2N4427
NPN硅高频三极管
封装形式TO- 39
描述：
该
ASI 2N4427
是一个高频
晶体管设计的放大器和
振荡器的应用。
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
400毫安
20 V
为3.5W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
50 ° C / W
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
无
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
EBO
I
CEX
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
t
C
OB
P
in
η
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 100
A
V
CE
= 40 V
V
EB
= 20 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安
V
CE
= 15 V
V
CB
= 12 V
V
CC
= 12 V
P
OUT
= 1.0 W
I
C
= 100毫安
I
C
= 380毫安
I
B
= 20毫安
I
C
= 50毫安
F = 200 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 175 MHz的
V
BE
= -1.5 V
R
BE
= 10
最低
20
40
3.5
典型
最大
单位
V
V
V
0.1
0.1
10
5.0
200
0.5
500
4.0
75
35
mA
mA
---
V
兆赫
pF
mW
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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2N4427
NPN硅高频三极管
封装形式TO- 39
描述：
该
ASI 2N4427
是一个高频
晶体管设计的放大器和
振荡器的应用。
最大额定值
I
C
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
400毫安
20 V
为3.5W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
50 ° C / W
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
无
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CER
BV
EBO
I
CEX
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
t
C
OB
P
in
η
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 °C
测试条件
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 100
A
V
CE
= 40 V
V
EB
= 20 V
V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安
V
CE
= 15 V
V
CB
= 12 V
V
CC
= 12 V
P
OUT
= 1.0 W
I
C
= 100毫安
I
C
= 380毫安
I
B
= 20毫安
I
C
= 50毫安
F = 200 MHz的
F = 1.0 MHz的
F = 175 MHz的
V
BE
= -1.5 V
R
BE
= 10
最低
20
40
3.5
典型
最大
单位
V
V
V
0.1
0.1
10
5.0
200
0.5
500
4.0
75
35
mA
mA
---
V
兆赫
pF
mW
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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