AGH00
ASMT-MR00-AHJ00
ASMT-MA00-AGH00
ASMT-MG00
ASMT-MB00
占主导地位的波
长度， λ
D [1]
（纳米）
典型值
625
625
590
525
460
可视角度大，
2θ½
[2]
(°)
典型值
120
120
120
120
120
夜光ê FFI效率
（流明/瓦特）
典型值
48
54
48
54
13
颜色
红
红
AMBER
绿色
蓝
典型值
635
635
598
519
454
相关色温
温度， CCT （开尔文）
产品型号
ASMT-MW00
ASMT-MY00
ASMT-MWB1
ASMT-MYB1
可视角度大，
2θ ＆ frac12 ; [2]（度）
典型值
110
110
110
110
夜光ê FFI效率
（流明/瓦特）
典型值
54
45
49
41
颜色
冷白
暖白
冷白扩散
暖白扩散
分钟。
4000
2600
4000
2600
马克斯。
10000
4000
10000
4000
在350 mA电气特性（T
J
= 25°C)
正向电压V
F
（伏特）我
F
= 350毫安
骰子类型
的AllnGaP
氮化铟镓
热阻
Rθ J- MS （ ° C / W）
[1]
典型值。
12
10
分钟。
1.7
2.8
典型值。
2.1
3.2
马克斯。
2.3
3.5
注意事项：
1. Rθ J- MS为LED结到金属散热片的热阻。
4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
380
红
AMBER
正向电流 - 毫安
430
480
530
580
630
波长 - 纳米
680
730
780
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
相对强度
0
0.5
1
1.5
2
正向电压 - V
2.5
3
图1相对强度与波长为的AlInGaP
图2.正向电流与正向电压的AlInGaP
1.4
相对光通量（ - ） - LM
v
1.2
相对强度
0
50
100
150 200 250 300 350 400
MONO脉冲电流 - 毫安
450 500
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-90
-70
-50
-30
-10
10
30
离轴角（°）
50
70
90
图3.相对光通量与单脉冲电流对的AlInGaP
图4.辐射模式的AlInGaP
400
I
F
- 最大正向电流 - 毫安
350
300
250
200
150
100
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
T
A
- 环境温度 - C
80
90
R
JA
= 60 ° C / W
R
JA
= 50℃ / W的
R
JA
= 40 ° C / W
2
相对LOP （归一化，在25℃ ）
红
AMBER
1.5
1
0.5
0
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80
结温 - °C
95 110 125
图5.最大正向电流与环境温度的AlInGaP
降额使用基于T
J
MAX = 125°C ， Rθ
JA
= 40℃ / W / 50℃/ W和60℃ / W的
图6相对LOP （归一化，在25℃ ）与结温
的AlInGaP
5
QQ：2881677436 复制
