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2007年2月
修订版0.3
低功耗移动VGA EMI降低IC
特点
FCC批准EMI衰减的方法
提供了到15dB的EMI抑制
产生一个低EMI的扩频时钟
和输入的一个非扩展的参考时钟
频率
优化的频率范围从20MHz至
40MHz
内置环路滤波器减少了外部元件
和电路板空间
流传下来的偏差: -1.25 %
低的固有周期到周期抖动
3.3V工作电压
CMOS / TTL兼容的输入和输出
低功耗CMOS设计
支持笔记本VGA等LCD时序
控制器应用
掉电功能的移动应用
产品可用于工业级温度
范围内。
提供8引脚SOIC和TSSOP封装
ASM3P1819N
该ASM3P1819N降低电磁干扰
( EMI)的时钟源,从而使系统级EMI
降低所有下游时钟和数据
相关的信号。该ASM3P1819N允许显著
储蓄通过减少电路的数量的系统成本
板层,铁氧体磁珠,屏蔽,以及其它无源
那些传统上需要通过组件
EMI
的规定。
该ASM3P1819N调制一个单锁相环的输出
以“传播”合成时钟的带宽,
因此,减少了它的谐波峰值幅度。
这个结果在显著降低系统的EMI相比
由振荡器和产生的典型的窄带信号
最时钟发生器。
降低的EMI通过增加信号的带宽被称为
“扩频时钟发生器” 。该ASM3P1819N
采用最有效和最优化的调制方式
经FCC和通过使用实施
专有的全数字化的方法
应用
该ASM3P1819N的目标是向EMI管理
功能说明
ASM3P1819N
is
a
多才多艺
传播
SPECTRUM
频率调制器专门用于各种设计的
的输入时钟的频率为20 40MHz的。该
ASM3P1819N可以生成从一个EMI降低时钟
水晶,陶瓷谐振器,或者系统时钟。
PD #
在移动图形芯片组的内存和LVDS接口
和高速数字应用,如个人电脑的外围
设备,消费电子和嵌入式控制器
系统。
VDD
框图
XIN
水晶
振荡器
XOUT
频率
分频器
反馈
分频器
调制
PLL
探测器
滤波器
VCO
产量
分频器
REF
MODOUT
VSS
PulseCore半导体公司
1715 S.巴斯科姆大道套房200 ,坎贝尔,CA 95008
联系电话: 408-879-9077
传真: 408-879-9018
www.pulsecoresemi.com
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
2007年2月
修订版0.3
引脚配置
XIN
VSS
NC
MODOUT
1
2
3
4
8
7
6
5
XOUT
VDD
PD #
REF
ASM3P1819N
ASM3P1819N
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
XIN
VSS
NC
MODOUT
REF
PD #
VDD
XOUT
TYPE
I
P
-
O
O
I
P
I
描述
连接到外部产生的时钟信号或晶体。
接地连接。连接到系统地。
无连接。
扩频时钟输出。
输入频率的非调制的参考时钟输出。
掉电控制引脚。拉低,使掉电模式。该引脚
有一个内部上拉电阻。
连接到+ 3.3V 。
连接到晶体。没有连接,如果外部生成的时钟信号被使用。
绝对最大额定值
符号
VDD ,V
IN
T
英镑
T
A
T
s
T
J
T
DV
储存温度
工作温度
马克斯。焊接温度( 10秒)
结温
静电放电电压
(按照JEDEC STD22- A114 -B )
参数
电压的任何引脚对地
等级
-0.5到+4.6
-65到+125
-40至+85
260
150
2
单位
V
°C
°C
°C
°C
KV
注:上述参数仅是不是暗示了使用功能。暴露在绝对最大额定值为长时间可能会影响
器件的可靠性。
输出频率和调制速率
输入频率范围
(兆赫)
20至40
输出频率范围
(兆赫)
20至40
调制速率
输入频率/ 512
价差偏离
(%)
-1.25
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
2 7
2007年2月
修订版0.3
DC电气特性
(试验条件:所有参数都在室温下测量( + 25℃) ,除非另有说明)
ASM3P1819N
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
I
XOL
I
XOH
V
OL
V
OH
I
CC
I
DD
VDD
t
ON
Z
OUT
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
参数
VSS - 0.3
2.0
-
-
-
-
-
2.5
7.1
f
IN - 分
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
3
3
-
-
-
4.5
3.3
0.18
50
最大
0.8
VDD + 0.3
-20.0
1.0
-
-
0.4
-
26.9
f
IN - 最大
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
mS
X
OUT
输出低电平电流@ 0.4V , VDD = 3.3V
X
OUT
高输出电流@ 2.5V , VDD = 3.3V
输出低电压VDD = 3.3V ,我
OL
= 20mA下
输出高电压VDD = 3.3V ,我
OH
= 20mA下
动态电源电流
3.3V和10pF的探头负载
静态电源电流
工作电压
上电时间(通电后第一个锁定时钟周期)
时钟输出阻抗
AC电气特性
符号
f
IN
f
OUT
t
LH1
t
HL1
