MSC1015M
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.280 2L FLG
描述：
该
ASI MSC1015M
是专为
C类， DME / TACAN应用起来
到1150兆赫。
3
2
1
产品特点：
C类操作
P
G
= 10分贝15 W / 1150 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.25 A
PEAK
50 V
88 W
PEAK
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
2.0 ° C / W
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
2.5
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
C
= 500毫安
P
OUT
= 15 W
F = 1025年至1150年兆赫
15
10
35
120
V
CC
= 50 V
P
IN
= 1.5 W
脉冲宽度= 10微秒，占空比= 1 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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MSC1015M
NPN硅射频功率晶体管
包装风格.280 2L FLG
描述：
该
ASI MSC1015M
是专为
C类， DME / TACAN应用起来
到1150兆赫。
3
2
1
产品特点：
C类操作
P
G
= 10分贝15 W / 1150 MHz的
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
1.25 A
PEAK
50 V
88 W
PEAK
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
2.0 ° C / W
1 = COLLECTOR
2 - 发射极
3 = BASE
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
I
C
= 10毫安
I
C
= 10毫安
I
E
= 1.0毫安
V
CB
= 50 V
V
CE
= 5.0 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
65
65
3.5
2.5
单位
V
V
V
mA
---
dB
%
I
C
= 500毫安
P
OUT
= 15 W
F = 1025年至1150年兆赫
15
10
35
120
V
CC
= 50 V
P
IN
= 1.5 W
脉冲宽度= 10微秒，占空比= 1 ％
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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