【2004年8月修订版2.0DDR 13位至26位寄存缓冲器ASM4SSTVF16859关。注意， R】,IC型号ASM4SSTVF16859-56QR,ASM4SSTVF16859-56QR PDF资料,ASM4SSTVF16859-56QR经销商,ic,电子元器件-51电子网

2004年8月

修订版2.0

DDR 13位至26位寄存缓冲器

ASM4SSTVF16859

关。注意， RESETB应该用支持

特点

差分时钟信号。

会见SSTL_2 II类规格上

输出。

低电压工作： V

= 2.3V至2.7V 。

可提供64引脚TSSOP封装， 64引脚TVSOP ，

和56引脚封装VFQFN 。

LVCMOS电平VREF起一个有效的状态可能不是

在上电期间保持稳定。

为了确保输出处于定义的逻辑状态之前，

稳定的时钟已经被提供时， RESETB必须在举行

在上电期间的逻辑低电平。

产品说明

该ASM4SSTVF16859是一个普遍的13/26位

（D F / F型），专为2.3V至2.7V

在JEDEC定义的注册DDR DIMM应用程序，

RESETB被指定为异步相对于

CLK / CLKB ;因此，不定时关系可以是

两个信号之间的保证。当进入一个

低功耗待机状态，寄存器将被清除，

的输出将被迅速地驱动到逻辑低电平

相对于时间来禁用差分输入

接收器。这将确保没有“毛刺”的任何

输出。然而，走出低功耗待机时

模式，寄存器将被激活快速相对于

取时间，以使差分输入接收器。当

输入的数据是在逻辑电平为低电平，时钟是

在RESETB低到高的转变，直至稳定

操作。该器件支持SSTL_2 I / O

水平，完全符合JEDEC的JC40 ，

涵盖了PC1600 DDR JC42.5规范我，PC

2100 ， PC2700 ， PC3200和操作范围（ DDR

400

- 200兆赫）。 13/26位指的是第二季度的产出

每个D输入 - 堆叠设计注册使用

（堆叠

内存

装置），

缓冲

DIMM

应用程序。

从D个数据流，以Q由差动控制

时钟（CLK / CLKB ）和控制信号（ RESETB ）。

CLK的上升沿被用于触发数据

转移，和CLKB被用来保持足够的噪声

利润，而RESETB输入设计和

设计用于在上电时。

输入接收器完全开启，设计可确保

的输出将保持在逻辑低电平。

应用

JEDEC和非JEDEC DDR内存模块

堆叠或平面结构。

支持PC1600 - PC2100 - PC2700 - PC3200

DDR 400兼容（为200MHz + ）。

该ASM4SSTVF16859支持低功耗待机

操作模式。逻辑电平很低， RESETB ，

确保所有内部寄存器和输出（Q ）是

复位到逻辑低状态，并且所有的输入接收器，

数据（D）的缓冲器，和时钟（CLK / CLKB ）被切换

SSTL_2 I / O 。

提供了JEDEC一个完整的支持解决方案

与ASM5CVF857使用时JC42.5 DIMM的

零延迟缓冲器。

半导体联盟

2575 ，奥古斯丁驱动器

加利福尼亚州圣克拉拉

联系电话： 408.855.4900

传真： 408.855.4999

www.alsc.com

注意：本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

八月

2004

修订版2.0

框图

ASM4SSTVF16859

CLK

CLKB

Q1A

RESETB

VREF

CLK

Q1B

TO 12其他渠道

DDR 13位至26位寄存缓冲器

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八月

2004

修订版2.0

销刀豆网络gurations

ASM4SSTVF16859

Q13A

Q12A

Q11A

Q10A

Q9A

VDDQ

GND

Q8A

Q7A

Q6A

Q5A

Q4A

Q3A

Q2A

GND

Q1A

Q13B

VDDQ

Q12B

Q11B

Q10B

Q9B

Q8B

Q7B

Q6B

GND

VDDQ

Q5B

Q4B

Q3B

Q2B

Q1B

VDDQ

GND

D13

D12

VDD

VDDQ

GND

D11

D10

GND

RESETB

GND

CLKB

CLK

VDDQ

VDD

VREF

GND

VDDQ

VDD

GND

VDDQ

ASM4SSTVF16859

64引脚TSSOP

6.10毫米机身，0.50毫米间距

DDR 13位至26位寄存缓冲器

56引脚VFQFN （ MLF2 ）

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八月

2004

修订版2.0

ASM4SSTVF16859

引脚说明

64引脚TSSOP

针＃

1, 2, 3, 4, 5, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 16,

17, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 28, 29, 30,

31, 32

7, 15, 26, 34, 39, 43, 50, 54, 58, 63

6, 18, 27, 33, 38, 47, 59, 64

35, 36, 40, 41, 42, 44, 52, 53, 55, 56, 57,

61, 62

37, 46, 60

CLK

CLKB

VDD

RESETB

VREF

正面主时钟输入。

负主时钟输入。

核心供电电压标称值为2.5V 。

休息，低电平有效。

输入参考电压，标称1.25V 。

GND

VDDQ

D(13:1)

地面到整个芯片。

输出电源电压标称值为2.5V 。

数据输入。

引脚名称

Q (13:1)

TYPE

描述

数据输出。

56引脚MLF2

针＃

1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16,

18, 19, 20, 21, 22, 50, 51, 52, 53, 54, 56

37, 48

9, 17, 23, 27, 34, 44, 49, 55

24, 25, 28, 29, 30, 31, 39, 40, 41, 42, 43, 46, 47

26, 33, 45

引脚名称

Q (13:1)

GND

VDDQ

D(13:1)

CLK

CLKB

VDD

RESETB

VREF

中心垫

TYPE

描述

数据输出。

地面到整个芯片。

输出电源电压标称值为2.5V 。

数据输入。

正面主时钟输入。

负主时钟输入。

核心供电电压标称值为2.5V 。

休息，低电平有效。

输入参考电压，标称1.25V 。

地（ VFQFN封装）

DDR 13位至26位寄存缓冲器

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八月

2004

修订版2.0

真值表

输入

RESETB

注意：

1. H =高

信号电平，L =低信号电平，

=转型从低到高，

ASM4SSTVF16859

Q输出

CLKB

X或浮动

CLK

X或浮动

L或H

=从高向低的转变， X =无所谓

建立了表示稳态输入条件之前2.输出电平。

绝对最大额定值

参数

储存温度

电源电压

输入电压

输出电压

1,2

输入钳位电流

输出钳位电流

连续输出电流

VDD和VDDQ或GND电流/针

封装的热阻抗

注意：

1.如果输入和输出钳位评分观察输入和输出负电压的评分可被排除。

2.当输出处于高国家级V这个电流将只流

＆ GT ; V

DDQ 。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。

这些仅仅是极限参数和功能操作不暗示。暴露于长时间的绝对最大额定值

会影响器件的可靠性。

民

-65

-0.5

± 50

±50

100

最大

+150

3.6

+ 0.5

单位

°C

° C / W

DDR 13位至26位寄存缓冲器

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