t
JC
t
D
输入频率
输出频率
输出上升时间
(测量0.8V至2.0V )
输出下降时间
(测量2.0V至0.8V )
抖动(周期循环)
输出占空比
参数
20
20
-
-
-200
45
典型值
-
-
0.69
0.66
-
50
最大
40
40
-
-
200
55
单位
兆赫
兆赫
nS
nS
pS
%
注: 1 。吨
LH
和T
HL
被测量成为15pF的电容性负载
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
3 7
2007年2月
修订版0.3
包装信息
8引脚( 150 mil)的SOIC封装
ASM3P1819N
E
H
D
A2
A
θ
e
B
A
1
C
L
D
尺寸
符号
A1
A
A2
B
C
D
E
e
H
L
θ
英寸
最大
0.010
0.069
0.059
0.020
0.010
0.004
0.053
0.049
0.012
0.007
MILLIMETERS
最大
0.10
1.35
1.25
0.31
0.18
4.90 BSC
3.91 BSC
1.27 BSC
6.00 BSC
0.41
1.27
0.25
1.75
1.50
0.51
0.25
0.193 BSC
0.154 BSC
0.050 BSC
0.236 BSC
0.016
0.050
注:控制尺寸为毫米
SOIC - 0.074克单位重量
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
4 7
2007年2月
修订版0.3
8引脚超薄紧缩小型封装( 4.40 - mm的机身)
ASM3P1819N
H
E
D
A2
A
θ
e
B
A1
L
C
尺寸
符号
A
A1
A2
B
c
D
E
e
H
L
θ
0.020
0.002
0.033
0.008
0.004
0.114
0.169
0.026 BSC
0.252 BSC
0.028
0.50
英寸
最大
0.043
0.006
0.037
0.012
0.008
0.122
0.177
0.05
0.85
0.19
0.09
2.90
4.30
MILLIMETERS
最大
1.10
0.15
0.95
0.30
0.20
3.10
4.50
0.65 BSC
6.40 BSC
0.70
注:控制尺寸为毫米
TSSOP - 0.0325克单位重量
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
5 7
2005年8月
修订版0.2
低功耗移动VGA EMI降低IC
特点
FCC批准EMI衰减的方法
提供了到15dB的EMI抑制
产生一个低EMI的扩频时钟
和输入的一个非扩展的参考时钟
频率
优化的频率范围从20MHz至
40MHz
内置环路滤波器减少了外部元件
和电路板空间
流传下来的偏差: -1.25 %
低的固有周期到周期抖动
3.3V工作电压
CMOS / TTL兼容的输入和输出
低功耗CMOS设计
支持笔记本VGA等LCD时序
控制器应用
掉电功能的移动应用
产品可用于工业级温度
范围内。
提供8引脚SOIC和TSSOP封装
ASM3P1819N
该ASM3P1819N降低电磁干扰
( EMI)的时钟源,从而使系统级EMI
降低所有下游时钟和数据
相关的信号。该ASM3P1819N允许显著
储蓄通过减少电路的数量的系统成本
板层,铁氧体磁珠,屏蔽,以及其它无源
那些传统上需要通过组件
EMI
的规定。
该ASM3P1819N调制一个单锁相环的输出
以“传播”合成时钟的带宽,
因此,减少了它的谐波峰值幅度。
这个结果在显著降低系统的EMI相比
由振荡器和产生的典型的窄带信号
最时钟发生器。
降低的EMI通过增加信号的带宽被称为
“扩频时钟发生器” 。该ASM3P1819N
采用最有效和最优化的调制方式
经FCC和通过使用实施
专有的全数字化的方法
应用
该ASM3P1819N的目标是向EMI管理
功能说明
ASM3P1819N
is
a
多才多艺
传播
SPECTRUM
频率调制器专门用于各种设计的
的输入时钟的频率为20 40MHz的。该
ASM3P1819N可以生成从一个EMI降低时钟
水晶,陶瓷谐振器,或者系统时钟。
在移动图形芯片组的内存和LVDS接口
和高速数字应用,如个人电脑的外围
设备,消费电子和嵌入式控制器
系统。
框图
PD #
VDD
XIN
水晶
振荡器
XOUT
频率
分频器
反馈
分频器
调制
PLL
探测器
滤波器
VCO
产量
分频器
REF
MODOUT
VSS
半导体联盟
2575奥古斯丁驱动器
加利福尼亚州圣克拉拉
联系电话: 408.855.4900
传真: 408.855.4999
www.alsc.com
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
2005年8月
修订版0.2
引脚配置
XIN
VSS
NC
MODOUT
1
2
3
4
8
7
6
5
XOUT
VDD
PD #
REF
ASM3P1819N
ASM3P1819N
引脚说明
针#
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
XIN
VSS
NC
MODOUT
REF
PD #
VDD
XOUT
TYPE
I
P
-
O
O
I
P
I
描述
连接到外部产生的时钟信号或晶体。
接地连接。连接到系统地。
无连接。
扩频时钟输出。
输入频率的非调制的参考时钟输出。
掉电控制引脚。拉低,使掉电模式。该引脚
有一个内部上拉电阻。
连接到+ 3.3V 。
连接到晶体。没有连接,如果外部生成的时钟信号被使用。
绝对最大额定值
