VFT80-28
甚高频功率MOSFET
N沟道增强模式
描述：
该
VFT80-28
是专为
通用B级电源
放大器的应用高达175兆赫。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点：
P
G
= 10 dB，典型值在175兆赫
10 ： 1 VSWR负载
能力
Omnigold
金属化系统
F
S
G
C
D
E
D
S
.125 NOM 。
，完全R
J
.125
最大额定值
I
C
V
CB
V
CE
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
10 A
暗淡
最低
英寸/毫米
I
GH
最大
英寸/毫米
60 V
35 V
140瓦特@ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
1.5
O
C / W
O
O
O
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.240 / 6.10
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号： ASI10705
无
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
G
η
D
ψ
T
C
= 25
O
C
测试条件
I
D
= 100毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 50毫安
I
D
= 2 A
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
最低
60
典型的最大
5.0
1.0
单位
V
mA
A
V
mS
1.0
1200
105
165
20
10
50
12
60
6.0
V
DS
= 28 V
V
DD
= 28 V
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 25毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 80 W
F = 175 MHz的
pF
dB
%
V
SWR
= 30:1
在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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