HFT150-28
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI HFT150-28
是专为
.112x45°
A
L
包装样式0.500 4L FLG
产品特点：
P
G
= 16分贝分钟。在150瓦/ 30兆赫
IMD
3
= -28 dBc的最大值。在150瓦
（PEP）
Omnigold
金属化系统
，完全R
.125 NOM 。
C
B
E
H
D
G
F
K
I J
最大额定值
I
D
V
（ BR ） DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
16 A
65 V
±
40 V
300瓦@ T
C
= 25
O
C
-65
O
C至+200
O
C
-65
O
C至+150
O
C
0.60
O
C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.980 / 24.89
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
订货编号： ASI10616
特征
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
V
DS
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
P
IN
G
PS
η
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
T
C
= 25
O
C
NONETEST
条件
I
DS
= 100毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 100毫安
I
D
= 10 A
I
D
= 5 A
最小典型最大
65
---
---
1.0
---
3.5
---
---
---
---
---
---
375
188
26
---
0.5
1.0
5.0
1.5
---
---
单位
V
mA
A
V
V
姆欧
pF
V
GS
= 28 V
V
DS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
---
V
DD
= 28 V
F = 175 MHz的
I
DQ
= 250毫安
P
OUT
= 150 W
（PEP）
50
15
10
W
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
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