符号
VDD ,V
IN
T
英镑
T
A
T
s
T
J
T
DV
储存温度
工作温度
马克斯。焊接温度( 10秒)
结温
静电放电电压
(按照JEDEC STD22- A114 -B )
参数
电压的任何引脚对地
等级
-0.5到+7.0
-65到+125
0到70
260
150
2
单位
V
°C
°C
°C
°C
KV
注:上述参数仅是不是暗示了使用功能。暴露在绝对最大额定值为长时间可能会影响
器件的可靠性。
输出频率和调制速率
输入频率范围
(兆赫)
20至40
输出频率范围
(兆赫)
20至40
调制速率
输入频率/ 512
价差偏离
(%)
-1.25
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
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2005年8月
修订版0.2
DC电气特性
(试验条件:所有参数都在室温下测量( + 25℃) ,除非另有说明)
ASM3P1819N
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
I
XOL
I
XOH
V
OL
V
OH
I
CC
I
DD
VDD
t
ON
Z
OUT
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
参数
VSS - 0.3
2.0
-
-
-
-
-
2.5
7.1
f
IN - 分
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
3
3
-
-
-
4.5
3.3
0.18
50
最大
0.8
VDD + 0.3
-20.0
1.0
-
-
0.4
-
26.9
f
IN - 最大
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
mA
mA
V
V
mA
mA
V
mS
X
OUT
输出低电平电流@ 0.4V , VDD = 3.3V
X
OUT
高输出电流@ 2.5V , VDD = 3.3V
输出低电压VDD = 3.3V ,我
OL
= 20mA下
输出高电压VDD = 3.3V ,我
OH
= 20mA下
动态电源电流
3.3V和10pF的探头负载
静态电源电流
工作电压
上电时间(通电后第一个锁定时钟周期)
时钟输出阻抗
AC电气特性
符号
f
IN
f
OUT
t
LH1
t
HL1
t
JC
t
D
输入频率
输出频率
输出上升时间
(测量0.8V至2.0V )
输出下降时间
(测量2.0V至0.8V )
抖动(周期循环)
输出占空比
参数
20
20
-
-
-200
45
典型值
-
-
0.69
0.66
-
50
最大
40
40
-
-
200
55
单位
兆赫
兆赫
nS
nS
pS
%
注: 1 。吨
LH
和T
HL
被测量成为15pF的电容性负载
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
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2005年8月
修订版0.2
包装信息
8引脚( 150 mil)的SOIC封装
ASM3P1819N
E
H
D
A2
A
θ
e
B
A
1
C
L
D
尺寸
符号
A1
A
A2
B
C
D
E
e
H
L
θ
英寸
最大
0.010
0.069
0.059
0.020
0.010
0.004
0.053
0.049
0.012
0.007
MILLIMETERS
最大
0.10
1.35
1.25
0.31
0.18
4.90 BSC
3.91 BSC
1.27 BSC
6.00 BSC
0.41
1.27
0.25
1.75
1.50
0.51
0.25
0.193 BSC
0.154 BSC
0.050 BSC
0.236 BSC
0.016
0.050
注:控制尺寸为毫米
SOIC - 0.074克单位重量
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
4 7
2005年8月
修订版0.2
8引脚超薄紧缩小型封装( 4.40 - mm的机身)
ASM3P1819N
H
E
D
A2
A
θ
e
B
A1
L
C
尺寸
符号
A
A1
A2
B
c
D
E
e
H
L
θ
0.020
0.002
0.033
0.008
0.004
0.114
0.169
0.026 BSC
0.252 BSC
0.028
0.50
英寸
最大
0.043
0.006
0.037
0.012
0.008
0.122
0.177
0.05
0.85
0.19
0.09
2.90
4.30
MILLIMETERS
最大
1.10
0.15
0.95
0.30
0.20
3.10
4.50
0.65 BSC
6.40 BSC
0.70
注:控制尺寸为毫米
TSSOP - 0.0325克单位重量
低功耗移动VGA EMI降低IC
注意:本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ASM3I1819NG-08-ST
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    ASM3I1819NG-08-ST
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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