1N415E
硅二极管混频器
描述：
该
ASI 1N415E
是硅混频器
二极管专为应用程序
操作从8.0到12.4 GHz的。
封装形式DO- 23
产品特点：
职业倦怠的高耐
低噪声系数
密封包装
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
20毫安
1.0 V
2.0
（尔格）
@ T
C
= 25 °C
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+150°C
无
特征
符号
NF
V
SWR
Z
IF
FRANGE
R
L
= 22
T
C
= 25 °C
测试条件
F = 9375 MHz的
R
L
= 100
P
lo
= 1.0毫瓦
I
F
= 30 MHz的
N
FIF
= 1.5分贝
最小典型
格言
7.5
1.3
单位
dB
F = 1000赫兹
335
8.0
465
12.4
GHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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硅二极管混频器
描述：
该
ASI 1N415E
是硅混频器
二极管专为应用程序
操作从8.0到12.4 GHz的。
封装形式DO- 23
产品特点：
职业倦怠的高耐
低噪声系数
密封包装
最大额定值
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
英镑
20毫安
1.0 V
2.0
（尔格）
@ T
C
= 25 °C
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+150°C
无
特征
符号
NF
V
SWR
Z
IF
FRANGE
R
L
= 22
T
C
= 25 °C
测试条件
F = 9375 MHz的
R
L
= 100
P
lo
= 1.0毫瓦
I
F
= 30 MHz的
N
FIF
= 1.5分贝
最小典型
格言
7.5
1.3
单位
dB
F = 1000赫兹
335
8.0
465
12.4
GHz的
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
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