ASI S50-28
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI S50-28
是专为
AB类或C ，共发射极
线性高频通信
应用程序。
封装形式0.500" 4L FLG
功能包括：
高功率增益
发射极镇流
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
9.0 A
65 V
117 W @ T
C
= 25
O
C
-55
O
C至+200
O
C
-55
O
C至+200
O
C
1.7 C / W
O
1 = COLLECTOR
2 - 基
3 & 4 =辐射源
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
OUT
P
G
η
C
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
最小典型最大
65
35
4.0
2.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
W
dB
%
I
C
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
P
in
= 1.0 W
FO = 30 MHz的
10
200
150
50
17
60
18
65
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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ASI S50-28
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI S50-28
是专为
AB类或C ，共发射极
线性高频通信
应用程序。
封装形式0.500" 4L FLG
功能包括：
高功率增益
发射极镇流
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
9.0 A
65 V
117 W @ T
C
= 25
O
C
-55
O
C至+200
O
C
-55
O
C至+200
O
C
1.7 C / W
O
1 = COLLECTOR
2 - 基
3 & 4 =辐射源
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
P
OUT
P
G
η
C
I
C
= 200毫安
I
C
= 200毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 28 V
T
C
= 25
O
C
测试条件
最小典型最大
65
35
4.0
2.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
W
dB
%
I
C
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
P
in
= 1.0 W
FO = 30 MHz的
10
200
150
50
17
60
18
65
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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