KV2801
硅超突变调谐变容二极管
封装形式DO- 7
描述：
该
ASI KV2801
是硅
超突变调谐变容二极管
专为UHF应用最多
800 MHz.The阴极以表示
一个色带。
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
40毫安
22 V
200毫瓦@ T
A
= 25 °C
-55 ° C至+175 ℃，
-55 ° C至+175 ℃，
特征
符号
V
R
I
R
C
T3
C
T8
C
T20
C
T
Q
I
R
= 10
A
V
R
= 20 V
V
R
= 3.0 V
V
R
= 8.0 V
V
R
= 20 V
T
A
= 25 °C
无
测试条件
最低
22
典型
最大
100
单位
V
A
pF
pF
pF
比
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
25
10
4.5
5.2
200
28
12
4.8
5.7
250
31
13.5
5.1
6.1
V
R
= 3到20V
V
R
= 3.0V
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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硅超突变调谐变容二极管
封装形式DO- 7
描述：
该
ASI KV2801
是硅
超突变调谐变容二极管
专为UHF应用最多
800 MHz.The阴极以表示
一个色带。
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
40毫安
22 V
200毫瓦@ T
A
= 25 °C
-55 ° C至+175 ℃，
-55 ° C至+175 ℃，
特征
符号
V
R
I
R
C
T3
C
T8
C
T20
C
T
Q
I
R
= 10
A
V
R
= 20 V
V
R
= 3.0 V
V
R
= 8.0 V
V
R
= 20 V
T
A
= 25 °C
无
测试条件
最低
22
典型
最大
100
单位
V
A
pF
pF
pF
比
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
25
10
4.5
5.2
200
28
12
4.8
5.7
250
31
13.5
5.1
6.1
V
R
= 3到20V
V
R
= 3.0V
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
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